L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Claudiu Falub

Visiting Researcher

Contact

e-mail:
tel:Como: +39 031 332 7612
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
Italy
office:Via Anzani 1.06
web:pnm.ethz.ch
iri.tudelft.nl

Claudiu Falub

Education

Main Research Interest

Publications

  1. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, A. Marzegalli, D. Chrastina, G. Isella, L. Miglio, A. Dommann, and H. von Känel: Lattice bending in three-dimensional Ge microcrystals studied by X-ray nanodiffraction and modelling, J. Appl. Cryst. 49, 976 (2016).
  2. R. Bergamaschini, M. Salvalaglio, A. Scaccabarozzi, F. Isa, C. V. Falub, G. Isella, H. von Känel, F. Montalenti, and L. Miglio: Temperature-controlled coalescence during the growth of Ge crystals on deeply patterned Si substrates, J. Cryst. Growth 440, 86 (2016).
  3. J. Rozbořil, M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, and H. von Känel: Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction, phys. stat. sol. (a) 213, 463 (2015).
  4. A. G. Taboada, M. Medunňa, M. Salvalaglio, F. Isa, T. Kreiliger, C. V. Falub, E. Barthazy Meier, E. Müller, L. Miglio, G. Isella, and H. von Känel: GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scale, J. Appl. Phys. 119, 055301 (2016).
  5. F. Isa, F. Pezzoli, G. Isella, M. Meduňa, C. V. Falub, E. Müller, T. Kreiliger, A. G. Taboada, H. von Känel, and L. Miglio: Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates, Semicond. Sci. Technol. 30, 105001 (2015).
  6. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, D. Chrastina, T. Kreiliger, G. Isella, and H. von Känel: Reconstruction of crystal shapes by X-ray nanodiffraction from three-dimensional superlattices, J. Appl. Cryst. 47, 2030 (2014).
  7. H. von Känel, F. Isa, C. V. Falub, E. J. Barthazy, E. Müller Gubler, D. Chrastina, G. Isella, T. Kreiliger, A. Gonzalez Taboada, M. Meduna, R. Kaufmann, A. Neels, A. Dommann, P. Niedermann, F. Mancarella, M. Mauceri, M. Puglisi, D. Crippa, F. La Via, R. Anzalone, N. Piluso, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, and L. Miglio: (Invited) Three-dimensional epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC crystals on deeply patterned Si substrates, ECS Transactions 64, 631 (2014).
  8. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Ge crystals on Si show their light, Phys. Rev. App. 1, 044005 (2014).
  9. T. Kreiliger, C. V. Falub, F. Isa, G. Isella, D. Chrastina, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, R. Kaufmann, P. Niedermann, A. Neels, E. Müller, M. Meduňa, A. Dommann, L. Miglio, and H. von Känel: Epitaxial Ge-crystal arrays for X-ray detection, J. Instrumentation 9, C03019 (2014).
  10. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, D. Chrastina, T. Kreiliger, G. Isella, A. G. Taboada, P. Niedermann, and H. von Känel: X-ray nano-diffraction on epitaxial crystals, Quantum Matter 3, 290 (2014).
  11. S. Bietti, A. Scaccabarozzi, C. Frigeri, M. Bollani, E. Bonera, C. V. Falub, H. von Känel, L. Miglio, and S. Sanguinetti: Monolithic integration of optical grade GaAs on Si(001) substrates deeply patterned at a micron scale, Appl. Phys. Lett. 103, 262106 (2013).
  12. A. G. Taboada, T. Kreiliger, C. V. Falub, F. Isa, M. Salvalaglio, L. Wewior, D. Fustor, M. Richter, E. Uccelli, P. Niedermann, A. Neels, F. Mancarella, B. Alén, L. Miglio, A. Dommann, G. Isella, and H. von Känel: Strain relaxation of GaAs/Ge crystals on patterned Si substrates, Appl. Phys. Lett. 104, 022112 (2014).
  13. T. Kreiliger, C. V. Falub, A. G. Taboada, F. Isa, S. Cecchi, R. Kaufmann, P. Niedermann, A. Pezous, S. Mouaziz, A. Dommann, G. Isella, and H. von Känel: Individual heterojunctions of 3D germanium crystals on silicon CMOS for monolithically integrated X-ray detector, phys. stat. sol. (a) 211, 131 (2013).
  14. F. Isa, A. Marzegalli, A. G. Taboada, C. V. Falub, G. Isella, F. Montalenti, H. von Känel, and L. Miglio: Onset of vertical threading dislocations in Si1-xGex/Si (001) at a critical Ge concentration, APL Materials 1, 052109 (2013).
  15. A. G. Taboada, T. Kreiliger, C. V. Falub, M. Richter, F. Isa, E. Müller, E. Uccelli, P. Niedermann, A. Neels, G. Isella, J. Fompeyrine, A. Dommann, and H. von Känel: Integration of GaAs on Ge/Si towers by MOVPE, MRS Proceedings 1538, 283 (2013).
  16. C. V. Falub, T. Kreiliger, F. Isa, A. G. Taboada, M. Meduňa, F. Pezzoli, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, E. Müller, D. Chrastina, G. Isella, A. Neels, P. Niedermann, A. Dommann, L. Miglio, and H. von Känel: 3D heteroepitaxy of mismatched semiconductors on silicon, Thin Solid Films 557, 42 (2014).
  17. R. Bergamaschini, F. Isa, C. V. Falub, P. Niedermann, E. Müller, G. Isella, H. von Känel, and L. Miglio: Self-aligned Ge and SiGe three-dimensional epitaxy on dense Si pillar arrays, Surf. Sci. Rep. 68, 390 (2013).
  18. L. Miglio, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, P. Niedermann, A. Dommann, C. V. Falub, E. Müller, and H. von Känel: “divide et impera” in detector technology, Il Nuovo Saggiatore 29, 7 (2013).
  19. C. V. Falub, M. Meduňa, D. Chrastina, F. Isa, A. Marzegalli, T. Kreiliger, A. G. Taboada, G. Isella, L. Miglio, A. Dommann, and H. von Känel: Perfect crystals grown from imperfect interfaces, Sci. Reports 3, 2276 (2013).
  20. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Germanium crystals on silicon show their light, arXiv.org e-Print archive cond-mat, arXiv:1306.5270 (2013).
  21. A. Marzegalli, F. Isa, H. Groiss, E. Müller, C. V. Falub, A. G. Taboada, P. Niedermann, G. Isella, F. Schäffler, F. Montalenti, H. von Känel, and L. Miglio: Unexpected dominance of vertical dislocations in high-misfit Ge/Si(001) films and their elimination by deep substrate patterning, Adv. Mater. 25, 4408 (2013).
  22. C. V. Falub, T. Kreiliger, A. G. Taboada, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, M. Meduňa, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, E. Bonera, F. Pezzoli, L. Miglio, P. Niedermann, A. Neels, A. Pezous, R. Kaufmann, A. Dommann, and H. von Känel: Three dimensional heteroepitaxy: A new path for monolithically integrating mismatched materials with silicon.In 2012 International Semiconductor Conference (CAS), 45--50 (2012).
  23. C. V. Falub, F. Isa, T. Kreiliger, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, A. G. Taboada, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, P. Niedermann, A. Dommann, A. Neels, A. Pezous, M. Meduňa, L. Miglio, and H. von Känel: Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals.In SiGe Technology and Device Meeting, 2012. ISTDM 2012. (2012).
  24. M. Richter, E. Uccelli, A. G. Taboada, D. Caimi, N. Daix, M. Sousa, C. Marchiori, H. Siegwart, C. V. Falub, H. von Känel, F. Isa, G. Isella, A. Pezous, A. Dommann, P. Niedermann, and J. Fompeyrine: Heterointegration by molecular beam epitaxy: (In,Ga)As/GaAs quantum wells on GaAs, Ge, Ge/Si and Ge/Si pillars, J. Cryst. Growth 378, 109 (2013).
  25. C. V. Falub, H. von Känel, F. Isa, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, P. Niedermann, and L. Miglio: Scaling hetero-epitaxy from layers to three-dimensional crystals, Science 335, 1330 (2012).
  26. R. Hauert, G. Thorwarth, U. Müeller, M. Stiefel, C. V. Falub, K. Thorwarth, and T. J. Joyce: Analysis of the in-vivo failure of the adhesive interlayer for a dlc coated articulating metatarsophalangeal joint, Diam. Relat. Mater. 25, 34 (2012).
  27. C. V. Falub, U. Müeller, G. Thorwarth, M. Parlinska-Wojtan, C. Voisard, and R. Hauert: In vitro studies of the adhesion of diamond-like carbon thin films on CoCrMo biomedical implant alloy, Acta Mater. 59, 4678 (2011).
  28. U. Müeller, C. V. Falub, G. Thorwarth, C. Voisard, and R. Hauert: Diamond-like carbon coatings on a CoCrMo implant alloy: A detailed XPS analysis of the chemical states at the interface, Acta Mater. 59, 1150 (2011).
  29. G. Thorwarth, C. V. Falub, U. Müeller, B. Weisse, C. Voisard, M. Tobler, and R. Hauert: Tribological behavior of DLC-coated articulating joint implants, Acta Biomaterialia 6, 2335 (2010).
  30. C. V. Falub, G. Thorwarth, C. Affolter, U. Müller, C. Voisard, and R. Hauert: A quantitative in vitro method to predict the adhesion lifetime of diamond-like carbon thin films on biomedical implants, Acta Biomaterialia 5, 3086 (2009).
  31. P. Rauter, T. Fromherz, C. Falub, D. Grützmacher, and G. Bauer: SiGe quantum well infrared photodetectors on pseudosubstrate, Appl. Phys. Lett. 94, 081115 (2009).
  32. M. Meduňa, J. Novák, G. Bauer, C. V. Falub, and D. Grützmacher: Interdiffusion in SiGe alloys with Ge contents of 25% and 50% studied by X-ray reflectivity, phys. stat. sol. (a) 205, 2441 (2008).
  33. M. Shi, M. C. Falub, P. R. Willmott, J. Krempasky, R. Herger, L. Patthey, K. Hricovini, C. V. Falub, and M. Schneider: The electronic structure of La1-xSrxMnO3 thin films and its tc dependence as studied using angle-resolved photoemission.J. Phys. Condens. Matt. 20, 222001 (2008).
  34. C. V. Falub, A. Karimi, M. Ante, and W. Kalss: Interdependence between stress and texture in arc evaporated Ti-Al-N thin films, Surf. Coat. Technol. 201, 5891 (2007).
  35. C. V. Falub, A. Karimi, F. Fontaine, and W. Kalss: Fiber texture dependence of the anisotropic residual stress state induced by lattice distortion in arc-evaporated Ti-Al-N thin films, Rev. Adv. Mater. Sci. 15, 105 (2007).
  36. M. Grydlik, P. Rauter, T. Fromherz, C. Falub, D. Gruetzmacher, G. Isella, and G. Bauer: Resonator fabrication for switchable two-color MIR detectors based on p-type SiGe quantum cascade injectors, AIP Conf. Proc. 893, 1411 (2007).
  37. M. Meduňa, J. Novák, G. Bauer, V. Holý, C. V. Falub, S. Tsujino, and D. Grützmacher: In situ investigations of Si and Ge interdiffusion in Ge-rich Si/SiGe multilayers using x-ray scattering, Semicond. Sci. Technol. 22, 447 (2007).
  38. U. Gennser, M. Scheinert, L. Diehl, S. Tsujino, A. Borak, C. V. Falub, D. Grützmacher, A. Weber, D. K. Maude, G. Scalari, Y. Campidelli, O. Kermarrec, and D. Bensahel: Total angular momentum conservation during tunnelling through semiconductor barriers, Europhys. Lett. 74, 882 (2006).
  39. M. Grydlik, P. Rauter, T. Fromherz, G. Bauer, C. Falub, D. Gruetzmacher, and G. Isella: Resonator fabrication for cavity enhanced, tunable Si/Ge quantum cascade detectors, Physica E 32, 313 (2006).
  40. C. V. Falub, M. Meduña, E. Müller, S. Tsujino, A. Borak, H. Sigg, D. Grützmacher, T. Fromherz, and G. Bauer: Structural studies of strain-symmetrised modulation-doped Si/SiGe structures grown by molecular beam epitaxy, J. Cryst. Growth 278, 495 (2005).
  41. T. Fromherz, M. Meduňa, G. Bauer, A. Borak, C. V. Falub, S. Tsujino, H. Sigg, and D. Grützmacher: Intersubband absorption of strain-compensated Si1-xGex valence-band quantum wells with 0.7<= x<=0.85.J. Appl. Phys. 98, 044501 (2005).
  42. D. Grützmacher, S. Tsujino, C. Falub, A. Borak, L. Diehl, E. Müller, H. Sigg, U. Gennser, T. Fromherz, M. Meduňa, G. Bauer, J. Faist, and O. Kermarrec: Transport and absorption in strain-compensated Si/Si1-xGex multiple quantum well and cascade structures deposited on Si0.5Ge0.5 pseudosubstrates, Mat. Sci. Semicond. Process. 8, 401 (2005).
  43. H. Sigg, C. V. Falub, E. Müller, A. Borak, D. Grützmacher, T. Fromherz, M. Meduna, and O. Kermarrec: Bandstructure analysis of strain compensated Si/SiGe quantum cascade structures, Opt. Mater. 27, 841 (2005).
  44. S. Tsujino, A. Borak, C. Falub, T. Fromherz, L. Diehl, H. Sigg, and D. Grützmacher: Intra-valence-band mixing in strain-compensated SiGe quantum wells, Phys. Rev. B 72, 153315 (2005).
  45. S. Tsujino, A. Borak, C. Falub, T. Fromherz, L. Diehl, H. Sigg, and D. Grützmacher: Interface-roughness-induced broadening of intersubband electroluminescence in p-SiGe and n-GaInAs/AlInAs quantum-cascade structures, Appl. Phys. Lett. 86, 062113 (2005).
  46. M. Meduňa, J. Novák, G. Bauer, V. Holý, C. V. Falub, S. Tsujino, E. Müller, D. Grützmacher, Y. Campidelli, O. Kermarrec, and D. Bensahel: Annealing studies of high Ge composition Si/SiGe multilayers, Z. Kristallogr. 219, 195 (2004).
  47. S. Tsujino, C. V. Falub, E. Müller, M. Scheinert, L. Diehl, U. Gennser, T. Fromherz, A. Borak, H. Sigg, D. Grützmacher, Y. Campidelli, O. Kermarrec, and D. Bensahel: Hall mobility of narrow Si0.2Ge0.8--Si quantum wells on Si0.5Ge0.5 relaxed buffer substrates, Appl. Phys. Lett. 84, 2829 (2004).
  48. P. R. Willmott, R. Herger, M. C. Falub, L. Patthey, M. Dobeli, C. V. Falub, M. Shi, and M. Schneider: Pulsed laser deposition of atomically flat La1-xSrxMnO3 thin films using a novel target geometry, Appl. Phys. A 79, 1199 (2004).
  49. A. Borak, S. Tsujino, L. Diehl, A. Weber, S. Stutz, C. V. Falub, H. Sigg, and D. Grützmacher: Intersubband absorption in SiGe quantum wells, PSI scientific reports 2003, 124 (2003).
  50. A. Borak, S. Tsujino, L. Diehl, C. V. Falub, A. Weber, S. Stutz, H. Sigg, D. Grützmacher, and T. Fromherz: Intersubband absorption in SiGe quantum wells, PSI scientific reports 2003, 121 (2003).
  51. L. Diehl, A. Borak, H. Sigg, C. V. Falub, M. Scheinert, E. Müller, S. Tsujino, D. Grützmacher, J. Faist, U. Gennser, D. Maude, I. Sagnes, Y. Campidelli, O. Kermarrec, and D. Bensahel: Resonant tunneling of holes in strain compensated Si/SiGe quantum structures, PSI scientific reports 2003, 123 (2003).
  52. C. V. Falub, E. Müller, D. Grützmacher, A. Borak, S. Tsujino, B. Schmitt, B. Patterson, H. Sigg, M. Meduña, T. Fromherz, G. Bauer, Y. Campidelli, O. Kermarrec, and D. Bensahel: High Ge content Si/SiGe multiple quantum well structures grown by molecular beam epitaxy, PSI scientific reports 2003, 120 (2003).
  53. C. V. Falub, S. Tsujino, E. Müller, H. Sigg, D. Grützmacher, M. Meduña, G. Bauer, Y. Campidelli, O. Kermarrec, and D. Bensahel: Thermal diffusion processes in strain symmetrized Si/Si0.2Ge0.8 superlattices, PSI scientific reports 2003, 118 (2003).
  54. C. V. Falub, S. Tsujino, S. Stutz, A. Weber, E. Müller, H. Sigg, D. Grützmacher, M. Meduña, G. Bauer, Y. Campidelli, O. Kermarrec, and D. Bensahel: Impact of dislocations on diffraction patterns of Si/SiGe superlattices grown on SiGe relaxed buffer layers, PSI scientific reports 2003, 117 (2003).
  55. S. Tsujino, A. Weber, A. Borak, L. Diehl, M. Scheinert, H. Sigg, C. V. Falub, D. Grützmacher, S. Blunier, and J. Faist: Development of low-optical loss ridge waveguide Si/SiGe quantum cascade emitters, PSI scientific reports 2003, 125 (2003).
  56. S. Tsujino, A. Borak, C. V. Falub, E. Müller, M. Scheinert, L. Diehl, H. Sigg, D. Grützmacher, U. Gennser, T. Fromherz, J. Faist, Y. Campidelli, O. Kermarrec, and D. Bensahel: Effect of interface roughness in Si/SiGe quantum structures, PSI scientific reports 2003, 122 (2003).
  57. S. Tsujino, C. V. Falub, A. Weber, B. Haas, and D. Grützmacher: Vertical transport in strain compensated Si/SiGe superlattices, PSI scientific reports 2003, 119 (2003).

Copyright © 2010 L-NESS Como

Last updated: 11th July 2016