L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Hans von Känel

Consultant

Contact

e-mail:
tel:Como: +39 031 332 7612
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
Italy
office:Via Anzani 1.06
web:pnm.ethz.ch

Hans von Känel

Main Research Interest

Publications

  1. F. Isa, A. Jung, M. Salvalaglio, Y. Arroyo Rojas Dasilva, I. Marozau, M. Meduňa, M. Barget, A. Marzegalli, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, O. Sereda, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Strain engineering in highly mismatched SiGe/Si heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. online (2016).
  2. F. Isa, A. Jung, M. Salvalaglio, Y. Arroyo Rojas Dasilva, M. Meduňa, M. Barget, T. Kreiliger, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, K. Zweiacker, A. Neels, A. Dommann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Elastic and plastic stress relaxation in highly mismatched SiGe/Si crystals, MRS Advances online (2016).
  3. F. Isa, M. Salvalaglio, Y. Arroyo Rojas Dasilva, A. Jung, G. Isella, R. Erni, B. Timotijevic, P. Niedermann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Enhancing elastic stress relaxation in SiGe/Si heterostructures by Si pillar necking, Appl. Phys. Lett. 109, 182112 (2016).
  4. Y. Arroyo Rojas Dasilva, M. D. Rossell, F. Isa, R. Erni, G. Isella, H. von Känel, and P. Grönig: Strain relaxation in epitaxial Ge crystals grown on patterned Si(001) substrates, Scripta Mater. 127, 169 (2016).
  5. F. Isa, M. Salvalaglio, Y. A. R. Dasilva, A. Jung, G. Isella, R. Erni, P. Niedermann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: From plastic to elastic stress relaxation in highly mismatched SiGe/Si heterostructures, Acta Mater. 114, 97 (2016).
  6. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, A. Marzegalli, D. Chrastina, G. Isella, L. Miglio, A. Dommann, and H. von Känel: Lattice bending in three-dimensional Ge microcrystals studied by X-ray nanodiffraction and modelling, J. Appl. Cryst. 49, 976 (2016).
  7. R. Bergamaschini, M. Salvalaglio, A. Scaccabarozzi, F. Isa, C. V. Falub, G. Isella, H. von Känel, F. Montalenti, and L. Miglio: Temperature-controlled coalescence during the growth of Ge crystals on deeply patterned Si substrates, J. Cryst. Growth 440, 86 (2016).
  8. A. G. Taboada, M. Medunňa, M. Salvalaglio, F. Isa, T. Kreiliger, C. V. Falub, E. Barthazy Meier, E. Müller, L. Miglio, G. Isella, and H. von Känel: GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scale, J. Appl. Phys. 119, 055301 (2016).
  9. F. Isa, M. Salvalaglio, Y. A. R. Dasilva, M. Meduňa, M. Barget, A. Jung, T. Kreiliger, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Highly mismatched, dislocation-free SiGe/Si heterostructures, Adv. Mater. 28, 884 (2015).
  10. J. Rozbořil, M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, and H. von Känel: Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction, phys. stat. sol. (a) 213, 463 (2015).
  11. Y. Arroyo Rojas Dasilva, M. D. Rossell, D. Keller, P. Grönig, F. Isa, T. Kreiliger, H. von Känel, G. Isella, and R. Erni: Analysis of edge threading dislocations b = 1/2 <110> in three dimensional Ge crystals grown on (001)-Si substrates.Appl. Phys. Lett. 107, 093501 (2015).
  12. A. Jung, A. G. Taboada, W. Stumpf, T. Kreiliger, F. Isa, G. Isella, E. Barthazy Meier, and H. von Känel: Heterointegration of InGaAs/GaAs quantum wells on micro-patterned Si substrates, J. Appl. Phys. 118, 075701 (2015).
  13. F. Isa, F. Pezzoli, G. Isella, M. Meduňa, C. V. Falub, E. Müller, T. Kreiliger, A. G. Taboada, H. von Känel, and L. Miglio: Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates, Semicond. Sci. Technol. 30, 105001 (2015).
  14. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, D. Chrastina, T. Kreiliger, G. Isella, and H. von Känel: Reconstruction of crystal shapes by X-ray nanodiffraction from three-dimensional superlattices, J. Appl. Cryst. 47, 2030 (2014).
  15. H. von Känel, F. Isa, C. V. Falub, E. J. Barthazy, E. Müller Gubler, D. Chrastina, G. Isella, T. Kreiliger, A. Gonzalez Taboada, M. Meduna, R. Kaufmann, A. Neels, A. Dommann, P. Niedermann, F. Mancarella, M. Mauceri, M. Puglisi, D. Crippa, F. La Via, R. Anzalone, N. Piluso, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, and L. Miglio: (Invited) Three-dimensional epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC crystals on deeply patterned Si substrates, ECS Transactions 64, 631 (2014).
  16. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Ge crystals on Si show their light, Phys. Rev. App. 1, 044005 (2014).
  17. T. Kreiliger, C. V. Falub, F. Isa, G. Isella, D. Chrastina, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, R. Kaufmann, P. Niedermann, A. Neels, E. Müller, M. Meduňa, A. Dommann, L. Miglio, and H. von Känel: Epitaxial Ge-crystal arrays for X-ray detection, J. Instrumentation 9, C03019 (2014).
  18. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, D. Chrastina, T. Kreiliger, G. Isella, A. G. Taboada, P. Niedermann, and H. von Känel: X-ray nano-diffraction on epitaxial crystals, Quantum Matter 3, 290 (2014).
  19. S. Bietti, A. Scaccabarozzi, C. Frigeri, M. Bollani, E. Bonera, C. V. Falub, H. von Känel, L. Miglio, and S. Sanguinetti: Monolithic integration of optical grade GaAs on Si(001) substrates deeply patterned at a micron scale, Appl. Phys. Lett. 103, 262106 (2013).
  20. A. G. Taboada, T. Kreiliger, C. V. Falub, F. Isa, M. Salvalaglio, L. Wewior, D. Fustor, M. Richter, E. Uccelli, P. Niedermann, A. Neels, F. Mancarella, B. Alén, L. Miglio, A. Dommann, G. Isella, and H. von Känel: Strain relaxation of GaAs/Ge crystals on patterned Si substrates, Appl. Phys. Lett. 104, 022112 (2014).
  21. T. Kreiliger, C. V. Falub, A. G. Taboada, F. Isa, S. Cecchi, R. Kaufmann, P. Niedermann, A. Pezous, S. Mouaziz, A. Dommann, G. Isella, and H. von Känel: Individual heterojunctions of 3D germanium crystals on silicon CMOS for monolithically integrated X-ray detector, phys. stat. sol. (a) 211, 131 (2013).
  22. C. V. Falub, T. Kreiliger, F. Isa, A. G. Taboada, M. Meduňa, F. Pezzoli, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, E. Müller, D. Chrastina, G. Isella, A. Neels, P. Niedermann, A. Dommann, L. Miglio, and H. von Känel: 3D heteroepitaxy of mismatched semiconductors on silicon, Thin Solid Films 557, 42 (2014).
  23. A. G. Taboada, T. Kreiliger, C. V. Falub, M. Richter, F. Isa, E. Müller, E. Uccelli, P. Niedermann, A. Neels, G. Isella, J. Fompeyrine, A. Dommann, and H. von Känel: Integration of GaAs on Ge/Si towers by MOVPE, MRS Proceedings 1538, 283 (2013).
  24. R. Bergamaschini, F. Isa, C. V. Falub, P. Niedermann, E. Müller, G. Isella, H. von Känel, and L. Miglio: Self-aligned Ge and SiGe three-dimensional epitaxy on dense Si pillar arrays, Surf. Sci. Rep. 68, 390 (2013).
  25. F. Isa, A. Marzegalli, A. G. Taboada, C. V. Falub, G. Isella, F. Montalenti, H. von Känel, and L. Miglio: Onset of vertical threading dislocations in Si1-xGex/Si (001) at a critical Ge concentration, APL Materials 1, 052109 (2013).
  26. L. Miglio, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, P. Niedermann, A. Dommann, C. V. Falub, E. Müller, and H. von Känel: “divide et impera” in detector technology, Il Nuovo Saggiatore 29, 7 (2013).
  27. A. Marzegalli, F. Isa, H. Groiss, E. Müller, C. V. Falub, A. G. Taboada, P. Niedermann, G. Isella, F. Schäffler, F. Montalenti, H. von Känel, and L. Miglio: Unexpected dominance of vertical dislocations in high-misfit Ge/Si(001) films and their elimination by deep substrate patterning, Adv. Mater. 25, 4408 (2013).
  28. M. Richter, E. Uccelli, A. G. Taboada, D. Caimi, N. Daix, M. Sousa, C. Marchiori, H. Siegwart, C. V. Falub, H. von Känel, F. Isa, G. Isella, A. Pezous, A. Dommann, P. Niedermann, and J. Fompeyrine: Heterointegration by molecular beam epitaxy: (In,Ga)As/GaAs quantum wells on GaAs, Ge, Ge/Si and Ge/Si pillars, J. Cryst. Growth 378, 109 (2013).
  29. E. Bonera, R. Gatti, G. Isella, G. Norga, A. Picco, E. Grilli, M. Guzzi, M. Texier, and B. Pichaud: Dislocation distribution across ultrathin silicon-on-insulator with epitaxial SiGe stressor, Appl. Phys. Lett. 103, 053104 (2013).
  30. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Germanium crystals on silicon show their light, arXiv.org e-Print archive cond-mat, arXiv:1306.5270 (2013).
  31. C. V. Falub, M. Meduňa, D. Chrastina, F. Isa, A. Marzegalli, T. Kreiliger, A. G. Taboada, G. Isella, L. Miglio, A. Dommann, and H. von Känel: Perfect crystals grown from imperfect interfaces, Sci. Reports 3, 2276 (2013).
  32. N. S. Köster, A. C. Klettke, B. Ewers, R. Woscholski, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, M. Kira, S. W. Koch, and S. Chatterjee: Controlling the polarization dynamics by strong THz fields in photoexcited germanium quantum wells, New J. Phys. 15, 075004 (2013).
  33. C. V. Falub, T. Kreiliger, A. G. Taboada, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, M. Meduňa, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, E. Bonera, F. Pezzoli, L. Miglio, P. Niedermann, A. Neels, A. Pezous, R. Kaufmann, A. Dommann, and H. von Känel: Three dimensional heteroepitaxy: A new path for monolithically integrating mismatched materials with silicon.In 2012 International Semiconductor Conference (CAS), 45--50 (2012).
  34. C. V. Falub, F. Isa, T. Kreiliger, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, A. G. Taboada, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, P. Niedermann, A. Dommann, A. Neels, A. Pezous, M. Meduňa, L. Miglio, and H. von Känel: Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals.In SiGe Technology and Device Meeting, 2012. ISTDM 2012. (2012).
  35. A. Calloni, R. Ferragut, A. Dupasquier, H. von Känel, A. Guiller, A. Rutz, L. Ravelli, and W. Egger: Characterization of vacancy-type defects in heteroepitaxial GaN grown by low-energy plasma-enhanced vapor phase epitaxy, J. Appl. Phys. 112, 024510 (2012).
  36. C. V. Falub, H. von Känel, F. Isa, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, P. Niedermann, and L. Miglio: Scaling hetero-epitaxy from layers to three-dimensional crystals, Science 335, 1330 (2012).
  37. H. P. Hsu, P. H. Wu, Y. S. Huang, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and K. K. Tiong: Photoreflectance study of direct-gap interband transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells with Ge-rich barriers, Appl. Phys. Lett. 100, 041905 (2012).
  38. P. H. Wu, Y. S. Huang, H. P. Hsu, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and K. K. Tiong: Temperature dependence of the direct interband transitions of a Ge/SiGe multiple-quantum-well structure with Ge-rich barriers, Phys. Rev. B 85, 035303 (2012).
  39. R. Kaufmann, G. Isella, A. Sanchez-Amores, S. Neukom, A. Neels, L. Neumann, A. Brenzikofer, A. Dommann, C. Urban, and H. von Känel: Near infrared image sensor with integrated germanium photodiodes, J. Appl. Phys. 110, 023107 (2011).
  40. N. S. Köster, K. Kolata, R. Woscholski, C. Lange, G. Isella, D. Chrastina, H. von Känel, and S. Chatterjee: Giant dynamical Stark shift in germanium quantum wells, Appl. Phys. Lett. 98, 161103 (2011).
  41. N. S. Köster, C. Lange, K. Kolata, S. Chatterjee, M. Schäfer, M. Kira, S. W. Koch, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and H. Sigg: Ultrafast transient gain in Ge/SiGe quantum wells, phys. stat. sol. (c) 8, 1109 (2011).
  42. E. Gatti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Room temperature photoluminescence of Ge multiple quantum wells with Ge-rich barriers, Appl. Phys. Lett. 98, 031106 (2011).
  43. N. S. Köster, C. Lange, S. Chatterjee, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, M. Schäfer, M. Kira, and S. W. Koch: Transient optical gain and carrier dynamics in Ge/SiGe quantum wells, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 7600, 76000B (2010).
  44. A. Neels, A. Dommann, P. Niedermann, C. Farub, and H. von Känel: Advanced stress, strain and geometrical analysis in semiconductor devices, AIP Conf. Proc. 1300, 114 (2010).
  45. V. Kapaklis, S. Grammatikopoulos, R. Sordan, A. Miranda, F. Traversi, H. von Känel, D. Trachylis, P. Poulopoulos, and C. Politis: Nanolithographic templates using diblock copolymer films on chemically heterogeneous substrates, J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 6056 (2010).
  46. G. Matmon, D. J. Paul, L. Lever, M. Califano, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, J. Zhang, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Müller, and A. Neels: Si/SiGe quantum cascade superlattice designs for terahertz emission, J. Appl. Phys. 107, 053109 (2010).
  47. C. Lange, N. S. Köster, S. Chatterjee, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, B. Kunert, and W. Stolz: Comparison of ultrafast carrier thermalization in GaxIn1-xAs and Ge quantum wells, Phys. Rev. B 81, 045320 (2010).
  48. S. Chatterjee, C. Lange, N. S. Köster, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, M. Schäfer, M. Kira, and S. W. Koch: Optical gain and transient nonlinearities in Ge quantum wells.In IEEE 6th Int. Conf. Group IV Photonics, 268--270 (2009).
  49. F. Pezzoli, E. Bonera, M. Bollani, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Raman spectroscopy for the analysis of temperature-dependent plastic relaxation of SiGe layers, Acta Phys. Pol. A 116, 78 (2009).
  50. A. Trita, F. Bragheri, I. Cristiani, V. Degiorgio, D. Chrastina, D. Colombo, G. Isella, H. von Känel, F. Gramm, E. Müller, M. Döbeli, E. Bonera, R. Gatti, F. Pezzoli, E. Grilli, M. Guzzi, and L. Miglio: Impact of misfit dislocations on wavefront distortion in Si/SiGe/Si optical waveguides, Opt. Commun. 282, 4716 (2009).
  51. J. Osmond, G. Isella, D. Chrastina, R. Kaufmann, M. Acciarri, and H. von Känel: Ultra low dark current Ge/Si(100) photodiodes with low thermal budget, Appl. Phys. Lett. 94, 201106 (2009).
  52. C. Lange, N. S. Köster, S. Chatterjee, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, M. Schäfer, M. Kira, and S. W. Koch: Ultrafast nonlinear optical response of photoexcited Ge/SiGe quantum wells: Evidence for a femtosecond transient population inversion, Phys. Rev. B 79, 201306(R) (2009).
  53. M. Bonfanti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and H. Sigg: Direct-gap related optical transitions in Ge/SiGe quantum wells with Ge-rich barriers, Physica E 41, 972 (2009).
  54. M. Virgilio, M. Bonfanti, D. Chrastina, A. Neels, G. Isella, E. Grilli, M. Guzzi, G. Grosso, H. Sigg, and H. von Känel: Polarization-dependent absorption in Ge/SiGe multiple quantum wells: theory and experiment, Phys. Rev. B 79, 075323 (2009).
  55. P. L. Novikov, A. Le Donne, S. Cereda, L. Miglio, S. Pizzini, S. Binetti, M. Rondanini, C. Cavallotti, D. Chrastina, T. Moiseev, H. von Känel, G. Isella, and F. Montalenti: Crystallinity and microstructure in Si films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition: A simple atomic-scale model validated by experiments, Appl. Phys. Lett. 94, 051904 (2009).
  56. I. L. Drichko, A. M. Diakonov, E. V. Lebedeva, I. Y. Smirnov, O. A. Mironov, M. Kummer, and H. von Känel: Acoustoelectric effects in very high-mobility p-SiGe/Ge/SiGe heterostructure, J. Appl. Phys. 106, 094305 (2009).
  57. F. Pezzoli, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si1-xGex/Si heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. 11, 279 (2008).
  58. D. Chrastina, A. Neels, M. Bonfanti, M. Virgilio, G. Isella, E. Grilli, M. Guzzi, G. Grosso, H. Sigg, and H. von Känel: Ge/SiGe multiple quantum wells for optical applications.In IEEE 5th Int. Conf. Group IV Photonics, 194--196 (2008).
  59. J. Osmond, G. Isella, D. Chrastina, R. Kaufmann, and H. von Känel: High speed Ge photodetector integrated on silicon-on-insulator operating at very low bias voltage.In IEEE 5th Int. Conf. Group IV Photonics, 164--166 (2008).
  60. G. Isella, G. Matmon, A. Neels, E. Müller, M. Califano, D. Chrastina, H. von Känel, L. Lever, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, and D. J. Paul: SiGe/Si quantum cascade structures deposited by low-energy plasma-enhanced CVD.In IEEE 5th Int. Conf. Group IV Photonics, 29--31 (2008).
  61. J. Osmond, G. Isella, D. Chrastina, R. Kaufmann, and H. von Känel: Ge/Si (100) heterojunction photodiodes fabricated from material grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapour deposition, Thin Solid Films 517, 380 (2008).
  62. D. J. Paul, G. Matmon, L. Lever, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Müller, and A. Neels: SiGe/Si bound-to-continuum terahertz quantum cascade emitters.In SiGe, Ge, and Related Compounds, 865--874 (2008).
  63. M. Bonfanti, E. Grilli, M. Guzzi, M. Virgilio, G. Grosso, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and A. Neels: Optical transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells with Ge-rich barriers, Phys. Rev. B 78, 041407(R) (2008).
  64. R. Sordan, A. Miranda, J. Osmond, D. Colombo, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Gate-controlled rectifying barrier in a two-dimensional hole gas, Nanotechnology 19, 335201 (2008).
  65. M. Rondanini, C. Cavallotti, D. Ricci, D. Chrastina, G. Isella, T. Moiseev, and H. von Känel: An experimental and theoretical investigation of a magnetically confined dc plasma discharge, J. Appl. Phys. 104, 013304 (2008).
  66. D. J. Paul, G. Matmon, L. Lever, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Si/SiGe bound-to-continuum quantum cascade terahertz emitters, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 6996, 69961C (2008).
  67. F. Pezzoli, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Phonon strain shift coefficients in Si1-xGex alloys, J. Appl. Phys. 103, 093521 (2008).
  68. M. Stoffel, A. Malachias, T. Merdzhanova, F. Cavallo, G. Isella, D. Chrastina, H. von Känel, A. Rastelli, and O. G. Schmidt: SiGe wet chemical etchants with high compositional selectivity and low strain sensitivity, Semicond. Sci. Technol. 23, 085021 (2008).
  69. I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Y. F. Komnik, D. R. Leadley, M. Myronov, H. von Känel, and O. A. Mironov: A new method of investigating the quantum channel surface, J. Phys. Condens. Matt. 20, 224024 (2008).
  70. A. Cattoni, R. Bertacco, M. Cantoni, F. Ciccacci, H. von Kaenel, and G. J. Norga: Impact of O2 exposure on surface crystallinity of clean and Ba terminated Ge(1 0 0) surfaces, Appl. Surf. Sci. 254, 2720 (2008).
  71. H. von Känel, M. Bollani, M. Bonfanti, D. Chrastina, D. Colombo, A. Dommann, M. Guzzi, G. Isella, A. Miranda, E. Müller, A. Neels, J. Osmond, B. Rössner, R. Sordan, and F. Traversi: Epitaxial Si-Ge heterostructures and nanostructures for optical and electrical applications.In Proceedings of the 2nd Conference on Nanostructures (NS2008) (2008).
  72. D. Colombo, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, S. Marchionna, M. Bonfanti, A. Fedorov, H. von Känel, G. Isella, and E. Müller: Analysis of strain relaxation by microcracks in epitaxial GaAs grown on Ge/Si substrates, J. Appl. Phys. 101, 103519 (2007).
  73. B. Rössner, H. von Känel, D. Chrastina, G. Isella, and B. Batlogg: Effective mass measurement: the influence of hole band nonparabolicity in SiGe/Ge quantum wells, Semicond. Sci. Technol. 22, S191 (2007).
  74. G. Isella, J. Osmond, M. Kummer, R. Kaufmann, and H. von Känel: Heterojunction photodiodes fabricated from Ge/Si (100) layers grown by low-energy plasma-enhanced CVD, Semicond. Sci. Technol. 22, S26 (2007).
  75. F. Pezzoli, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Strain-induced shift of phonon modes in Si1-xGex alloys, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 541 (2006).
  76. B. Rössner, B. Batlogg, H. von Känel, D. Chrastina, and G. Isella: Hole band nonparabolicity and effective mass measurement in p-SiGe/Ge heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 777 (2006).
  77. A. Virtuani, S. Marchionna, M. Acciarri, G. Isella, and H. von Kaenel: Electron-beam-induced current imaging for the characterisation of structural defects in Si1-xGex films grown by LE-PECVD, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 798 (2006).
  78. G. Katsaros, A. Rastelli, M. Stoffel, G. Costantini, O. G. Schmidt, K. Kern, J. Tersoff, E. Müller, and H. von Känel: Evolution of buried semiconductor nanostructures and origin of stepped surface mounds during capping, Appl. Phys. Lett. 89, 253105 (2006).
  79. G. Katsaros, A. Rastelli, M. Stoffel, G. Isella, H. von Känel, A. M. Bittner, J. Tersoff, U. Denker, O. G. Schmidt, G. Costantini, and K. Kern: Investigating the lateral motion of SiGe islands by selective chemical etching, Surf. Sci. 600, 2608 (2006).
  80. S. Marchionna, A. Virtuani, M. Acciarri, G. Isella, and H. von Kaenel: Defect imaging of SiGe strain relaxed buffers grown by LEPECVD, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 802 (2006).
  81. D. Colombo, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, A. Fedorov, H. von Känel, and G. Isella: Study of thermal strain relaxation in GaAs grown on Ge/Si substrates, J. Lumin. 121, 375 (2006).
  82. S. Pizzini, M. Acciarri, S. Binetti, D. Cavalcoli, A. Cavallini, D. Chrastina, L. Colombo, E. Grilli, G. Isella, M. Lancin, A. Le Donne, A. Mattoni, K. Peter, B. Pichaud, E. Poliani, M. Rossi, S. Sanguinetti, M. Texier, and H. von Känel: Nanocrystalline silicon films as multifunctional material for optoelectronic and photovoltaic applications, Mat. Sci. Eng. B 134, 118 (2006).
  83. R. Sordan, A. Miranda, J. Osmond, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Logic gates with a single Hall bar heterostructure, Appl. Phys. Lett. 89, 152122 (2006).
  84. B. Rössner, H. von Känel, D. Chrastina, G. Isella, and B. Batlogg: 2-D hole gas with two-subband occupation in a strained Ge channel: Scattering mechanisms, Thin Solid Films 508, 351 (2006).
  85. R. Ginige, B. Corbett, M. Modreanu, C. Barrett, J. Hilgarth, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Characterization of Ge-on-Si virtual substrates and single junction GaAs solar cells, Semicond. Sci. Technol. 21, 775 (2006).
  86. A. Cattoni, R. Bertacco, M. Riva, M. Cantoni, F. Ciccacci, H. von Känel, and G. J. Norga: Effect of Ba termination layer on chemical and electrical passivation of Ge (100) surfaces, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 701 (2006).
  87. A. Rastelli, M. Stoffel, G. Katsaros, J. Tersoff, U. Denker, T. Merdzhanova, G. S. Kar, G. Costantini, K. Kern, H. von Känel, and O. G. Schmidt: Reading the footprints of strained islands, Microelectronics J. 37, 1471 (2006).
  88. S. Tsujino, H. Sigg, G. Mussler, D. Chrastina, and H. von Känel: Photocurrent and transmission spectroscopy of direct-gap interband transitions in Ge/SiGe quantum wells, Appl. Phys. Lett. 89, 262119 (2006).
  89. A. R. Khan, K. Mundboth, J. Stangl, G. Bauer, H. von Känel, A. Federov, G. Isella, and D. Colombo: X-ray investigation of thick epitaxial GaAs/InGaAs layers on Ge pseudosubstrates.In IEEE International Conference on Emerging Technologies (2005).
  90. B. Rössner, H. von Känel, D. Chrastina, G. Isella, and B. Batlogg: Electron-electron interaction in p-SiGe/Ge quantum wells, Mat. Sci. Eng. B 124--125, 184 (2005).
  91. F. Pezzoli, L. Martinelli, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, M. Bollani, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Raman spectroscopy of Si1-xGex epilayers, Mat. Sci. Eng. B 124--125, 127 (2005).
  92. I. Sagnes, Y. Chriqui, G. Saint-Girons, S. Bouchoule, D. Bensahel, O. Kermarrec, G. Isella, and H. von Kaenel: InGaAs/GaAs sources monolithically grown by MOVPE on Ge/Si substrates.In IEEE 2nd Int. Conf. Group IV Photonics, 207--209 (2005).
  93. D. Chrastina, B. Rössner, G. Isella, H. von Känel, J. P. Hague, T. Hackbarth, H.-J. Herzog, K.-H. Hieber, and U. König: LEPECVD -- a production technique for SiGe MOSFETs and MODFETs.In E. Zschech, C. Whelan, and T. Mikolajick (eds.), Materials for Information Technology, 17--29. Springer (2005).
  94. G. Gabetta, C. Flores, R. Campesato, C. Casale, G. Timó, G. Smekens, J. Vanbegin, H. von Kanel, and G. Isella: SJ and TJ GaAs concentrator solar cells on Si virtual wafers.In Conference Record of the Thirty-first IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 850--853 (2005).
  95. D. Chrastina, G. Isella, M. Bollani, B. Rössner, E. Müller, T. Hackbarth, E. Wintersberger, Z. Zhong, J. Stangl, and H. von Känel: Thin relaxed SiGe virtual substrates grown by low--energy plasma--enhanced chemical vapor deposition, J. Cryst. Growth 281, 281 (2005).
  96. Y. Chriqui, G. Saint-Girons, G. Isella, H. von Kaenel, S. Bouchoule, and I. Sagnes: Long wavelength room temperature laser operation of a strained InGaAs/GaAs quantum well structure monolithically grown by metalorganic chemical vapour deposition on a low energy-plasma enhanced chemical vapour deposition graded misoriented Ge/Si virtual substrate, Opt. Mater. 27, 846 (2005).
  97. M. Acciarri, S. Binetti, M. Bollani, A. Comotti, L. Fumagalli, S. Pizzini, and H. von Känel: Nanocrystalline silicon film grown by LEPECVD for photovoltaic applications, Sol. Energ. Mat. Sol. C. 87, 11 (2005).
  98. S. Binetti, M. Acciarri, M. Bollani, L. Fumagalli, H. von Känel, and S. Pizzini: Nanocrystalline silicon film grown by Low Energy Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition for optoelectronic applications, Thin Solid Films 487, 19 (2005).
  99. G. Costantini, A. Rastelli, C. Manzano, P. Acosta-Diaz, G. Katsaros, R. Songmuang, O. G. Schmidt, H. von Känel, and K. Kern: Pyramids and domes in the InAs/GaAs(001) and Ge/Si(001) systems, J. Cryst. Growth 278, 38 (2005).
  100. G. Nicholas, T. J. Grasby, E. H. C. Parker, T. E. Whall, D. J. Paul, A. G. R. Evans, and H. von Känel: Investigation of the injection velocity of holes in strained Si pMOSFETs, Semicond. Sci. Technol. 20, L20 (2005).
  101. H. von Känel, D. Chrastina, B. Rössner, G. Isella, J. P. Hague, and M. Bollani: High mobility SiGe heterostructures fabricated by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition, Microelectron. Eng. 76, 278 (2004).
  102. A. Marzegalli, F. Montalenti, M. Bollani, L. Miglio, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Relaxed SiGe heteroepitaxy on Si with very thin buffer layers: experimental LEPECVD indications and an interpretation based on strain-dependent dislocation nature, Microelectron. Eng. 76, 289 (2004).
  103. D. Chrastina, G. Isella, B. Rössner, M. Bollani, E. Müller, T. Hackbarth, and H. von Känel: High quality SiGe electronic material grown by low energy plasma enhanced chemical vapour deposition, Thin Solid Films 459, 37 (2004).
  104. F. Sánchez-Almazán, E. Napolitani, A. Carnera, A. V. Drigo, M. Berti, J. Stangl, Z. Zhong, G. Bauer, G. Isella, and H. von Känel: Ge quantification of high Ge content relaxed buffer layers by RBS and SIMS, Nucl. Instrum. Methods Phys. Rev. B 226, 301 (2004).
  105. F. Sánchez-Almazán, E. Napolitani, A. Carnera, A. V. Drigo, G. Isella, H. von Känel, and M. Berti: Matrix effects in sims depth profiles of sige relaxed buffer layers, Appl. Surf. Sci. 231-232, 704 (2004).
  106. G. Isella, D. Chrastina, B. Rössner, T. Hackbarth, H.-J. Herzog, U. König, and H. von Känel: Low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition for strained Si and Ge heterostructures and devices, Solid State Electron. 48, 1317 (2004).
  107. M. Enciso Aguilar, M. Rodriguez, N. Zerounian, F. Aniel, T. Hackbarth, H.-J. Herzog, U. König, S. Mantl, B. Holländer, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, K. Lyutovich, and M. Oehme: Strained Si HFETs for microwave applications: state-of-the-art and further approaches, Solid State Electron. 48, 1443 (2004).
  108. B. Rössner, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Scattering mechanisms in high-mobility strained Ge channels, Appl. Phys. Lett. 84, 3058 (2004).
  109. L. Martinelli, A. Marzegalli, P. Raiteri, M. Bollani, F. Montalenti, L. Miglio, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Formation of strain-induced Si-rich and Ge-rich nanowires at misfit dislocations in SiGe: A model supported by photoluminescence data, Appl. Phys. Lett. 84, 2895 (2004).
  110. M. Bollani, E. Müller, G. Isella, S. Signoretti, D. Chrastina, and H. von Känel: Dislocation density and structure in Si1-xGex buffer layers deposited by LEPECVD, Inst. Phys. Conf. Ser. 180, 247 (2004).
  111. G. Costantini, A. Rastelli, C. Manzano, R. Songmuang, O. G. Schmidt, K. Kern, and H. von Känel: Universal shapes of self-organized semiconductor quantum dots: Striking similarities between InAs/GaAs(001) and Ge/Si(001), Appl. Phys. Lett. 85, 5673 (2004).
  112. T. Hackbarth, H.-J. Herzog, K.-H. Hieber, U. König, S. Mantl, B. Holländer, S. Lenk, H. von Känel, M. Enciso, F. Aniel, and L. Giguerre: Strained silicon FETs on thin SiGe virtual substrates produced by He implantation: effect of reduced self-heating on DC and RF performance, Solid State Electron. 48, 1921 (2004).
  113. F. Montalenti, P. Raiteri, D. B. Migas, H. von Känel, A. Rastelli, C. Manzano, G. Costantini, U. Denker, O. G. Schmidt, K. Kern, and L. Miglio: Atomic-scale pathway of the pyramid-to-dome transition during Ge growth on Si(001), Phys. Rev. Lett. 93, 216102 (2004).
  114. H. L. Seng, M. B. H. Breese, F. Watt, M. Kummer, and H. von Känel: Characterization of thick graded Si1-xGex/Si layers grown by low energy plasma enhanced chemical vapour deposition, Nucl. Instrum. Methods Phys. Rev. B 215, 235 (2004).
  115. Y. Chriqui, G. Saint-Girons, S. Bouchoule, J.-M. Moisons, G. Isella, H. von Kaenel, and I. Sagnes: Room temperature laser operation of strained InGaAs/GaAs structure monolithically grown by MOCVD on LE-PECVD Ge/Si virtual substrate, Electron. Lett. 39, 1658 (2003).
  116. S. G. Thomas, S. Bharatan, R. E. Jones, R. Thoma, T. Zirkle, N. V. Edwards, R. Liu, X. D. Wang, Q. Xie, C. Rosenblad, J. Ramm, G. Isella, and H. von Känel: Structural characterization of thick, high-quality epitaxial Ge on Si substrates grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition, J. Electron. Mater. 32, 976 (2003).
  117. P. Abele, M. Zeuner, I. Kallfass, J. Müller, H. L. Hiwilepo, T. Hackbarth, D. Chrastina, H. von Känel, U. König, and H. Schumacher: 32 GHz MMIC distributed amplifier based on N-channel SiGe MODFETs, Electron. Lett. 39, 1448 (2003).
  118. M. Bollani, E. Müller, S. Signoretti, C. Beeli, G. Isella, M. Kummer, and H. von Känel: Compressively strained Ge channels on relaxed SiGe buffer layers, Mat. Sci. Eng. B 101, 102 (2003).
  119. B. Rößner, G. Isella, and H. von Känel: Effective mass in remotely doped Ge quantum wells, Appl. Phys. Lett. 82, 754 (2003).
  120. M. Enciso-Aguilar, F. Aniel, P. Crozat, R. Adde, H.-J. Herzog, T. Hackbarth, U. König, and H. von Känel: DC and high frequency performance of 0.1μm n-type Si/Si0.6Ge0.4 MODFET with fMAX=188GHz at 300 K and fMAX=230GHz at 50K.Electron. Lett. 39, 149 (2003).
  121. E. Müller, O. Kirfel, A. Rastelli, H. von Känel, and D. Grutzmacher: Successful shape-preservation of Ge-clusters during Si-coverage at low temperature, Mat. Sci. Eng. B 101, 142 (2003).
  122. J. Ramm and H. von Känel: Novel high-throughput plasma enhanced growth of SiGe in a 200mm/300mm single wafer cluster tool, IEICE T. Electron. E86-C, 1935 (2003).
  123. A. Rastelli, H. von Känel, G. Albini, P. Raiteri, D. B. Migas, and L. Miglio: Morphological and compositional evolution of the Ge/Si(001) surface during exposure to a Si flux, Phys. Rev. Lett. 90, 216104 (2003).
  124. A. Rastelli and H. von Känel: Island formation and faceting in the SiGe/Si(001) system, Surf. Sci. 532--535, 769 (2003).
  125. A. Rastelli, H. V. Känel, B. J. Spencer, and J. Tersoff: Prepyramid-to-pyramid transition of SiGe islands on Si(001), Phys. Rev. B 68, 115301 (2003).
  126. M. Zeuner, T. Hackbarth, M. Enciso-Aguilar, F. Aniel, and H. von Känel: Sub-100 nm gate technologies for Si/SiGe-buried-channel RF devices, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 2363 (2003).
  127. R. E. Jones, S. G. Thomas, S. Bharatan, R. Thoma, C. Jasper, T. Zirkle, N. V. Edwards, R. Liu, X. D. Wang, Q. Xie, C. Rosenblad, J. Ramm, G. Isella, H. von Känel, J. Oh, and J. C. C. Campbell: Fabrication and modeling of gigahertz photodetectors in heteroepitaxial Ge-on-Si using a graded buffer layer deposited by low energy plasma enhanced CVD.In Electron Devices Meeting (IEDM) 2002, International, 793--796 (2002).
  128. H. von Känel, M. Kummer, G. Isella, E. Müller, and T. Hackbarth: Very high hole mobilities in modulation-doped Ge quantum wells grown by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition, Appl. Phys. Lett. 80, 2922 (2002).
  129. T. Hackbarth and H. von Känel: HEMTs on LEPECVD-grown virtual SiGe substrates, III-Vs Review 15, 48 (2002).
  130. M. Kummer, C. Rosenblad, A. Dommann, T. Hackbarth, G. Höck, M. Zeuner, E. Müller, and H. von Känel: Low energy plasma enhanced chemical vapor deposition, Mat. Sci. Eng. B 89, 288 (2002).
  131. T. Mack, T. Hackbarth, U. Seiler, H.-J. Herzog, H. von Känel, M. Kummer, J. Ramm, and R. Sauer: Si/SiGe FETs grown by MBE on a LEPECVD grown virtual substrate, Mat. Sci. Eng. B 89, 368 (2002).
  132. P. Raiteri, D. B. Migas, L. Miglio, A. Rastelli, and H. von Känel: Critical role of the surface reconstruction in the thermodynamic stability of {105} Ge pyramids on Si(001), Phys. Rev. Lett. 88, 256103 (2002).
  133. A. Rastelli and H. von Känel: Surface evolution of faceted islands, Surf. Sci. 515, L493 (2002).
  134. J. Tersoff, B. J. Spencer, A. Rastelli, and H. von Känel: Barrierless formation and faceting of SiGe islands on Si(001), Phys. Rev. Lett. 89, 196104 (2002).
  135. T. Hackbarth and H. von Känel: Virtual SiGe substrates - high electron mobility transistors on LEPECVD grown virtual SiGe substrates, Chip July 2001, 29 (2001).
  136. A. Rastelli, M. Kummer, and H. von Känel: Reversible shape evolution of Ge islands on Si(001), Phys. Rev. Lett. 87, 256101 (2001).
  137. T. Hackbarth, H.-J. Herzog, M. Zeuner, G. Höck, E. A. Fitzgerald, M. Bulsara, C. Rosenblad, and H. von Känel: Alternatives to thick MBE-grown relaxed SiGe buffers, Thin Solid Films 369, 148 (2000).
  138. G. Höck, E. Kohn, C. Rosenblad, H. von Känel, H.-J. Herzog, and U. König: High hole mobility in Si0.17Ge0.83 channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition, Appl. Phys. Lett. 76, 3920 (2000).
  139. M. Klemenc, T. Meyer, and H. von Känel: Si surface band gap shift on top of buried Ge quantum dots, Appl. Surf. Sci. 166, 268 (2000).
  140. M. Kummer, B. Vögeli, T. Meyer, and H. von Känel: dA Steps and 2D Islands of Double Layer Height in the SiGe(001) System.Phys. Rev. Lett. 84, 107 (2000).
  141. T. Meyer, D. Migas, L. Miglio, and H. von Känel: Electron and hole focusing in CoSi2/Si(111) observed by ballistic electron emission microscopy, Phys. Rev. Lett. 85, 1520 (2000).
  142. C. Rosenblad, J. Stangl, E. Müller, G. Bauer, and H. von Känel: Strain relaxation of graded SiGe buffers grown at very high rates, Mat. Sci. Eng. B 71, 20 (2000).
  143. C. Rosenblad, H. von Känel, M. Kummer, A. Dommann, and E. Müller: A plasma process for ultrafast deposition of SiGe graded buffer layers, Appl. Phys. Lett. 76, 427 (2000).
  144. C. Rosenblad, M. Kummer, A. Dommann, E. Müller, M. Gusso, L. Tapfer, and H. von Känel: Virtual substrates for the n- and p-type Si-MODFET grown at very high rates, Mat. Sci. Eng. B 74, 113 (2000).
  145. H. von Känel, C. Rosenblad, M. Kummer, E. Müller, T. Graf, and T. Hackbarth: Fast deposition process for graded SiGe buffer layers, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 2050 (2000).
  146. T. Meyer, M. Klemenc, and H. von Känel: Surface electronic structure modifications due to buried quantum dots, Phys. Rev. B 60, R8493 (1999).
  147. C. Rosenblad, H. R. Deller, and H. von Känel: Influence of hydrogen desorption on the generation of defects in LEPECVD, Mat. Sci. Eng. B 58, 76 (1999).
  148. E. Mateeva, H. R. Deller, U. Kafader, C. Rosenblad, H. von Känel, and A. Dommann: Epitaxial growth of Si by low-energy DC-plasma chemical vapor deposition, J. Mater. Sci. Lett. 17, 1545 (1998).
  149. T. Meyer, H. Sirringhaus, and H. von Känel: Studying interfaces on a nm scale by BEEM, Thin Solid Films 318, 195 (1998).
  150. C. Rosenblad, H. R. Deller, A. Dommann, T. Meyer, P. Schroeter, and H. von Känel: Silicon epitaxy by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2785 (1998).
  151. C. Rosenblad, T. Graf, J. Stangl, Y. Zhuang, G. Bauer, J. Schulze, and H. von Känel: Epitaxial growth at high rates by LEPECVD, Thin Solid Films 336, 89 (1998).
  152. C. Rosenblad, H. R. Deller, T. Graf, E. Müller, and H. von Känel: Low temperature epitaxial growth by LEPECVD, J. Cryst. Growth 188, 125 (1998).
  153. C. Rosenblad, T. Graf, A. Dommann, and H. von Känel: Low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition.In Epitaxy and Applications of Si-Based Heterostructures. Symposium. Mater. Res. Soc, Warrendale, PA, USA (1998).
  154. C. Rosenblad, H. R. Deller, M. Döbeli, E. Müller, and H. von Känel: Low-temperature heteroepitaxy by LEPECVD, Thin Solid Films 318, 11 (1998).
  155. B. Vögeli, S. Zimmermann, and H. von Känel: STM-study of silicon (001) grown by magnetron sputter epitaxy, Thin Solid Films 318, 29 (1998).
  156. T. Meyer and H. von Känel: Study of Interfacial Point Defects by Ballistic Electron Emission Microscopy, Phys. Rev. Lett. 78, 3133 (1997).
  157. P. Sutter, B. Vögeli, E. Müller, H. von Känel, and A. Dommann: Sputter epitaxy of step-graded Si1-xGex/Si(100): evolution of defects and surface morphology, Appl. Surf. Sci. 102, 33 (1996).
  158. U. Kafader, H. Sirringhaus, and H. von Känel: In situ DC-plasma cleaning of silicon surfaces, Appl. Surf. Sci. 90, 297 (1995).
  159. P. Sutter, E. Müller, S. Tao, C. Schwarz, M. Filzmoser, M. Lenz, and H. von Känel: Magnetron sputter epitaxy of Si/Ge heterostructures, J. Cryst. Growth 157, 172 (1995).
  160. H. Sirringhaus, E. Y. Lee, and H. von Känel: Hot carrier scattering at interfacial dislocations observed by ballistic-electron-emission microscopy, Phys. Rev. B 73, 577 (1994).
  161. P. Sutter, U. Kafader, and H. von Känel: Thin film photodetectors grown epitaxially on silicon, Sol. Energ. Mat. Sol. C. 31, 541 (1994).
  162. P. Sutter, C. Schwarz, E. Müller, V. Zelezny, S. Goncalves-Conto, and H. von Känel: Magnetron sputter epitaxy of SimGen/Si(001) strained-layer superlattices, Appl. Phys. Lett. 65, 2220 (1994).
  163. N. Onda, H. Sirringhaus, E. Müller, and H. von Känel: Structural and electronic properties of pseudomorphic FeSi1+x films on Si(111), J. Cryst. Growth 127, 634 (1993).
  164. H. Sirringhaus, N. Onda, E. Müller-Gubler, P. Müller, R. Stalder, and H. von Känel: Phase transition from pseudomorphic FeSi2 to β-FeSi2/Si(111) studied by in situ scanning tunneling microscopy, Phys. Rev. B 47, 10567 (1993).
  165. R. Stalder, H. Sirringhaus, N. Onda, and H. von Känel: Interfacial dislocations detected by scanning tunneling microscopy, Ultramicroscopy 42-44, 781 (1992).
  166. H. Sirringhaus, N. Onda, E. Müller-Gubler, P. Müller, R. Stalder, and H. von Känel: Structural and electronic properties of metastable epitaxial FeSi1+x films on Si(111), Phys. Rev. B 45, 13807 (1993).
  167. H. von Känel and G. Fishman: Evidence for a large correlation length in surface roughness of CoSi2/Si, Phys. Rev. B 45, 3929 (1992).
  168. R. Stalder, H. Sirringhaus, N. Onda, and H. von Känel: Observation of misfit dislocations in epitaxial CoSi2/Si (111) layers by scanning tunneling microscopy, Appl. Phys. Lett. 59, 1960 (1991).
  169. R. Stalder, N. Onda, H. Sirringhaus, H. von Känel, and C. W. T. Bulle-Lieuwma: Surface and interface structure of epitaxial CoSi2 films on Si(111), J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2307 (1991).
  170. H. von Känel, E. Müller, H.-U. Nissen, W. Bacsa, M. Ospelt, K. A. Mäder, R. Stalder, and A. Baldereschi: Silicon heteroepitaxy: interface structure and physical properties, J. Cryst. Growth 111, 889 (1991).
  171. K. A. Mäder, A. Baldereschi, and H. von Känel: Band structure and instability of Ge1-xSnx, Solid State Commun. 69, 1123 (1989).
  172. E. Müller, H.-U. Nissen, M. Ospelt, and H. von Känel: Chemical Ordering and Boundary Structure in Strained-Layer Si-Ge Superlattices, Phys. Rev. Lett. 63, 1819 (1989).
  173. M. Ospelt, W. Bacsa, J. Henz, K. A. Mäder, and H. von Känel: Si/Ge strained-layer superlattices on Si(100), Ge/Si(100) and Si1-xGex/Si(100), Superlattices and Microstructures 5, 71 (1989).
  174. W. Bacsa, H. von Känel, K. A. Mäder, M. Ospelt, and P. Wachter: Inelastic light scattering from strained-layer Si/Ge superlattices, Superlattices and Microstructures 4, 717 (1988).

Copyright © 2010 L-NESS Como

Last updated: 11th July 2016