L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Kishan Ashokbhai Patel

Post-doc

Contact

e-mail:
tel:Como: +39 031 332 7623
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
Italy
office:Via Anzani 1.03

Main Research Interest

Publications

  1. A. Plačkić, T. J. Neubert, K. Patel, M. Kuhl, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. Zurutuza, R. Sordan, and K. Balasubramanian: Electrochemistry at the edge of a van der Waals heterostructure, Small 2024, 202306361 (2024).
  2. B. Cao, T. Grass, O. Gazzano, K. A. Patel, J. Hu, M. Müller, T. Huber-Loyola, L. Anzi, K. Watanabe, T. Taniguchi, D. B. Newell, M. Gullans, R. Sordan, M. Hafezi, , and G. S. Solomon: Chiral transport of hot carriers in graphene in the quantum hall regime, ACS Nano 16, 18200 (2022).
  3. E. Piatti, A. Arbab, F. Galanti, T. Carey, L. Anzi, D. Spurling, A. Roy, A. Zhussupbekova, K. A. Patel, J. M. Kim, D. Daghero, R. Sordan, V. Nicolosi, R. S. Gonnelli, and F. Torrisi: Charge transport mechanisms in inkjet-printed thin-film transistors based on two-dimensional materials, Nature Elec. 4, 893 (2022).
  4. C. Martella, E. Kozma, P. P. Tummala, S. Ricci, K. A. Patel, A. Andicsovà-Eckstein, F. Bertini, G. Scavia, R. Sordan, L. G. Nobili, M. Bollani, U. Giovanella, A. Lamperti, and A. Molle: Changing the electronic polarizability of monolayer MoS2 by perylene-based seeding promoters, Adv. Mater. Inter. 7, 2000791 (2020).
  5. K. A. Patel, R. W. Grady, K. K. H. Smithe, E. Pop, and R. Sordan: Ultra-scaled MoS2 transistors and circuits fabricated without nanolithography, 2D Materials 7, 015018 (2019).
  6. C. Gilardi, P. Pedrinazzi, K. A. Patel, L. Anzi, B. Luo, T. J. Booth, P. Boggild, and R. Sordan: Graphene-Si CMOS oscillators, Nanoscale 11, 3619 (2019).

Copyright © 2010 L-NESS Como