Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Mario Lodari

PhD student


tel:Como: +39 031 332 7307
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
office:Via Anzani T.02

Mario Lodari

Main Research Interest


  1. M. Lodari, D. Chrastina, V. Mondiali, M. R. Barget, J. Frigerio, E. Bonera, and M. Bollani: Strain in Si or Ge from the edge forces of epitaxial nanostructures, Nanosci. Nanotechnol. Lett. 9, 1128 (2017).
  2. M. R. Barget, M. Lodari, V. Mondiali, D. Chrastina, M. Bollani, and E. Bonera: Tensile strain in Ge membranes induced by SiGe nanostressors, Appl. Phys. Lett. 109, 133109 (2016).
  3. V. Mondiali, M. Lodari, M. Borriello, D. Chrastina, and M. Bollani: Top-down SiGe nanostructures on Ge membranes realized by e-beam lithography and wet etching, Microelectron. Eng. 153, 88 (2016).
  4. M. Bollani, D. Chrastina, L. Gagliano, L. Rossetto, D. Scopece, M. Barget, V. Mondiali, J. Frigerio, M. Lodari, F. Pezzoli, F. Montalenti, and E. Bonera: Local uniaxial tensile strain in germanium up to 4% by epitaxial nanostructures, Appl. Phys. Lett. 107, 083101 (2015).
  5. V. Mondiali, M. Lodari, D. Chrastina, M. Barget, E. Bonera, and M. Bollani: Micro and nanofabrication of SiGe/Ge bridges and membranes by wet-anisotropic etching, Microelectron. Eng. 141, 256 (2015).
  6. J. Frigerio, M. Lodari, D. Chrastina, V. Mondiali, G. Isella, and M. Bollani: Metastability and relaxation in tensile SiGe on Ge(001) virtual substrates, J. Appl. Phys. 116, 113507 (2014).

Copyright © 2010 L-NESS Como