L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Alexey Fedorov

Researcher

Contact

e-mail:
tel:Como: +39 031 332 7613
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
Italy
office:Via Anzani 1.03

Alexey Fedorov

Main Research Interest

Publications

  1. D. Scarpellini, C. Somaschini, A. Fedorov, S. Bietti, C. Frigeri, V. Grillo, L. Esposito, M. Salvalaglio, A. Marzegalli, F. Montalenti, E. Bonera, P. G. Medaglia, and S. Sanguinetti: InAs/GaAs sharply defined axial heterostructures in self-assisted nanowires, Nano Lett. 15, 3677 (2015).
  2. E. M. Sala, M. Bollani, S. Bietti, A. Fedorov, L. Esposito, and S. Sanguinetti: Ordered array of Ga droplets on GaAs(001) by local anodic oxidation, J. Vac. Sci. Technol. B 32, 061206 (2014).
  3. S. Bietti, S. Cecchi, C. Frigeri, E. Grilli, A. Fedorov, A. Vinattieri, M. Gurioli, G. Isella, and S. Sanguinetti: Fabrication of Ge-on-Si substrates for the integration of high-quality GaAs nanostructures on Si, ECS Transactions 50, 783 (2013).
  4. L. Cavigli, S. Bietti, M. Abbarchi, C. Somaschini, A. Vinattieri, M. Gurioli, A. Fedorov, G. Isella, E. Grilli, and S. Sanguinetti: Fast emission dynamics in droplet epitaxy GaAs ring-disk nanostructures integrated on Si, J. Phys. Condens. Matt. 24, 104017 (2012).
  5. S. Bietti, L. Cavigli, M. Abbarchi, A. Vinattieri, M. Gurioli, A. Fedorov, S. Cecchi, F. Isa, G. Isella, and S. Sanguinetti: High quality GaAs quantum nanostructures grown by droplet epitaxy on Ge and Ge-on-Si substrates, phys. stat. sol. (c) 9, 202 (2012).
  6. C. Somaschini, S. Bietti, A. Fedorov, N. Koguchi, and S. Sanguinetti: Outer zone morphology in GaAs ring/disk nanostructures by droplet epitaxy, J. Cryst. Growth 323, 279 (2011).
  7. C. Somaschini, S. Bietti, A. Fedorov, N. Koguchi, and S. Sanguinetti: Growth interruption effect on the fabrication of GaAs concentric multiple rings by droplet epitaxy, Nanoscale Res. Lett. 5, 1897 (2010).
  8. C. Somaschini, S. Bietti, A. Fedorov, N. Koguchi, and S. Sanguinetti: Concentric multiple rings by droplet epitaxy: Fabrication and study of the morphological anisotropy, Nanoscale Res. Lett. 5, 1865 (2010).
  9. M. Bollani, D. Chrastina, A. Fedorov, R. Sordan, A. Picco, and E. Bonera: Ge-rich islands grown on patterned Si substrates by low-energy plasma-enhanced chemical vapour deposition, Nanotechnology 21, 475302 (2010).
  10. M. Bollani, E. Bonera, D. Chrastina, A. Fedorov, V. Montuori, A. Picco, A. Tagliaferri, G. Vanacore, and R. Sordan: Ordered arrays of SiGe islands from low-energy PECVD, Nanoscale Res. Lett. 5, 1917 (2010).
  11. S. Bietti, C. Somaschini, E. Sarti, N. Koguchi, S. Sanguinetti, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Photoluminescence study of low thermal budget III--V nanostructures on silicon by droplet epitaxy, Nanoscale Res. Lett. 5, 1650 (2010).
  12. S. Bietti, C. Somaschini, S. Sanguinetti, N. Koguchi, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Low thermal budget fabrication of III-V quantum nanostructures on Si substrates, J. Phys. Conf. Ser. 245, 012078 (2010).
  13. C. Somaschini, S. Bietti, S. Sanguinetti, N. Koguchi, and A. Fedorov: Self-assembled GaAs/AlGaAs coupled quantum ring-disk structures by droplet epitaxy, Nanotechnology 21, 125601 (2010).
  14. M. Bollani, D. Chrastina, A. Fedorov, G. Isella, and R. Sordan: Patterning of Si substrates for Ge/Si(001) islands grown by low-energy plasma enhanced CVD, Proc. SPIE Nanotechnology IV 7364, 7364 0I (2009).
  15. S. Bietti, S. Sanguinetti, C. Somaschini, N. Koguchi, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Fabrication of GaAs quantum dots by droplet epitaxy on Si/Ge virtual substrate, IOP Conf. Ser.: Mat. Sci. Eng. 6, 012009 (2009).
  16. C. Somaschini, S. Bietti, S. Sanguinetti, N. Koguchi, A. Fedorov, M. Abbarchi, and M. Gurioli: Fabrication of GaAs concentric multiple quantum rings by droplet epitaxy, IOP Conf. Ser.: Mat. Sci. Eng. 6, 012008 (2009).
  17. D. Colombo, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, S. Marchionna, M. Bonfanti, A. Fedorov, H. von Känel, G. Isella, and E. Müller: Analysis of strain relaxation by microcracks in epitaxial GaAs grown on Ge/Si substrates, J. Appl. Phys. 101, 103519 (2007).
  18. A. S. Ilin, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, and A. A. Fedorov: X-ray spherical wave scattering patterns of the epitaxial Si/GeSi/Si (001) heterosystem, J. Surface Investigation 1, 265 (2001).
  19. D. Colombo, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, A. Fedorov, H. von Känel, and G. Isella: Study of thermal strain relaxation in GaAs grown on Ge/Si substrates, J. Lumin. 121, 375 (2006).
  20. A. A. Fedorov, E. M. Trukhanov, A. P. Vasilenko, A. V. Kolesnikov, and M. A. Revenko: X-ray interference topography investigation of Si/GexSi1-xSi(001) heterosystem, J. Phys. D 36, A44 (2003).
  21. A. A. Fedorov, M. A. Revenko, E. M. Truchanov, S. I. Romanov, A. A. Karanovich, V. V. Kirienko, M. A. Lamin, O. P. Pchelyakov, L. V. Sokolov, and A. K. Gutakovsky: Interference effects in the epitaxial silicon / porous silicon / silicon system in x-ray topography, Surface Invest. 16, 589 (2001).
  22. A. V. Kolesnikov, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, L. V. Sokolov, A. A. Fedorov, O. P. Pchelyakov, and S. I. Romanov: Investigation of the atomic crystal plane relief by x-ray epitaxial film interferometer, Appl. Surf. Sci. 166, 82 (2000).
  23. E. M. Truchanov, M. A. Revenko, R. M. Amirzhanov, A. A. Fedorov, A. V. Kolesnikov, S. G. Nikitenko, and A. P. Vasilenko: Diffraction method for structure investigations of semiconductor heterosystems using synchrotron variable wavelength, Nucl. Instrum. Methods Phys. Rev. A 448, 282 (2000).
  24. A. P. Vasilenko, A. V. Kolesnikov, S. G. Nikitenko, M. A. Revenko, L. V. Sokolov, A. A. Fedorov, and E. M. Truchanov: Distortions of the crystal lattice in epitaxial nanostructures, Surface Invest. 16, 1455 (2001).
  25. A. P. Vasilenko, A. V. Kolesnikov, S. G. Nikitenko, A. A. Fedorov, L. V. Sokolov, A. I. Nikiforov, and E. M. Truchanov: X-ray film interferometer as an instrument for semiconductor heterostructure investigation, Nucl. Instrum. Methods Phys. Rev. A 470, 110 (2001).
  26. A. P. Vasilenko, A. V. Kolesnikov, E. M. Truchanov, L. V. Sokolov, A. A. Fedorov, O. P. Pchelyakov, and S. I. Romanov: Precise structure investigations of heterosystem epitaxial Si / porous Si / substrate Si, Inst. Phys. Conf. Ser. 166, 173 (2000).

Copyright © 2010 L-NESS Como

Last updated: 25th May 2017