L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Paolo Pedrinazzi

PhD student

Contact

e-mail:
tel:Como: +39 031 332 7307
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
Italy
office:Via Anzani 1.06

Paolo Pedrinazzi

Main Research Interest

Publications

  1. C. Gilardi, P. Pedrinazzi, K. A. Patel, L. Anzi, B. Luo, T. J. Booth, P. Boggild, and R. Sordan: Graphene-Si CMOS oscillators, Nanoscale 11, 3619 (2019).
  2. L. Anzi, A. Mansouri, P. Pedrinazzi, E. Guerriero, M. Fiocco, A. Pesquera, A. Centeno, A. Zurutuza, A. Behnam, E. A. Carrion, E. Pop, and R. Sordan: Ultra-low contact resistance in graphene devices at the Dirac point, 2D Materials 5, 025014 (2018).
  3. J. M. Caridad, G. Calogero, P. Pedrinazzi, J. E. Santos, A. Impellizzeri, T. Gunst, T. J. Booth, R. Sordad, P. Boggild, and M. Brandbyge: A graphene-edge ferroelectric molecular switch, Nano Lett. 18, 4675 (2018).
  4. E. Guerriero, P. Pedrinazzi, A. Mansouri, O. Habibpour, M. Winters, N. Rorsman, A. Behnam, E. A. Carrion, A. Pesquera, A. Centeno, A. Zurutuza, E. Pop, H. Zirath, and R. Sordan: High-gain graphene transistors with a thin AlOx top-gate oxide, Sci. Reports 7, 2419 (2017).

Copyright © 2010 L-NESS Como