L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Nanoscale Device Group

Publications

Journals since the group was formed in 2005. For previous publications see this list.

  1. D. Session, M. J. Mehrabad, N. Paithankar, T. Grass, C. J. Eckhardt, B. Cao, D. G. S. Forero, K. Li, M. S. Alam, K. Watanabe, T. Taniguchi, G. S. Solomon, N. Schine, J. Sau, R. Sordan, and M. Hafezi: Optical pumping of electronic quantum Hall states with vortex light, arXiv 2306.03417 (2023).
  2. A. Plackic, T. J. Neubert, K. Patel, M. Kuhl, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. Zurutuza, R. Sordan, and K. Balasubramanian: Electrochemistry at the edge of a van der Waals heterostructure, Small 20, 2306361 (2024).
  3. X. Ribero-Figueroa, A. Pacheco-Sanchez, A. Mansouri, P. Kumar, O. Habibpour, H. Zirath, R. Sordan, F. Pasadas, D. Jimenez, and R. Torres-Torres: Characterization of the intrinsic and extrinsic resistances of a microwave graphene FET under zero transconductance conditions, IEEE T. Electron Dev. 70, 5977 (2023).
  4. B. Cao, T. Grass, O. Gazzano, K. A. Patel, J. Hu, M. Muller, T. Huber-Loyola, L. Anzi, K. Watanabe, T. Taniguchi, D. B. Newell, M. Gullans, R. Sordan, M. Hafezi, and G. S. Solomon: Chiral Transport of Hot Carriers in Graphene in the Quantum Hall Regime, ACS Nano 16, 18200 (2022).
  5. L. Anzi, A. Tuktamyshev, A. Fedorov, A. Zurutuza, S. Sanguinetti, and R. Sordan: Controlling the threshold voltage of a semiconductor field-effect transistor by gating its graphene gate, npj 2D Mater. Appl. 6, 28 (2022).
  6. V. Falcone, A. Ballabio, A. Barzaghi, C. Zucchetti, L. Anzi, F. Bottegoni, J. Frigerio, R. Sordan, P. Biagioni, and G. Isella: Graphene/Ge microcrystal photodetectors with enhanced infrared responsivity, APL Photonics 7, 046106 (2022).
  7. E. Piatti, A. Arbab, F. Galanti, T. Carey, L. Anzi, D. Spurling, A. Roy, A. Zhussupbekova, K. A. Patel, J. M. Kim, D. Daghero, R. Sordan, V. Nicolosi, R. S. Gonnelli, and F. Torrisi: Charge transport mechanisms in inkjet-printed thin-film transistors based on two-dimensional materials, Nature Electron. 4, 893 (2021).
  8. T. Carey, A. Arbab, L. Anzi, H. Bristow, F. Hui, S. Bohm, G. Wyatt-Moon, A. Flewitt, A. Wadsworth, N. Gasparini, J. M. Kim, M. Lanza, I. McCulloch, R. Sordan, and F. Torrisi: Inkjet printed circuits with 2D semiconductor inks for high-performance electronics, Adv. Electron. Mater. 7, 2100112 (2021).
  9. G. M. Stojanovic, T. Kojic, M. Simic, A. Jovanovic-Galovic, B. Pavlovic, A. Zurutuza, L. Anzi, and R. Sordan: Rapid selective detection of ascorbic acid using graphene-based microfluidic platform, IEEE Sensors J. 21, 16744 (2021).
  10. C. Martella, E. Kozma, P. P. Tummala, S. Ricci, K. A. Patel, A. Andicsovà-Eckstein, F. Bertini, G. Scavia, R. Sordan, L. G. Nobili, M. Bollani, U. Giovanella, A. Lamperti, and A. Molle: Changing the Electronic Polarizability of Monolayer MoS2 by Perylene-Based Seeding Promoters, Adv. Mater. Interfaces 7, 2000791 (2020).
  11. K. A. Patel, R. W. Grady, K. K. H. Smithe, E. Pop, and R. Sordan: Ultra-scaled MoS2 transistors and circuits fabricated without nanolithography, 2D Mater. 7, 015018 (2020).
  12. L. Anzi, A. Ariga, A. Ereditato, R. Ferragut, M. Giammarchi, G. Maero, C. Pistillo, M. Romé, P. Scampoli and V. Toso: Sensitivity of emulsion detectors to low energy positrons, J. Instrum. 15, P03027 (2020).
  13. C. Gilardi, P. Pedrinazzi, K. A. Patel, L. Anzi, B. Luo, T. J. Booth, P. Bøggild, and R. Sordan: Graphene-Si CMOS Oscillators, Nanoscale 11, 3619 (2019).
  14. J. M. Caridad, G. Calogero, P. Pedrinazzi, J. E. Santos, A. Impellizzeri, T. Gunst, T. J. Booth, R. Sordan, P. Bøggild, and M. Brandbyge: A Graphene-Edge Ferroelectric Molecular Switch, Nano Lett. 18, 4675 (2018).
  15. D. Dellasega, M. Bollani, L. Anzi, A. Pezzoli, D. Chrastina, A. Gulinatti, G. Irde, R. Sordan, M. Passoni, and S. M. Pietralunga: High energy pulsed laser deposition of ohmic tungsten contacts on silicon at room temperature, Thin Solid Films 602, 90 (2018).
  16. L. Anzi, A. Mansouri, P. Pedrinazzi, E. Guerriero, M. Fiocco, A. Pesquera, A. Centeno, A. Zurutuza, A. Behnam, E. A. Carrion, E. Pop, and R. Sordan: Ultra-low contact resistance in graphene devices at the Dirac point, 2D Mater. 5, 025014 (2018).
  17. P. Pedrinazzi, J. M. Caridad, D. M. A. Mackenzie, F. Pizzocchero, L. Gammelgaard, B. S. Jessen, R. Sordan, T. J. Booth, and P. Bøggild: High-quality graphene flakes exfoliated on a flat hydrophobic polymer, Appl. Phys. Lett. 112, 033101 (2018).
  18. D. Vasiljevic, A. Mansouri, L. Anzi, R. Sordan, and G. Stojanovic: Performance analysis of flexible ink-jet printed humidity sensors based on graphene oxide, IEEE Sensors J. 7, 4378 (2018).
  19. T. Carey, S. Cacovich, G. Divitini, J. Ren, A. Mansouri, J. M. Kim, C. Wang, C. Ducati, R. Sordan, and F. Torrisi: Fully inkjet-printed two-dimensional material field-effect heterojunctions for wearable and textile electronics, Nature Commun. 8, 1202 (2017).
  20. E. Guerriero, P. Pedrinazzi, A. Mansouri, O. Habibpour, M. Winters, N. Rorsman, A. Behnam, E. A. Carrion, A. Pesquera, A. Centeno, A. Zurutuza, E. Pop, H. Zirath, and R. Sordan: High-gain graphene transistors with a thin AlOx top-gate oxide, Sci. Reports 7, 2419 (2017).
  21. C. Rinaldi, S. Bertoli, M. Asa, L. Baldrati, C. Manzoni, M. Marangoni, G. Cerullo, M. Bianchi, R. Sordan, and R. Bertacco: Determination of the spin diffusion length in germanium by spin optical orientation and electrical spin injection, J. Phys. D: Appl. Phys. 49, 425104 (2016).
  22. M. Monticelli, A. Torti, M. Cantoni, D. Petti, E. Albisetti, A. Manzin, E. Guerriero, R. Sordan, G. Gervasoni, M. Carminati, G. Ferrari, M. Sampietro, and R. Bertacco: On-chip magnetic platform for single-particle manipulation with integrated electrical feedback, Small 12, 921 (2016).
  23. V. Mondiali, M. Lodari, M. Borriello, D. Chrastina, and M. Bollani: Top-down SiGe nanostructures on Ge membranes realized by e-beam lithography and wet etching, Microelectron. Eng. 153, 88 (2016).
  24. M. Bollani, D. Chrastina, L. Gagliano, L. Rossetto, D. Scopece, M. Barget, V. Mondiali, J. Frigerio, M. Lodari, F. Pezzoli, F. Montalenti, and E. Bonera: Local uniaxial tensile strain in germanium up to 4% by epitaxial nanostructures, Appl. Phys. Lett. 107, 083101 (2015).
  25. I. Polyzos, M. Bianchi, L. Rizzi, E. Koukaras, I. Parthenios, K. Papagelis, R. Sordan, and C. Galiotis: Suspended monolayer graphene under true uniaxial deformation, Nanoscale 7, 13033 (2015).
  26. Y. Gao, S. Kim, S. Zhou, H.-C. Chiu, D. Nélias, C. Berger, W. de Heer, L. Polloni, R. Sordan, A. Bongiorno, and E. Riedo: Elastic coupling between layers in two-dimensional materials, Nature Mater. 14, 714 (2015).
  27. M. Bianchi, E. Guerriero, M. Fiocco, R. Alberti, L. Polloni, A. Behnam, E. A. Carrion, E. Pop, and R. Sordan: Scaling of graphene integrated circuits, Nanoscale 7, 8076 (2015).
  28. V. Mondiali, M. Lodari, D. Chrastina, M. Barget, E. Bonera, and M. Bollani: Micro and nanofabrication of SiGe/Ge bridges and membranes by wet-anisotropic etching, Microelectron. Eng. 141, 256 (2015).
  29. A. C. Ferrari, F. Bonaccorso, V. Falko, K. S. Novoselov, S. Roche, P. Boggild, S. Borini, F. Koppens, V. Palermo, N. Pugno, J. A. Garrido, R. Sordan, A. Bianco, L. Ballerini, M. Prato, E. Lidorikis, J. Kivioja, C. Marinelli, T. Ryhanen, A. Morpurgo, J. N. Coleman, V. Nicolosi, L. Colombo, A. Fert, M. Garcia-Hernandez, A. Bachtold, G. F. Schneider, F. Guinea, C. Dekker, M. Barbone, C. Galiotis, A. Grigorenko, G. Konstantatos, A. Kis, M. Katsnelson, C. W. J. Beenakker, L. Vandersypen, A. Loiseau, V. Morandi, D. Neumaier, E. Treossi, V. Pellegrini, M. Polini, A. Tredicucci, G. M. Williams, B. H. Hong, J. H. Ahn, J. M. Kim, H. Zirath, B. J. van Wees, H. van der Zant, L. Occhipinti, A. Di Matteo, I. A. Kinloch, T. Seyller, E. Quesnel, X. Feng, K. Teo, N. Rupesinghe, P. Hakonen, S. R. T. Neil, Q. Tannock, T. Lofwander, and J. Kinaret: Science and technology roadmap for graphene, related two-dimensional crystals, and hybrid systems, Nanoscale 7, 4598 (2014).
  30. M. Celebrano, M. Baselli, M. Bollani, J. Frigerio, A. B. Shehata, A. Della Frera, A. Tosi, A. Farina, F. Pezzoli, J. Osmond, X. Wu, B. Hecht, R. Sordan, D. Chrastina, G. Isella, L. Duò, M. Finazzi, and P. Biagioni: Emission engineering in germanium nanostructures, ACS Photonics 2, 53 (2014).
  31. E. A. Carrion, A. Y. Serov, S. Islam, A. Behnam, A. Malik, F. Xiong, M. Bianchi, R. Sordan, and E. Pop: Hysteresis-free nanosecond pulsed electrical characterization of top-gated graphene transistors, IEEE T. Electron Dev. 61, 1583 (2014).
  32. V. Mondiali, M. Bollani, S. Cecchi, M.-I. Richard, T. Schülli, G. Chahine, and D. Chrastina: Dislocation engineering in SiGe on periodic and aperiodic Si(001) templates studied by fast scanning X-ray nanodiffraction, Appl. Phys. Lett. 104, 021918 (2014).
  33. K. M. Carroll, X. Lu, S. Kim, Y. Gao, H.-J. Kim, S. Somnath, L. Polloni, R. Sordan, W. P. King, J. E. Curtis, and E. Riedo: Parallelization of thermochemical nanolithography, Nanoscale 6, 1299 (2014).
  34. G. M. Vanacore, M. Chaigneau, N. Barrett, M. Bollani, F. Boioli, M. Salvalaglio, F. Montalenti, N. Manini, L. Caramella, P. Biagioni, D. Chrastina, G. Isella, O. Renault, M. Zani, R. Sordan, G. Onida, R. Ossikovski, H.-J. Drouhin, and A. Tagliaferri: Hydrostatic strain enhancement in laterally confined SiGe nanostripes, Phys. Rev. B 88, 115309 (2013).
  35. E. Guerriero, L. Polloni, M. Bianchi, A. Behnam, E. Carrion, L. G. Rizzi, E. Pop, and R. Sordan: Gigahertz integrated graphene ring oscillators, ACS Nano 7, 5588 (2013).
  36. I. Berbezier, M. Aouassa, A. Ronda, L. Favre, M. Bollani, R. Sordan, A. Delobbe, and P. Sudraud: Ordered arrays of Si and Ge nanocrystals via dewetting of pre-patterned thin films, J. Appl. Phys. 113, 064908 (2013).
  37. G. Grancini, N. Martino, M. Bianchi, L. G. Rizzi, V. Russo, A. Li Bassi, C.  S. Casari, A. Petrozza, R. Sordan, and G. Lanzani: Ultrafast spectroscopic imaging of exfoliated graphene, Phys. Status Solidi B 249, 2497 (2012).
  38. L. G. Rizzi, M. Bianchi, A. Behnam, E. Carrion, E. Guerriero, L. Polloni, E. Pop, and R. Sordan: Cascading wafer-scale integrated graphene complementary inverters under ambient conditions, Nano Lett. 12, 3948 (2012).
  39. M. Aouassa, I. Berbezier, L. Favre, A. Ronda, M. Bollani, R. Sordan, A. Delobbe, and P. Sudraud: Design of free patterns of nanocrystals with ad hoc features via templated dewetting, Appl. Phys. Lett. 101, 013117 (2012).
  40. D. Chrastina, G. M. Vanacore, M. Bollani, P. Boye, S. Schöder, M. Burghammer, R. Sordan, G. Isella, M. Zani, and A. Tagliaferri: Patterning-induced strain relief in single lithographic SiGe nanostructures studied by nanobeam x-ray diffraction, Nanotechnology 23, 155702 (2012).
  41. E. Guerriero, L. Polloni, L. G. Rizzi, M. Bianchi, G. Mondello, and R. Sordan: Graphene audio voltage amplifier, Small 8, 357 (2012).
  42. M. Bollani, D. Chrastina, V. Montuori, D. Terziotti, E. Bonera, G. M. Vanacore, A. Tagliaferri, R. Sordan, C. Spinella, and G. Nicotra: Homogeneity of Ge-rich nanostructures as characterized by chemical etching and transmission electron microscopy, Nanotechnology 23, 045302 (2012).
  43. A. Sagar, K. Balasubramanian, M. Burghard, K. Kern, and R. Sordan: Polymer-electrolyte gated graphene transistors for analog and digital phase detection, Appl. Phys. Lett. 99, 043307 (2011).
  44. E. U. Stützel, M. Burghard, K. Kern, F. Traversi, F. Nichele, and R. Sordan: A graphene nanoribbon memory cell, Small 6, 2822 (2010).
  45. M. Bollani, D. Chrastina, A. Fedorov, R. Sordan, A. Picco, and E. Bonera: Ge-rich islands grown on patterned Si substrates by low-energy plasma-enhanced chemical vapour deposition, Nanotechnology 21, 475302 (2010).
  46. G. M. Vanacore, M. Zani, G. Isella, J. Osmond, M. Bollani, and A. Tagliaferri: Quantitative investigation of the influence of carbon surfactant on Ge surface diffusion and island nucleation on Si(100), Phys. Rev. B 82, 125456 (2010).
  47. M. Bollani, E. Bonera, D. Chrastina, A. Fedorov, V. Montuori, A. Picco, A. Tagliaferri, G. Vanacore, and R. Sordan: Ordered arrays of SiGe islands from low-energy PECVD, Nanoscale Res. Lett. 5, 1917 (2010).
  48. G. M. Vanacore, M. Zani, M. Bollani, D. Colombo, G. Isella, J. Osmond, R. Sordan and, A. Tagliaferri: Size evolution of ordered SiGe islands grown by surface thermal diffusion on pit-patterned Si(100) surface, Nanoscale Res. Lett. 5, 1921 (2010).
  49. F. Traversi, F. J. Guzman-Vazquez, L. G. Rizzi, V. Russo, C. S. Casari, C. Gómez-Navarro, and R. Sordan: Elastic properties of graphene suspended on a polymer substrate by e-beam exposure, New J. Phys. 12, 023034 (2010).
  50. V. Kapaklis, S. Grammatikopoulos, R. Sordan, A. Miranda, F. Traversi, H. von Känel, D. Trachylis, P. Poulopoulos, and C. Politis: Nanolithographic templates using diblock copolymer films on chemically heterogeneous substrates, J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 6056 (2010).
  51. F. Traversi, V. Russo, and R. Sordan: Integrated complementary graphene inverter, Appl. Phys. Lett. 94, 223312 (2009).
  52. R. Sordan, A. Miranda, F. Traversi, D. Colombo, D. Chrastina, G. Isella, M. Masserini, L. Miglio, K. Kern, and K. Balasubramanian: Vertical arrays of nanofluidic channels fabricated without nanolithography, Lab Chip 9, 1556 (2009).
  53. R. Sordan, F. Traversi, and V. Russo: Logic gates with a single graphene transistor, Appl. Phys. Lett. 94, 073305 (2009).
  54. R. Sordan, A. Miranda, J. Osmond, D. Colombo, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Gate-controlled rectifying barrier in a two-dimensional hole gas, Nanotechnology 19, 335201 (2008).
  55. R. Sordan, A. Miranda, J. Osmond, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Logic gates with a single Hall bar heterostructure, Appl. Phys. Lett. 89, 152122 (2006).

Copyright © 2010 L-NESS Como