L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Daniel Chrastina

Associate Professor

SiGe Epitaxy

Contact

e-mail:
tel:Como: +39 031 332 7627
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
Italy
office:Via Anzani 1.06
web:Polimi

Danny Chrastina

Education

Main Research Interest

Teaching

Publications

  1. O. Sagi, A. Crippa, M. Valentini, M. Janik, L. Baghumyan, G. Fabris, L. Kapoor, F. Hassani, J. Fink, S. Calcaterra, D. Chrastina, G. Isella, and G. Katsaros: A gate tunable transmon qubit in planar Ge, Nature Communications 15, 6400 (2024).
  2. B. Severin, D. T. Lennon, L. C. Camenzind, F. Vigneau, F. Fedele, D. Jirovec, A. Ballabio, D. Chrastina, G. Isella, M. de Kruijf, M. J. Carballido, S. Svab, A. V. Kuhlmann, S. Geyer, F. N. M. Froning, H. Moon, M. A. Osborne, D. Sejdinovic, D. Sejdinovic, G. Katsaros, D. M. Zumbühl, G. A. D. Briggs, and N. Ares: Cross-architecture tuning of silicon and SiGe-based quantum devices using machine learning, Sci. Reports 14, 17281 (2024).
  3. M. Valentini, O. Sagi, L. Baghumyan, T. de Gijsel, J. Jung, S. Calcaterra, A. Ballabio, J. A. Servin, K. Aggarwal, M. Janik, T. Adletzberger, R. S. Souto, M. Leijnse, J. Danon, C. Schrade, E. Bakkers, D. Chrastina, G. Isella, and G. Katsaros: Parity-conserving Cooper-pair transport and ideal superconducting diode in planar germanium, Nature Communications 15, 169 (2024).
  4. M. Azadmand, S. Vichi, F. G. Cesura, S. Bietti, D. Chrastina, E. Bonera, G. M. Vanacore, S. Tsukamoto, and S. Sanguinetti: Vapour liquid solid growth effects on InGaN epilayers composition uniformity in presence of metal droplets, Nanomaterials 12, 3887 (2022).
  5. G. M. Vanacore, D. Chrastina, E. Scalise, L. Barbisan, A. Ballabio, M. Mauceri, F. La Via, G. Capitani, D. Crippa, A. Marzegalli, R. Bergamaschini, and L. Miglio: Nanostructured 3C-SiC on Si by a network of (111) platelets: a fully textured film generated by intrinsic growth anisotropy, Phys. Chem. Chem. Phys. 24, 24487 (2022).
  6. A. Tuktamyshev, S. Vichi, F. Cesura, A. Fedorov, S. Bietti, D. Chrastina, S. Tsukamoto, and S. Sanguinetti: Flat metamorphic InAlAs buffer layer on GaAs(111)A misoriented substrates by growth kinetics control, J. Cryst. Growth 600, 126906 (2022).
  7. D. Jirovec, P. M. Mutter, A. Hofmann, A. Crippa, M. Rychetsky, D. L. Craig, J. Kukucka, F. Martins, A. Ballabio, N. Ares, D. Chrastina, G. Isella, G. Burkard, and G. Katsaros: Dynamics of hole singlet triplet qubits with large g-factor differences.Phys. Rev. Lett. 128, 126803 (2022).
  8. G. Tavani, A. Chiappini, A. Fedorov, F. Scotognella, S. Sanguinetti, D. Chrastina, and M. Bollani: Tailoring of embedded dielectric alumina film in AlGaAs epilayer by selective thermal oxidation, Opt. Mater. Express 12, 835 (2022).
  9. C. Ciano, J. Frigerio, J. Kuttruff, A. Mancini, A. Ballabio, D. Chrastina, V. Falcone, M. D. L. Baldassarre, J. Allerbeck, D. Brida, L. Zeng, E. Olsson, M. Virgilio, and M. Ortolani: Toward high-performance and reliable Ge channel devices for 2 nm node and beyond, 2021 46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz) 2021, 9567195 (2021).
  10. J. Frigerio, C. Ciano, J. Kuttruff, A. Mancini, A. Ballabio, D. Chrastina, V. Falcone, M. De Seta, L. Baldassarre, J. Allerbeck, D. Brida, L. Zeng, E. Olsson, M. Virgilio, and M. Ortolani: Second harmonic generation in germanium quantum wells, ACS Photonics 8, 3573 (2021).
  11. D. Jirovec, A. Hofmann, A. Ballabio, P. M. Mutter, G. Tavani, M. Botifoll, A. Crippa, J. Kukucka, O. Sagi, F. Martins, J. Saez-Mollejo, I. Prieto, M. Borovkov, J. Arbiol, D. Chrastina, G. Isella, and G. Katsaros: A singlet triplet hole spin qubit in planar Ge, Nature Mater. 20, 1106 (2021).
  12. A. Tuktamyshev, A. Fedorov, S. Bietti, S. Vichi, K. D. Zeuner, K. D. Jöns, D. Chrastina, S. Tsukamoto, V. Zwiller, M. Gurioli, and S. Sanguinetti: Telecom-wavelength InAs QDs with low fine structure splitting grown by droplet epitaxy on GaAs(111)A vicinal substrates, Appl. Phys. Lett. 118, 133102 (2021).
  13. W. Traiwattanapong, P. Chaisakul, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, L. Vivien, and D. Marris-Morini: Design and simulation of waveguide-integrated Ge/SiGe quantum-confined Stark effect optical modulator based on adiabatic coupling with SiGe waveguide, AIP Advances 11, 035117 (2021).
  14. M. Asa, C. Rinaldi, L. Nessi, D. Chrastina, D. Petti, E. Albisetti, R. Bertacco, and M. Cantoni: Epitaxy and controlled oxidation of chromium ultrathin films on ferroelectric BaTiO3 templates, J. Cryst. Growth 558, 126012 (2021).
  15. J. Frigerio, C. Ciano, A. Ballabio, D. Chrastina, J. Allerbeck, J. Kuttruff, L. Zeng, E. Olsson, D. Brida, G. Isella, M. Virgilio, and M. Ortolani: Mid-infrared second harmonic generation in Ge/SiGe coupled quantum wells.In 2020 IEEE Photonics Conference (IPC), 1--2 (2020). [ DOI ]
  16. C. Barri, E. Mafakheri, L. Fagiani, G. Tavani, A. Barzaghi, D. Chrastina, A. Fedorov, J. Frigerio, M. Lodari, F. Scotognella, E. Arduca, M. Abbarchi, M. Perego, and M. Bollani: Engineering of the spin on dopant process on silicon on insulator substrate, Nanotechnology 32, 025303 (2020).
  17. C. Zucchetti, A. Ballabio, D. Chrastina, S. Cecchi, M. Finazzi, M. Virgilio, G. Isella, and F. Bottegoni: Probing the in-plane electron spin polarization in Ge/Si0.15Ge0.85 multiple quantum wells, Phys. Rev. B 101, 115408 (2020).
  18. C. Rinaldi, M. Asa, D. Chrastina, J. L. Hart, M. L. Taheri, I. Pallecchi, D. Marré, and M. Cantoni: Study and optimization of epitaxial films of Cr and Pt/Cr bilayers on MgO, J. Phys. D: Appl. Phys. 53, 105303 (2020).
  19. A. Hofmann, D. Jirovec, M. Borovkov, I. Prieto, A. Ballabio, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, and G. Katsaros: Assessing the potential of Ge/SiGe quantum dots as hosts for singlet-triplet qubits, arXiv.org e-Print archive cond-mat, arXiv:1910.05841 (2019).
  20. A. Ballabio, J. Frigerio, S. Firoozabadi, D. Chrastina, A. Beyer, K. Volz, and G. Isella: Ge/SiGe parabolic quantum wells, J. Phys. D: Appl. Phys. 52, 415105 (2019).
  21. M. Azadmand, E. Bonera, D. Chrastina, S. Bietti, S. Tsukamoto, R. Nötzel, and S. Sanguinetti: Raman spectroscopy of epitaxial InGaN/Si in the central composition range, Jpn. J. Appl. Phys. 58, SC1020 (2019).
  22. S. Q. Li, A. Solanki, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, C. Zheng, A. Ahnood, K. Ganesan, and K. B. Crozier: Vertical Ge--Si nanowires with suspended graphene top contacts as dynamically tunable multispectral photodetectors, ACS Photonics 6, 735 (2019).
  23. P. Chaisakul, V. Vakarin, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, L. Vivien, and D. Marris-Morini: Recent progress on Ge/SiGe quantum well optical modulators, detectors, and emitters for optical interconnects, Photonics 6, 24 (2019).
  24. D. Marris-Morini, V. Vakarin, J. M. Ramirez, Q. Liu, A. Ballabio, J. Frigerio, M. Montesinos, C. Alonso-Ramos, X. Le Roux, S. Serna, D. Benedikovic, D. Chrastina, L. Vivien, and G. Isella: Germanium-based integrated photonics from near- to mid-infrared applications, Nanophotonics 7, 1781 (2018).
  25. D. Dellasega, M. Bollani, L. Anzi, A. Pezzoli, D. Chrastina, A. Gulinatti, G. Irde, R. Sordan, M. Passoni, and S. M. Pietralunga: High energy pulsed laser deposition of ohmic tungsten contacts on silicon at room temperature, Thin Solid Films 602, 90 (2018).
  26. M. Azadmand, L. Barabani, S. Bietti, D. Chrastina, E. Bonera, M. Acciarri, A. Fedorov, S. Tsukamoto, R. Nötzel, and S. Sanguinetti: Droplet controlled growth dynamics in molecular beam epitaxy of nitride semiconductors, Sci. Reports 8, 11278 (2018).
  27. Q. Liu, J. M. Ramirez, V. Vakarin, X. Le Roux, A. Ballabio, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, D. Bouville, L. Vivien, C. A. Ramos, and D. Marris-Morini: Mid-infrared sensing between 5.2 and 6.6 μm wavelengths using Ge-rich SiGe waveguides, Opt. Mater. Express 8, 1305 (2018).
  28. I. L. Drichko, A. A. Dmitriev, V. A. Malysh, I. Y. Smirnov, H. von Känel, M. Kummer, D. Chrastina, and G. Isella: Effective g factor of 2D holes in strained Ge quantum wells.J. Appl. Phys. 123, 165703 (2018).
  29. I. L. Drichko, A. A. Dmitriev, V. A. Malysh, I. Y. Smirnov, Y. M. Galperin, H. von Känel, M. Kummer, G. Isella, and D. Chrastina: Universal frequency dependence of the hopping AC conductance in p-Ge/GeSi structures in the integer quantum Hall effect regime.Sov. Phys. JETP 126, 246 (2018).
  30. M. Lodari, D. Chrastina, V. Mondiali, M. R. Barget, J. Frigerio, E. Bonera, and M. Bollani: Strain in Si or Ge from the edge forces of epitaxial nanostructures, Nanosci. Nanotechnol. Lett. 9, 1128 (2017).
  31. J. Frigerio, V. Vakarin, P. Chaisakul, A. Ballabio, D. Chrastina, M. Leone, X. Le Roux, L. Vivien, G. Isella, and D. Marris-Morini: Electro-refraction in standard and symmetrically coupled Ge/SiGe quantum wells, Nanosci. Nanotechnol. Lett. 9, 1123 (2017).
  32. J. M. Ramírez, V. Vakarin, J. Frigerio, P. Chaisakul, D. Chrastina, X. Le Roux, A. Ballabio, L. Vivien, G. Isella, and D. Marris-Morini: Ge-rich graded-index Si1-xGex waveguides with broadband tight mode confinement and flat anomalous dispersion for nonlinear mid-infrared photonics, Opt. Express 25, 6561 (2017).
  33. J. M. Ramírez, V. Vakarin, P. Chaisakul, J. Frigerio, A. Ballabio, C. Gilles, D. Chrastina, Q. Liu, G. Maisons, X. Le Roux, L. Vivien, M. Carras, G. Isella, and D. Marris-Morini: Ge-rich SiGe waveguides for mid-infrared photonics, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 10108, 1010812 (2017).
  34. J. M. Ramírez, V. Vakarin, M. Rahman, P. Chaisakul, X. Le Roux, L. Vivien, D. Marris-Morini, D. Chrastina, J. Frigerio, A. Ballabio, and G. Isella: Broadband single mode SiGe graded waveguides with tight mode confinement for mid-infrared photonics.In IEEE Photonics North, 1 (2016).
  35. S.-Q. Li, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, A. Solanki, W. Song, C. Zheng, and K. B. Crozier: Vertical germanium nanowire photodetectors with suspended graphene top contact.In Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference, SM4E.7 (2016).
  36. M. Bollani, D. Chrastina, R. Ruggeri, G. Nicotra, L. Gagliano, E. Bonera, V. Mondiali, A. Marzegalli, F. Montalenti, C. Spinella, and L. Miglio: Anisotropic extended misfit dislocations in overcritical SiGe films by local substrate patterning, Nanotechnology 27, 425301 (2016).
  37. M. R. Barget, M. Lodari, V. Mondiali, D. Chrastina, M. Bollani, and E. Bonera: Tensile strain in Ge membranes induced by SiGe nanostressors, Appl. Phys. Lett. 109, 133109 (2016).
  38. R. W. Millar, K. Gallacher, A. Samarelli, J. Frigerio, D. Chrastina, T. Dieing, G. Isella, and D. J. Paul: Expanding the Ge emission wavelength to 2.25 μm with SixNy strain engineering, Thin Solid Films 602, 90 (2016).
  39. L. Ferre Llin, A. Samarelli, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller Gubler, T. Etzelstorfer, J. Stangl, and D. J. Paul: Thermoelectric cross-plane properties on p- and n-Ge/SixGe1-x superlattices, Thin Solid Films 602, 90 (2016).
  40. D. Marris-Morini, V. Vakarin, P. Chaisakul, J. Frigerio, M. Rahman, J. M. Ramìrez, M.-S. Rouifed, D. Chrastina, X. Le Roux, G. Isella, and L. Vivien: Silicon photonics based on Ge/SiGe quantum well structures.In Transparent Optical Networks (ICTON), 2016 18th International Conference on, 1--3 (2016).
  41. J. Frigerio, V. Vakarin, P. Chaisakul, A. Ballabio, D. Chrastina, X. Le Roux, L. Vivien, G. Isella, and D. Marris-Morini: Electro-absorption and electro-refraction in Ge/SiGe coupled quantum wells.In L. Vivien, L. Pavesi, and S. Pelli (eds.), Silicon Photonics and Photonic Integrated Circuits V, volume Proc. SPIE 9891, 989113 (2016).
  42. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, A. Marzegalli, D. Chrastina, G. Isella, L. Miglio, A. Dommann, and H. von Känel: Lattice bending in three-dimensional Ge microcrystals studied by X-ray nanodiffraction and modelling, J. Appl. Cryst. 49, 976 (2016).
  43. P. Mazzolini, T. Acartürk, D. Chrastina, U. Starke, C. S. Casari, G. Gregori, and A. Li Bassi: Controlling the electrical properties of undoped and Ta-doped TiO2 polycrystalline films via ultra-fast annealing treatments, Adv. Electron. Mater. 2, 1500316 (2016).
  44. V. Mondiali, M. Lodari, M. Borriello, D. Chrastina, and M. Bollani: Top-down SiGe nanostructures on Ge membranes realized by e-beam lithography and wet etching, Microelectron. Eng. 153, 88 (2016).
  45. K. Gallacher, A. Ballabio, R. W. Millar, A. Samarelli, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, L. Baldassarre, M. Ortolani, E. Sakat, P. Biagioni, and D. J. Paul: Mid-infrared intersubband absorption in p-Ge/SiGe quantum wells grown on Si.In IEEE 12th Int. Conf. Group IV Photonics, 15--16 (2015).
  46. R. W. Millar, K. Gallacher, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, and D. J. Paul: Highly strained Ge and Si microdisks with silicon nitride stressors.In IEEE 12th Int. Conf. Group IV Photonics, 15--16 (2015).
  47. D. Marris-Morini, P. Chaisakul, J. Frigerio, M.-S. Rouifed, V. Vakarin, D. Chrastina, X. Le Roux, G. Isella, and L. Vivien: Silicon photonics based on Ge/SiGe quantum well structures.In IEEE 12th Int. Conf. Group IV Photonics, 11--12 (2015).
  48. D. Marris-Morini, P. Chaisakul, J. Frigerio, D. Chrastina, V. Vakarin, S. Cecchi, G. Isella, and L. Vivien: Optical interconnects based on Ge/SiGe multiple quantum well structures.In Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference, SM3G.1 (2015).
  49. J. Frigerio, V. Vakarin, P. Chaisakul, M. Ferretto, D. Chrastina, X. Le Roux, L. Vivien, G. Isella, and D. Marris-Morini: Giant electro-optic effect in Ge/SiGe coupled quantum wells, Sci. Reports 5, 15398 (2015).
  50. M. Bollani, D. Chrastina, L. Gagliano, L. Rossetto, D. Scopece, M. Barget, V. Mondiali, J. Frigerio, M. Lodari, F. Pezzoli, F. Montalenti, and E. Bonera: Local uniaxial tensile strain in germanium up to 4% by epitaxial nanostructures, Appl. Phys. Lett. 107, 083101 (2015).
  51. R. W. Millar, K. Gallacher, A. Samarelli, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, T. Dieing, and D. J. Paul: Extending the emission wavelength of Ge nanopillars to 2.25 μm using silicon nitride stressors, Opt. Express 23, 18193 (2015).
  52. P. Mazzolini, P. Gondoni, V. Russo, D. Chrastina, C. S. Casari, and A. Li Bassi: Tuning of electrical and optical properties of highly conducting and transparent Ta-doped TiO2 polycrystalline films, J. Phys. Chem. 119, 6988 (2015).
  53. S. Tombolato, U. Berner, D. Colombara, D. Chrastina, M. Widenmeyer, S. O. Binetti, and P. J. Dale: Cu2ZnSnSe4 device obtained by formate chemistry for metallic precursor layer fabrication, Sol. Energy 116, 287 (2015).
  54. V. Mondiali, M. Lodari, D. Chrastina, M. Barget, E. Bonera, and M. Bollani: Micro and nanofabrication of SiGe/Ge bridges and membranes by wet-anisotropic etching, Microelectron. Eng. 141, 256 (2015).
  55. T. Etzelstorfer, M. R. Ahmadpor Monazam, S. Cecchi, D. Kriegner, D. Chrastina, E. Gatti, E. Grilli, N. Rosemann, S. Chatterjee, V. Holý, F. Pezzoli, G. Isella, and J. Stangl: Structural investigations of the α12 Si-Ge superstructure, J. Appl. Cryst. 48, 262 (2015).
  56. D. Chrastina: Chapter 3 -- germanium on silicon: Epitaxy and applications.In G. Kissinger and S. Pizzini (eds.), Silicon, Germanium, and Their Alloys, 61--86. CRC Press, Taylor and Francis Group, Boca Raton, U.S. (2015).
  57. R. W. Millar, K. Gallacher, A. Samarelli, D. C. S. Dumas, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, and D. J. Paul: Process induced tensile strain of Ge on Si nanopillars by ICP-PECVD SiN stressor layers.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 235--236 (2014).
  58. R. Geiger, M. J. Süess, C. Bonzon, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, and H. Sigg: Carrier lifetimes in uniaxially strained Ge micro bridges.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 227--228 (2014).
  59. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, J. Frigerio, D. Chrastina, M. S. Rouifed, S. Cecchi, G. Isella, and L. Vivien: High quality SiGe waveguide platform for Ge photonics on bulk silicon substrates.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 108--109 (2014).
  60. M. S. Rouifed, D. Marris-Morini, X. Le Roux, P. Chaisakul, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, and L. Vivien: Advances towards the demonstration of a Ge/SiGe modulator integrated on SOI.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 75--76 (2014).
  61. J. Frigerio, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, and L. Vivien: (Invited) Photonic interconnection made by a Ge/SiGe MQW modulator connected to a Ge/SiGe MQW photodetector through a SiGe waveguide, ECS Transactions 64, 761 (2014).
  62. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, J. Frigerio, T. Etzelstorfer, E. Müller Gubler, J. Stangl, D. Chrastina, G. Isella, and D. Paul: (Invited) The thermoelectric properties of Ge/SiGe based superlattices: from materials to energy harvesting modules, ECS Transactions 64, 929 (2014).
  63. H. von Känel, F. Isa, C. V. Falub, E. J. Barthazy, E. Müller Gubler, D. Chrastina, G. Isella, T. Kreiliger, A. Gonzalez Taboada, M. Meduna, R. Kaufmann, A. Neels, A. Dommann, P. Niedermann, F. Mancarella, M. Mauceri, M. Puglisi, D. Crippa, F. La Via, R. Anzalone, N. Piluso, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, and L. Miglio: (Invited) Three-dimensional epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC crystals on deeply patterned Si substrates, ECS Transactions 64, 631 (2014).
  64. V. Mondiali, M. Bollani, D. Chrastina, R. Rubert, G. Chahine, M. I. Richard, S. Cecchi, L. Gagliano, E. Bonera, T. Schülli, and L. Miglio: Strain release management in SiGe/Si films by substrate patterning, Appl. Phys. Lett. 105, 242103 (2014).
  65. M. Celebrano, M. Baselli, M. Bollani, J. Frigerio, A. B. Shehata, A. Della Frera, A. Tosi, A. Farina, F. Pezzoli, J. Osmond, X. Wu, B. Hecht, R. Sordan, D. Chrastina, G. Isella, L. Duò, M. Finazzi, and P. Biagioni: Emission engineering in germanium nanostructures, ACS Photonics 2, 53 (2014).
  66. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, D. Chrastina, T. Kreiliger, G. Isella, and H. von Känel: Reconstruction of crystal shapes by X-ray nanodiffraction from three-dimensional superlattices, J. Appl. Cryst. 47, 2030 (2014).
  67. P. Chaisakul, J. Frigerio, D. Marris-Morini, V. Vakarin, D. Chrastina, G. Isella, and L. Vivien: O-band quantum-confined Stark effect optical modulator from Ge/Si0.15Ge0.85 quantum wells by well thickness tuning, J. Appl. Phys. 116, 193103 (2014).
  68. J. Frigerio, M. Lodari, D. Chrastina, V. Mondiali, G. Isella, and M. Bollani: Metastability and relaxation in tensile SiGe on Ge(001) virtual substrates, J. Appl. Phys. 116, 113507 (2014).
  69. D. Scopece, F. Montalenti, M. Bollani, D. Chrastina, and E. Bonera: Strained Ge bulk and nanomembranes for optoelectronic applications: a systematic numerical analysis, Semicond. Sci. Technol. 29, 095012 (2014).
  70. E. Gatti, F. Isa, D. Chrastina, E. Müller Gubler, F. Pezzoli, E. Grilli, and G. Isella: Ge/SiGe quantum wells on Si(111): Growth, structural and optical properties, J. Appl. Phys. 116, 043518 (2014).
  71. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, J. Frigerio, D. Chrastina, M.-S. Rouifed, S. Cecchi, P. Crozat, G. Isella, and L. Vivien: Integrated germanium optical interconnects on silicon substrates, Nature Photonics 8, 482 (2014).
  72. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller Gubler, T. Etzelstorfer, J. Stangl, Y. Zhang, J. M. R. Weaver, P. S. Dobson, and D. J. Paul: Prospects for SiGe thermoelectric generators, Solid State Electron. 98, 70 (2014).
  73. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, T. Etzelstorfer, J. Stangl, E. Müller Gubler, J. M. R. Weaver, P. Dobson, and D. J. Paul: Multilayered Ge/SiGe material in microfabricated thermoelectric modules, J. Electron. Mater. 43, 3838 (2014).
  74. M. Bollani, S. Bietti, C. Frigeri, D. Chrastina, K. Reyes, P. Smereka, J. M. Millunchick, G. M. Vanacore, M. Burghammer, A. Tagliaferri, and S. Sanguinetti: Ordered arrays of embedded Ga nanoparticles on patterned silicon substrates, Nanotechnology 25, 205301 (2014).
  75. T. Kreiliger, C. V. Falub, F. Isa, G. Isella, D. Chrastina, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, R. Kaufmann, P. Niedermann, A. Neels, E. Müller, M. Meduňa, A. Dommann, L. Miglio, and H. von Känel: Epitaxial Ge-crystal arrays for X-ray detection, J. Instrumentation 9, C03019 (2014).
  76. S. Cecchi, E. Gatti, D. Chrastina, J. Frigerio, E. Müller Gubler, D. J. Paul, M. Guzzi, and G. Isella: Thin SiGe virtual substrates for Ge heterostructure integration on silicon, J. Appl. Phys. 115, 093502 (2014).
  77. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, D. Chrastina, T. Kreiliger, G. Isella, A. G. Taboada, P. Niedermann, and H. von Känel: X-ray nano-diffraction on epitaxial crystals, Quantum Matter 3, 290 (2014).
  78. M.-S. Rouifed, D. Marris-Morini, P. Chaisakul, J. Frigerio, G. Isella, D. Chrastina, S. Edmond, X. Le Roux, J.-R. Coudevylle, D. Bouville, and L. Vivien: Advances toward Ge/SiGe quantum-well waveguide modulators at 1.3 μm, IEEE J. Sel. Top. Quant. 20, 3400207 (2014).
  79. R. Geiger, J. Frigerio, M. J. Süess, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, and H. Sigg: Excess carrier lifetimes in Ge layers on Si, Appl. Phys. Lett. 104, 062106 (2014).
  80. V. Mondiali, M. Bollani, S. Cecchi, M.-I. Richard, T. Schülli, G. Chahine, and D. Chrastina: Dislocation engineering in SiGe on periodic and aperiodic Si(001) templates studied by fast scanning X-ray nanodiffraction, Appl. Phys. Lett. 104, 021918 (2014).
  81. T. Etzelstorfer, M. J. Süess, G. L. Schiefler, V. L. R. Jacques, D. Carbone, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Stangl, H. Sigg, and A. Diaz: Scanning x-ray strain microscopy of inhomogeneously strained Ge micro-bridges, J. Synchrotron Rad. 21, 111 (2014).
  82. C. V. Falub, T. Kreiliger, F. Isa, A. G. Taboada, M. Meduňa, F. Pezzoli, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, E. Müller, D. Chrastina, G. Isella, A. Neels, P. Niedermann, A. Dommann, L. Miglio, and H. von Känel: 3D heteroepitaxy of mismatched semiconductors on silicon, Thin Solid Films 557, 42 (2014).
  83. O. A. Mironov, A. H. A. Hassan, R. J. H. Morris, A. Dobbie, M. Uhlarz, D. Chrastina, J. P. Hague, S. Kiatgamolchai, R. Beanland, S. Gabani, I. B. Berkutov, M. Helm, O. Drachenko, M. Myronov, and D. R. Leadley: Ultra high hole mobilities in a pure strained Ge quantum well, Thin Solid Films 557, 329 (2014).
  84. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, D. Chrastina, J.-R. Coudevylle, X. Le Roux, S. Edmond, G. Isella, and L. Vivien: Recent progress in GeSi electro-absorption modulators, Sci. Technol. Adv. Mat. 15, 014601 (2014).
  85. K. Kolata, N. S. Köster, R. Woscholski, S. Imhof, A. Thränhardt, C. Lange, J. E. Sipe, F. Pezzoli, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, and S. Chatterjee: Holes in germanium quantum wells: spin relaxation and temperature dynamics, phys. stat. sol. (c) 10, 1238 (2014).
  86. A. Ferrari, F. Bottegoni, G. Isella, S. Cecchi, D. Chrastina, M. Finazzi, and F. Ciccacci: Spin-polarized photoemission from SiGe heterostructures, AIP Conf. Proc. 1566, 315 (2013).
  87. R. Geiger, J. Frigerio, M. J. Süess, R. A. Minamisawa, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, and H. Sigg: Excess carrier lifetimes in Ge layers on Si.In IEEE 10th Int. Conf. Group IV Photonics, 103--104 (2013).
  88. R. Geiger, M. J. Süess, R. A. Minamisawa, C. Bonzon, G. Schiefler, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, and H. Sigg: Enhanced light emission from Ge micro bridges uniaxially strained beyond 3%.In IEEE 10th Int. Conf. Group IV Photonics, 93--94 (2013).
  89. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, G. Isella, D. Chrastina, and L. Vivien: Strong quantum-confined Stark effect from light hole excitonic transition in Ge quantum wells for ultra-compact optical modulator.In IEEE 10th Int. Conf. Group IV Photonics, 63--64 (2013).
  90. E. Gatti, A. Giorgioni, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, A. Chernikov, K. Kolata, V. Bornwasser, N. S. Köster, R. Woscholski, and S. Chatterjee: Relaxation and recombination processes in Ge/SiGe multiple quantum wells, AIP Conf. Proc. 1566, 470 (2013).
  91. D. Marris-Morini, P. Chaisakul, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, G. Isella, D. Chrastina, X. Le Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: Ge/SiGe quantum well optical modulator, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 8781, 87810Y (2013).
  92. M. S. Rouifed, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, J. Frigerio, G. Isella, D. Chrastina, and L. Vivien: Design of electroabsorption modulator based on Ge/SiGe multiple quantum wells, integrated on SOI waveguides.In IEEE Photonics Conference, 40--41 (2013).
  93. D. Marris-Morini, P. Chaisakul, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, S. Edmond, X. Le Roux, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: Towards low energy consumption integrated photonic circuits based on Ge/SiGe quantum wells, Nanophotonics 2, 279 (2013).
  94. L. Ferre Llin, A. Samarelli, S. Cecchi, T. Etzelstorfer, E. Müller Gubler, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, J. M. R. Weaver, P. S. Dobson, and D. J. Paul: The cross-plane thermoelectric properties of p-Ge/Si0.5Ge0.5 superlattices, Appl. Phys. Lett. 103, 143507 (2013).
  95. L. Ferre Llin, A. Samarelli, Y. Zhang, J. M. R. Weaver, P. Dobson, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, T. Etzelstorfer, J. Stangl, E. Müller Gubler, and D. J. Paul: Thermal conductivity measurement methods of for SiGe thermoelectric materials, J. Electron. Mater. 42, 2376 (2013).
  96. G. M. Vanacore, M. Chaigneau, N. Barrett, M. Bollani, F. Boioli, M. Salvalaglio, F. Montalenti, N. Manini, L. Caramella, P. Biagioni, D. Chrastina, G. Isella, O. Renault, M. Zani, R. Sordan, G. Onida, R. Ossikovski, H.-J. Drouhin, and A. Tagliaferri: Hydrostatic strain enhancement in laterally confined SiGe nanostripes, Phys. Rev. B 88, 115309 (2013).
  97. N. S. Köster, A. C. Klettke, B. Ewers, R. Woscholski, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, M. Kira, S. W. Koch, and S. Chatterjee: Controlling the polarization dynamics by strong THz fields in photoexcited germanium quantum wells, New J. Phys. 15, 075004 (2013).
  98. L. Miglio, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, P. Niedermann, A. Dommann, C. V. Falub, E. Müller, and H. von Känel: “divide et impera” in detector technology, Il Nuovo Saggiatore 29, 7 (2013).
  99. D. Chrastina, S. Cecchi, J. P. Hague, J. Frigerio, A. Samarelli, L. Ferre-Llin, D. J. Paul, E. Müller, T. Etzelstorfer, J. Stangl, and G. Isella: Ge/SiGe superlattices for nanostructured thermoelectric modules, Thin Solid Films 543, 153 (2013).
  100. C. V. Falub, M. Meduňa, D. Chrastina, F. Isa, A. Marzegalli, T. Kreiliger, A. G. Taboada, G. Isella, L. Miglio, A. Dommann, and H. von Känel: Perfect crystals grown from imperfect interfaces, Sci. Reports 3, 2276 (2013).
  101. M. J. Süess, R. Geiger, R. A. Minamisawa, G. Schiefler, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, and H. Sigg: Analysis of enhanced light emission from highly strained germanium micro bridges, Nature Photonics 7, 466 (2013).
  102. S. Cecchi, T. Etzelstorfer, E. Müller, A. Samarelli, L. Ferre Llin, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, J. M. R. Weaver, P. Dobson, and D. J. Paul: Ge/SiGe superlattices for thermoelectric devices grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition, J. Electron. Mater. 42, 2030 (2013).
  103. A. Samarelli, L. Ferre Llin, Y. Zhang, J. M. R. Weaver, P. Dobson, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, T. Etzelstorfer, J. Stangl, E. Müller Gubler, and D. J. Paul: Power factor characterization of Ge/SiGe thermoelectric superlattices at 300 K, J. Electron. Mater. 42, 1449 (2013).
  104. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, J. Frigerio, T. Etzelstorfer, E. Müller, Y. Zhang, J. R. Watling, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, J. P. Hague, J. M. R. Weaver, P. Dobson, and D. J. Paul: The thermoelectric properties of Ge/SiGe modulation doped superlattices, J. Appl. Phys. 113, 233704 (2013).
  105. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, G. Isella, D. Chrastina, J.-R. Coudevylle, X. Le Roux, S. Edmond, D. Bouville, and L. Vivien: Strong quantum-confined Stark effect from light hole related direct-gap transitions in Ge quantum wells, Appl. Phys. Lett. 102, 191107 (2013).
  106. E. Bonera, M. Bollani, D. Chrastina, F. Pezzoli, A. Picco, O. G. Schmidt, and D. Terziotti: Substrate strain manipulation by nanostructure perimeter forces, J. Appl. Phys. 113, 164308 (2013).
  107. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, and L. Vivien: Ge quantum well optoelectronic devices for light modulation, detection, and emission, Solid State Electron. 83, 92 (2013).
  108. G. Isella, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M. S. Rouifed, D. Chrastina, J. Frigerio, X. L. Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: High extinction ratio, low energy Ge quantum well electro-absorption modulator with 23 GHz bandwidth, ECS Transactions 50, 387 (2013).
  109. D. J. Paul, A. Samarelli, L. Ferre Llin, Y. Zhang, J. M. R. Weaver, P. S. Dobson, S. Cecchi, J. Frigerio, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, T. Etzelstorfer, J. Stangl, and E. Müller Gubler: Si/SiGe thermoelectric generators, ECS Transactions 50, 959 (2013).
  110. S. Cecchi, T. Etzelstorfer, E. Müller, A. Samarelli, L. F. Llin, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, and D. J. Paul: Ge/SiGe superlattices for thermoelectric energy conversion devices, J. Mater. Sci. 48, 2829 (2013).
  111. C. V. Falub, T. Kreiliger, A. G. Taboada, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, M. Meduňa, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, E. Bonera, F. Pezzoli, L. Miglio, P. Niedermann, A. Neels, A. Pezous, R. Kaufmann, A. Dommann, and H. von Känel: Three dimensional heteroepitaxy: A new path for monolithically integrating mismatched materials with silicon.In 2012 International Semiconductor Conference (CAS), 45--50 (2012).
  112. C. V. Falub, F. Isa, T. Kreiliger, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, A. G. Taboada, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, P. Niedermann, A. Dommann, A. Neels, A. Pezous, M. Meduňa, L. Miglio, and H. von Känel: Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals.In SiGe Technology and Device Meeting, 2012. ISTDM 2012. (2012).
  113. K. Kolata, N. S. Köster, A. Chernikov, M. J. Drexler, E. Gatti, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, M. Guzzi, and S. Chatterjee: Dephasing in Ge/SiGe quantum wells measured by means of coherent oscillations, Phys. Rev. B 86, 201303(R) (2012).
  114. K. Gallacher, P. Velha, D. J. Paul, S. Cecchi, J. Frigerio, D. Chrastina, and G. Isella: 1.55 μm direct bandgap electroluminescence from strained n-Ge quantum wells grown on Si substrates, Appl. Phys. Lett. 101, 211101 (2012).
  115. M. Bollani, D. Chrastina, M. Fiocco, V. Mondiali, J. Frigerio, L. Gagliano, and E. Bonera: Lithographically-defined low dimensional SiGe nanostripes as silicon stressors, J. Appl. Phys. 112, 094318 (2012).
  116. M.-S. Rouifed, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, J. Frigerio, G. Isella, D. Chrastina, S. Edmond, X. Le Roux, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: Quantum-confined Stark effect at 1.3 μm in Ge/Si0.35Ge0.65 quantum-well structure, Optics Lett. 37, 3960 (2012).
  117. L. Carroll, P. Friedli, S. Neuenschwander, H. Sigg, S. Cecchi, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, Y. Fedoryshyn, and J. Faist: Direct-gap gain and optical absorption in germanium correlated to the density of photoexcited carriers, doping, and strain, Phys. Rev. Lett. 109, 057402 (2012).
  118. C. Lange, G. Isella, D. Chrastina, F. Pezzoli, N. S. Köster, R. Woscholski, and S. Chatterjee: Spin band-gap renormalization and hole spin dynamics in Ge/SiGe quantum wells, Phys. Rev. B 85, 241303(R) (2012).
  119. M. J. Süess, L. Carroll, H. Sigg, A. Diaz, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, and R. Spolenak: Tensile strained Ge quantum wells on Si substrate: Post-growth annealing versus low temperature re-growth, Mat. Sci. Eng. B 177, 696 (2012).
  120. K. Kolata, S. Imhof, N. S. Köster, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, J. E. Sipe, A. Thränhardt, and S. Chatterjee: Hole system heating by ultrafast interband energy transfer in optically excited Ge/SiGe quantum wells, Phys. Rev. B 85, 165312 (2012).
  121. P. H. Wu, D. Dumcenco, Y. S. Huang, H. P. Hsu, C. H. Lai, T. Y. Lin, D. Chrastina, G. Isella, E. Gatti, and K. K. Tiong: Above-room-temperature photoluminescence from a strain-compensated Ge/Si0.15Ge0.85 multiple-quantum-well structure, Appl. Phys. Lett. 100, 141905 (2012).
  122. F. Bottegoni, A. Ferrari, G. Isella, S. Cecchi, M. Marcon, D. Chrastina, G. Trezzi, and F. Ciccacci: Ge/SiGe heterostructures as emitters of polarized electrons, J. Appl. Phys. 111, 063916 (2012).
  123. D. Chrastina, G. M. Vanacore, M. Bollani, P. Boye, S. Schöder, M. Burghammer, R. Sordan, G. Isella, M. Zani, and A. Tagliaferri: Patterning-induced strain relief in single lithographic SiGe nanostructures studied by nanobeam x-ray diffraction, Nanotechnology 23, 155702 (2012).
  124. C. V. Falub, H. von Känel, F. Isa, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, P. Niedermann, and L. Miglio: Scaling hetero-epitaxy from layers to three-dimensional crystals, Science 335, 1330 (2012).
  125. P. Chaisakul, M.-S. Rouifed, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, J. Frigerio, X. Le Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: High speed electro-absorption modulator based on quantum-confined Stark effect from Ge/SiGe multiple quantum wells.In IEEE 9th Int. Conf. Group IV Photonics, 60--62 (2012).
  126. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, G. Isella, D. Chrastina, J. Frigerio, X. Le Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: Ge/SiGe multiple quantum well optoelectronic devices for silicon photonics.In SiGe Technology and Device Meeting, 2012. ISTDM 2012. (2012).
  127. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, G. Isella, D. Chrastina, J. Frigerio, X. Le Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: 23 GHz Ge/SiGe multiple quantum well electro-absorption modulator, Opt. Express 20, 3219 (2012).
  128. H. P. Hsu, P. H. Wu, Y. S. Huang, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and K. K. Tiong: Photoreflectance study of direct-gap interband transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells with Ge-rich barriers, Appl. Phys. Lett. 100, 041905 (2012).
  129. P. H. Wu, Y. S. Huang, H. P. Hsu, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and K. K. Tiong: Temperature dependence of the direct interband transitions of a Ge/SiGe multiple-quantum-well structure with Ge-rich barriers, Phys. Rev. B 85, 035303 (2012).
  130. M. Bollani, D. Chrastina, V. Montuori, D. Terziotti, E. Bonera, G. M. Vanacore, A. Tagliaferri, R. Sordan, C. Spinella, and G. Nicotra: Homogeneity of Ge-rich nanostructures as characterized by chemical etching and transmission electron microscopy, Nanotechnology 23, 045302 (2012).
  131. A. Giorgioni, E. Gatti, E. Grilli, A. Chernikov, S. Chatterjee, D. Chrastina, G. Isella, and M. Guzzi: Photoluminescence decay of direct and indirect transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells, J. Appl. Phys. 111, 013501 (2012).
  132. G. Isella, F. Bottegoni, F. Pezzoli, S. Cecchi, E. Gatti, D. Chrastina, E. Grilli, M. Guzzi, and F. Ciccacci: Optical spin injection in SiGe heterostructures.In H.-J. M. Drouhin, J.-E. Wegrowe, and M. Razeghi (eds.), Spintronics IV, volume Proc. SPIE 8100, 810007 (2011).
  133. E. Gatti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, A. Chernikov, V. Bornwasser, N. Köster, R. Woscholski, and S. Chatterjee: Photoluminescence and ultrafast inter-subband relaxation in Ge/SiGe multiple quantum wells, Phys. Rev. B 84, 245319 (2011).
  134. K. Kolata, N. Köster, R. Woscholski, C. Lange, S. Chatterjee, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Giant AC Stark shift in germanium.In Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference, QMH1 (2011).
  135. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, N. Izard, X. L. Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: Room temperature direct gap electroluminescence from Ge/Si0.15Ge0.85 multiple quantum well waveguide, Appl. Phys. Lett. 99, 141106 (2011).
  136. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, M.-S. Rouifed, X. L. Roux, S. Edmond, E. Cassan, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: 10-Gb/s Ge/SiGe multiple quantum-well waveguide photodetector, IEEE Photonic Tech. L. 23, 1430 (2011).
  137. L. Carroll, F. Imbert, H. Sigg, M. Süess, E. Müller, M. Virgilio, G. Pizzi, P. Rossbach, D. Chrastina, and G. Isella: Quantum-confined direct-gap transitions in tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells, Appl. Phys. Lett. 99, 031907 (2011).
  138. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, X. L. Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, E. Cassan, and L. Vivien: Polarization dependence of quantum-confined Stark effect in Ge/SiGe quantum well planar waveguides, Optics Lett. 36, 1794 (2011).
  139. N. S. Köster, K. Kolata, R. Woscholski, C. Lange, G. Isella, D. Chrastina, H. von Känel, and S. Chatterjee: Giant dynamical Stark shift in germanium quantum wells, Appl. Phys. Lett. 98, 161103 (2011).
  140. N. S. Köster, C. Lange, K. Kolata, S. Chatterjee, M. Schäfer, M. Kira, S. W. Koch, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and H. Sigg: Ultrafast transient gain in Ge/SiGe quantum wells, phys. stat. sol. (c) 8, 1109 (2011).
  141. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, X. Le Roux, S. Edmond, E. Cassan, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: Ge/SiGe multiple quantum well photodiode with 30 GHz bandwidth, Appl. Phys. Lett. 98, 131112 (2011).
  142. E. Gatti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Room temperature photoluminescence of Ge multiple quantum wells with Ge-rich barriers, Appl. Phys. Lett. 98, 031106 (2011).
  143. T. Moiseev, D. Chrastina, and G. Isella: Plasma composition by mass spectrometry in a Ar-SiH4-H2 LEPECVD process during nc-Si deposition, Plasma Chem. Plasma Processing 31, 157 (2011).
  144. S. Cecchi, F. Bottegoni, A. Ferrari, D. Chrastina, G. Isella, and F. Ciccacci: Spin polarized photoemission from strained Ge epilayers grown by low-energy plasma-enhanced CVD (LEPECVD).In IEEE 8th Int. Conf. Group IV Photonics, 83--85 (2011).
  145. N. S. Köster, C. Lange, S. Chatterjee, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, M. Schäfer, M. Kira, and S. W. Koch: Transient optical gain and carrier dynamics in Ge/SiGe quantum wells, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 7600, 76000B (2010).
  146. M. Bollani, D. Chrastina, A. Fedorov, R. Sordan, A. Picco, and E. Bonera: Ge-rich islands grown on patterned Si substrates by low-energy plasma-enhanced chemical vapour deposition, Nanotechnology 21, 475302 (2010).
  147. M. Bollani, E. Bonera, D. Chrastina, A. Fedorov, V. Montuori, A. Picco, A. Tagliaferri, G. Vanacore, and R. Sordan: Ordered arrays of SiGe islands from low-energy PECVD, Nanoscale Res. Lett. 5, 1917 (2010).
  148. S. Bietti, C. Somaschini, E. Sarti, N. Koguchi, S. Sanguinetti, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Photoluminescence study of low thermal budget III--V nanostructures on silicon by droplet epitaxy, Nanoscale Res. Lett. 5, 1650 (2010).
  149. S. Bietti, C. Somaschini, S. Sanguinetti, N. Koguchi, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Low thermal budget fabrication of III-V quantum nanostructures on Si substrates, J. Phys. Conf. Ser. 245, 012078 (2010).
  150. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, X. Le Roux, E. Gatti, S. Edmond, J. Osmond, E. Cassan, and L. Vivien: Ge/SiGe quantum wells structures for optical modulation.In IEEE 7th Int. Conf. Group IV Photonics, 63--65 (2010).
  151. A. Picco, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, M. Giarola, G. Mariotto, D. Chrastina, and G. Isella: Raman efficiency in SiGe alloys, Phys. Rev. B 82, 115317 (2010).
  152. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, X. L. Roux, E. Gatti, S. Edmond, J. Osmond, E. Cassan, and L. Vivien: Quantum-confined Stark effect measurements in Ge/SiGe quantum well structures, Optics Lett. 35, 2913 (2010).
  153. A. Picco, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, M. Giarola, G. Mariotto, and D. Chrastina: Determination of Raman efficiency in SiGe alloys, AIP Conf. Proc. 1267, 251 (2010).
  154. G. Micard, G. Hahn, B. Terheiden, D. Chrastina, G. Isella, T. Moiseev, D. Cavalcoli, A. Cavallini, S. Binetti, M. Acciarri, A. Le Donne, M. Texier, and B. Pichaud: Electrical and structural properties of p-type nanocrystalline silicon grown by LEPECVD for photovoltaic applications, phys. stat. sol. (c) 7, 712 (2010).
  155. G. Matmon, D. J. Paul, L. Lever, M. Califano, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, J. Zhang, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Müller, and A. Neels: Si/SiGe quantum cascade superlattice designs for terahertz emission, J. Appl. Phys. 107, 053109 (2010).
  156. C. Lange, N. S. Köster, S. Chatterjee, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, B. Kunert, and W. Stolz: Comparison of ultrafast carrier thermalization in GaxIn1-xAs and Ge quantum wells, Phys. Rev. B 81, 045320 (2010).
  157. S. Chatterjee, C. Lange, N. S. Köster, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, M. Schäfer, M. Kira, and S. W. Koch: Optical gain and transient nonlinearities in Ge quantum wells.In IEEE 6th Int. Conf. Group IV Photonics, 268--270 (2009).
  158. M. Bollani, D. Chrastina, A. Fedorov, G. Isella, and R. Sordan: Patterning of Si substrates for Ge/Si(001) islands grown by low-energy plasma enhanced CVD, Proc. SPIE Nanotechnology IV 7364, 7364 0I (2009).
  159. S. Bietti, C. Somaschini, S. Sanguinetti, N. Koguchi, G. Isella, and D. Chrastina: Fabrication of high efficiency III-V quantum nanostructures at low thermal budget on Si, Appl. Phys. Lett. 95, 241102 (2009).
  160. S. Bietti, S. Sanguinetti, C. Somaschini, N. Koguchi, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Fabrication of GaAs quantum dots by droplet epitaxy on Si/Ge virtual substrate, IOP Conf. Ser.: Mat. Sci. Eng. 6, 012009 (2009).
  161. T. Moiseev, G. Isella, D. Chrastina, and C. Cavallotti: Langmuir probe plasma parameters and kinetic rates in a Ar--SiH4--H2 plasma during nc-Si films deposition for photovoltaic applications, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 225202 (2009).
  162. C. Cavallotti, M. Rondanini, T. Moiseev, D. Chrastina, and G. Isella: An investigation of the gas phase and surface chemistry active during the PECVD of nc-silicon: A detailed model of the gas phase and surface chemistry, ECS Transactions 25, 107 (2009).
  163. T. Moiseev, D. Chrastina, G. Isella, and C. Cavallotti: Plasma composition and kinetic reaction rates in a LEPECVD Ar-SiH4-H2 plasma during nc-Si films deposition for photovoltaic applications, ECS Transactions 25, 1065 (2009).
  164. F. Pezzoli, E. Bonera, M. Bollani, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Raman spectroscopy for the analysis of temperature-dependent plastic relaxation of SiGe layers, Acta Phys. Pol. A 116, 78 (2009).
  165. A. Trita, F. Bragheri, I. Cristiani, V. Degiorgio, D. Chrastina, D. Colombo, G. Isella, H. von Känel, F. Gramm, E. Müller, M. Döbeli, E. Bonera, R. Gatti, F. Pezzoli, E. Grilli, M. Guzzi, and L. Miglio: Impact of misfit dislocations on wavefront distortion in Si/SiGe/Si optical waveguides, Opt. Commun. 282, 4716 (2009).
  166. A. Calloni, R. Ferragut, F. Moia, A. Dupasquier, G. Isella, D. Marongiu, G. Norga, A. Federov, and D. Chrastina: Positron annihilation studies of defects in Si1-xGex/SOI heterostructures, phys. stat. sol. (c) 6, 2304 (2009).
  167. R. Sordan, A. Miranda, F. Traversi, D. Colombo, D. Chrastina, G. Isella, M. Masserini, L. Miglio, K. Kern, and K. Balasubramanian: Vertical arrays of nanofluidic channels fabricated without nanolithography, Lab Chip 9, 1556 (2009).
  168. E. Poliani, C. Somaschini, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, A. Le Donne, S. Binetti, D. Chrastina, and G. Isella: Tuning by means of laser annealing of electronic and structural properties of nc-Si/a-Si:H, Mat. Sci. Eng. B 159--160, 31 (2009).
  169. J. Osmond, G. Isella, D. Chrastina, R. Kaufmann, M. Acciarri, and H. von Känel: Ultra low dark current Ge/Si(100) photodiodes with low thermal budget, Appl. Phys. Lett. 94, 201106 (2009).
  170. C. Lange, N. S. Köster, S. Chatterjee, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, M. Schäfer, M. Kira, and S. W. Koch: Ultrafast nonlinear optical response of photoexcited Ge/SiGe quantum wells: Evidence for a femtosecond transient population inversion, Phys. Rev. B 79, 201306(R) (2009).
  171. M. Bonfanti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and H. Sigg: Direct-gap related optical transitions in Ge/SiGe quantum wells with Ge-rich barriers, Physica E 41, 972 (2009).
  172. T. Moiseev, D. Chrastina, G. Isella, and C. Cavallotti: Threshold ionization mass spectrometry in the presence of excited silane radicals, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 072003 (2009).
  173. M. Virgilio, M. Bonfanti, D. Chrastina, A. Neels, G. Isella, E. Grilli, M. Guzzi, G. Grosso, H. Sigg, and H. von Känel: Polarization-dependent absorption in Ge/SiGe multiple quantum wells: theory and experiment, Phys. Rev. B 79, 075323 (2009).
  174. P. L. Novikov, A. Le Donne, S. Cereda, L. Miglio, S. Pizzini, S. Binetti, M. Rondanini, C. Cavallotti, D. Chrastina, T. Moiseev, H. von Känel, G. Isella, and F. Montalenti: Crystallinity and microstructure in Si films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition: A simple atomic-scale model validated by experiments, Appl. Phys. Lett. 94, 051904 (2009).
  175. F. Pezzoli, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si1-xGex/Si heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. 11, 279 (2008).
  176. D. Chrastina, A. Neels, M. Bonfanti, M. Virgilio, G. Isella, E. Grilli, M. Guzzi, G. Grosso, H. Sigg, and H. von Känel: Ge/SiGe multiple quantum wells for optical applications.In IEEE 5th Int. Conf. Group IV Photonics, 194--196 (2008).
  177. J. Osmond, G. Isella, D. Chrastina, R. Kaufmann, and H. von Känel: High speed Ge photodetector integrated on silicon-on-insulator operating at very low bias voltage.In IEEE 5th Int. Conf. Group IV Photonics, 164--166 (2008).
  178. G. Isella, G. Matmon, A. Neels, E. Müller, M. Califano, D. Chrastina, H. von Känel, L. Lever, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, and D. J. Paul: SiGe/Si quantum cascade structures deposited by low-energy plasma-enhanced CVD.In IEEE 5th Int. Conf. Group IV Photonics, 29--31 (2008).
  179. J. Osmond, G. Isella, D. Chrastina, R. Kaufmann, and H. von Känel: Ge/Si (100) heterojunction photodiodes fabricated from material grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapour deposition, Thin Solid Films 517, 380 (2008).
  180. M. Bonfanti, E. Grilli, M. Guzzi, M. Virgilio, G. Grosso, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and A. Neels: Optical transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells with Ge-rich barriers, Phys. Rev. B 78, 041407(R) (2008).
  181. R. Sordan, A. Miranda, J. Osmond, D. Colombo, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Gate-controlled rectifying barrier in a two-dimensional hole gas, Nanotechnology 19, 335201 (2008).
  182. M. Rondanini, C. Cavallotti, D. Ricci, D. Chrastina, G. Isella, T. Moiseev, and H. von Känel: An experimental and theoretical investigation of a magnetically confined dc plasma discharge, J. Appl. Phys. 104, 013304 (2008).
  183. D. J. Paul, G. Matmon, L. Lever, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Müller, and A. Neels: SiGe/Si bound-to-continuum terahertz quantum cascade emitters.In SiGe, Ge, and Related Compounds, 865--874 (2008).
  184. D. J. Paul, G. Matmon, L. Lever, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Si/SiGe bound-to-continuum quantum cascade terahertz emitters, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 6996, 69961C (2008).
  185. F. Pezzoli, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Phonon strain shift coefficients in Si1-xGex alloys, J. Appl. Phys. 103, 093521 (2008).
  186. M. Stoffel, A. Malachias, T. Merdzhanova, F. Cavallo, G. Isella, D. Chrastina, H. von Känel, A. Rastelli, and O. G. Schmidt: SiGe wet chemical etchants with high compositional selectivity and low strain sensitivity, Semicond. Sci. Technol. 23, 085021 (2008).
  187. D. Cavalcoli, M. Rossi, A. Tomasi, A. Cavallini, D. Chrastina, and G. Isella: Hydrogenated nanocrystalline silicon thin films studied by scanning force microscopy, Solid State Phenom. 131--133, 547 (2008).
  188. H. von Känel, M. Bollani, M. Bonfanti, D. Chrastina, D. Colombo, A. Dommann, M. Guzzi, G. Isella, A. Miranda, E. Müller, A. Neels, J. Osmond, B. Rössner, R. Sordan, and F. Traversi: Epitaxial Si-Ge heterostructures and nanostructures for optical and electrical applications.In Proceedings of the 2nd Conference on Nanostructures (NS2008) (2008).
  189. A. Cavallini, D. Cavalcoli, M. Rossi, A. Tomasi, S. Pizzini, D. Chrastina, and G. Isella: Defect analysis of hydrogenated nanocrystalline Si thin films, Physica B 401--402, 519 (2007).
  190. A. Trita, I. Cristiani, V. Degiorgio, D. Chrastina, and H. von Känel: Measurement of carrier lifetime and interface recombination velocity in Si-Ge waveguides, Appl. Phys. Lett. 91, 041112 (2007).
  191. A. Trita, I. Cristiani, V. Degiorgio, M. Döbeli, D. Chrastina, and H. von Känel: Measurement of the lifetime of photo-generated free carriers in SiGe waveguides, J. Nonlinear Opt. Phys. 16, 207 (2007).
  192. B. Rössner, H. von Känel, D. Chrastina, G. Isella, and B. Batlogg: Effective mass measurement: the influence of hole band nonparabolicity in SiGe/Ge quantum wells, Semicond. Sci. Technol. 22, S191 (2007).
  193. S. Tsujino, H. Sigg, G. Mussler, D. Chrastina, and H. von Känel: Photocurrent and transmission spectroscopy of direct-gap interband transitions in Ge/SiGe quantum wells, Appl. Phys. Lett. 89, 262119 (2006).
  194. F. Pezzoli, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Strain-induced shift of phonon modes in Si1-xGex alloys, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 541 (2006).
  195. B. Rössner, B. Batlogg, H. von Känel, D. Chrastina, and G. Isella: Hole band nonparabolicity and effective mass measurement in p-SiGe/Ge heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 777 (2006).
  196. S. Pizzini, M. Acciarri, S. Binetti, D. Cavalcoli, A. Cavallini, D. Chrastina, L. Colombo, E. Grilli, G. Isella, M. Lancin, A. Le Donne, A. Mattoni, K. Peter, B. Pichaud, E. Poliani, M. Rossi, S. Sanguinetti, M. Texier, and H. von Känel: Nanocrystalline silicon films as multifunctional material for optoelectronic and photovoltaic applications, Mat. Sci. Eng. B 134, 118 (2006).
  197. R. Sordan, A. Miranda, J. Osmond, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Logic gates with a single Hall bar heterostructure, Appl. Phys. Lett. 89, 152122 (2006).
  198. B. Rössner, H. von Känel, D. Chrastina, G. Isella, and B. Batlogg: 2-D hole gas with two-subband occupation in a strained Ge channel: Scattering mechanisms, Thin Solid Films 508, 351 (2006).
  199. R. Ginige, B. Corbett, M. Modreanu, C. Barrett, J. Hilgarth, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Characterization of Ge-on-Si virtual substrates and single junction GaAs solar cells, Semicond. Sci. Technol. 21, 775 (2006).
  200. R. Ginige, B. Corbett, J. Hilgarth, D. Chrastina, and H. von Känel: Single junction GaAs solar cells on Ge virtual substrates grown directly on silicon by LEPECVD.In 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Barcelona (2005).
  201. B. Rössner, H. von Känel, D. Chrastina, G. Isella, and B. Batlogg: Electron-electron interaction in p-SiGe/Ge quantum wells, Mat. Sci. Eng. B 124--125, 184 (2005).
  202. F. Pezzoli, L. Martinelli, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, M. Bollani, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Raman spectroscopy of Si1-xGex epilayers, Mat. Sci. Eng. B 124--125, 127 (2005).
  203. D. Chrastina, B. Rössner, G. Isella, H. von Känel, J. P. Hague, T. Hackbarth, H.-J. Herzog, K.-H. Hieber, and U. König: LEPECVD -- a production technique for SiGe MOSFETs and MODFETs.In E. Zschech, C. Whelan, and T. Mikolajick (eds.), Materials for Information Technology, 17--29. Springer (2005).
  204. D. Chrastina, G. Isella, M. Bollani, B. Rössner, E. Müller, T. Hackbarth, E. Wintersberger, Z. Zhong, J. Stangl, and H. von Känel: Thin relaxed SiGe virtual substrates grown by low--energy plasma--enhanced chemical vapor deposition, J. Cryst. Growth 281, 281 (2005).
  205. D. Chrastina: Comment on “Smooth relaxed Si0.75Ge0.25 layers on Si(001) via in situ rapid thermal annealing”, Appl. Phys. Lett. 85, 5469 (2004).
  206. H. von Känel, D. Chrastina, B. Rössner, G. Isella, J. P. Hague, and M. Bollani: High mobility SiGe heterostructures fabricated by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition, Microelectron. Eng. 76, 278 (2004).
  207. A. Marzegalli, F. Montalenti, M. Bollani, L. Miglio, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Relaxed SiGe heteroepitaxy on Si with very thin buffer layers: experimental LEPECVD indications and an interpretation based on strain-dependent dislocation nature, Microelectron. Eng. 76, 289 (2004).
  208. D. Chrastina, G. Isella, B. Rössner, M. Bollani, E. Müller, T. Hackbarth, and H. von Känel: High quality SiGe electronic material grown by low energy plasma enhanced chemical vapour deposition, Thin Solid Films 459, 37 (2004).
  209. G. Isella, D. Chrastina, B. Rössner, T. Hackbarth, H.-J. Herzog, U. König, and H. von Känel: Low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition for strained Si and Ge heterostructures and devices, Solid State Electron. 48, 1317 (2004).
  210. M. Enciso Aguilar, M. Rodriguez, N. Zerounian, F. Aniel, T. Hackbarth, H.-J. Herzog, U. König, S. Mantl, B. Holländer, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, K. Lyutovich, and M. Oehme: Strained Si HFETs for microwave applications: state-of-the-art and further approaches, Solid State Electron. 48, 1443 (2004).
  211. B. Rössner, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Scattering mechanisms in high-mobility strained Ge channels, Appl. Phys. Lett. 84, 3058 (2004).
  212. L. Martinelli, A. Marzegalli, P. Raiteri, M. Bollani, F. Montalenti, L. Miglio, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Formation of strain-induced Si-rich and Ge-rich nanowires at misfit dislocations in SiGe: A model supported by photoluminescence data, Appl. Phys. Lett. 84, 2895 (2004).
  213. M. Bollani, E. Müller, G. Isella, S. Signoretti, D. Chrastina, and H. von Känel: Dislocation density and structure in Si1-xGex buffer layers deposited by LEPECVD, Inst. Phys. Conf. Ser. 180, 247 (2004).
  214. D. Chrastina, J. P. Hague, and D. R. Leadley: Application of Bryan's algorithm to the mobility spectrum analysis of semiconductor devices, J. Appl. Phys. 94, 6583 (2003).
  215. T. Hackbarth, H.-J. Herzog, K.-H. Hieber, U. König, M. Bollani, D. Chrastina, and H. von Känel: Reduced self-heating in Si/SiGe field-effect transistors on thin virtual substrates prepared by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition, Appl. Phys. Lett. 83, 5464 (2003).
  216. P. Abele, M. Zeuner, I. Kallfass, J. Müller, H. L. Hiwilepo, T. Hackbarth, D. Chrastina, H. von Känel, U. König, and H. Schumacher: 32 GHz MMIC distributed amplifier based on N-channel SiGe MODFETs, Electron. Lett. 39, 1448 (2003).

Posters

Useful links

Copyright © 2010 L-NESS Como