L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Giovanni Isella

Associate Professor

Leader of SiGe Epitaxy group

Contact

e-mail:
tel:Como: +39 031 332 7303
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
Italy
office:Via Anzani 1.06
web:Polimi
SCOPUS

Giovanni Isella

Education

Main Research Interest

Publications

  1. V. Giliberti, E. Sakat, M. Bollani, M. V. Altoe, M. Melli, A. Weber-Bargioni, L. Baldassarre, M. Celebrano, J. Frigerio, G. Isella, S. Cabrini, and M. Ortolani: Scanning probe microscopy: Functionalization of scanning probe tips with epitaxial semiconductor layers, Small Methods 141, 168 (2015).
  2. J. M. Ramírez, V. Vakarin, P. Chaisakul, J. Frigerio, A. Ballabio, C. Gilles, D. Chrastina, Q. Liu, G. Maisons, X. Le Roux, L. Vivien, M. Carras, G. Isella, and D. Marris-Morini: Ge-rich SiGe waveguides for mid-infrared photonics, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 10108, 1010812 (2017).
  3. J. M. Ramírez, V. Vakarin, J. Frigerio, P. Chaisakul, D. Chrastina, X. Le Roux, A. Ballabio, L. Vivien, G. Isella, and D. Marris-Morini: Ge-rich graded-index Si1-xGex waveguides with broadband tight mode confinement and flat anomalous dispersion for nonlinear mid-infrared photonics, Opt. Express 25, 6561 (2016).
  4. J. M. Ramírez, V. Vakarin, M. Rahman, P. Chaisakul, X. Le Roux, L. Vivien, D. Marris-Morini, D. Chrastina, J. Frigerio, A. Ballabio, and G. Isella: Broadband single mode SiGe graded waveguides with tight mode confinement for mid-infrared photonics.In IEEE Photonics North, 1 (2016).
  5. S.-Q. Li, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, A. Solanki, W. Song, C. Zheng, and K. B. Crozier: Vertical germanium nanowire photodetectors with suspended graphene top contact.In Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference, SM4E.7 (2016).
  6. A. Giorgioni, S. Paleari, S. Cecchi, E. Vitiello, E. Grilli, G. Isella, W. Jantsch, M. Fanciulli, and F. Pezzoli: Strong confinement-induced engineering of the g factor and lifetime of conduction electron spins in Ge quantum wells.Nature Communications 7, 13886 (2016).
  7. M. Bollani, V. Giliberti, E. Sakat, L. Baldassarre, M. Celebrano, J. Frigerio, G. Isella, M. Finazzi, M. Melli, A. Weber-Bargioni, S. Cabrini, P. Biagioni, and M. Ortolani: Photoluminescence emission from a nanofabricated scanning probe tip made of epitaxial germanium, Microelectron. Eng. 159, 164 (2016).
  8. F. Isa, M. Salvalaglio, Y. Arroyo Rojas Dasilva, A. Jung, G. Isella, R. Erni, B. Timotijevic, P. Niedermann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Enhancing elastic stress relaxation in SiGe/Si heterostructures by Si pillar necking, Appl. Phys. Lett. 109, 182112 (2016).
  9. F. Isa, A. Jung, M. Salvalaglio, Y. Arroyo Rojas Dasilva, I. Marozau, M. Meduňa, M. Barget, A. Marzegalli, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, O. Sereda, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Strain engineering in highly mismatched SiGe/Si heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. online (2016).
  10. Y. Arroyo Rojas Dasilva, M. D. Rossell, F. Isa, R. Erni, G. Isella, H. von Känel, and P. Grönig: Strain relaxation in epitaxial Ge crystals grown on patterned Si(001) substrates, Scripta Mater. 127, 169 (2016).
  11. V. Vakarin, P. Chaisakul, J. Frigerio, A. Ballabio, X. Le Roux, J. R. Coudevylle, L. Vivien, G. Isella, and D. Marris-Morini: Silicon germanium on graded buffer as a new platform for optical interconnects on silicon.In H. Schröder and R. T. Chen (eds.), Optical Interconnects XVI, volume Proc. SPIE 9753, 975309 (2016).
  12. F. Pezzoli, A. Giorgioni, K. Gallacher, F. Isa, P. Biagioni, R. W. Millar, E. Gatti, E. Grilli, E. Bonera, G. Isella, D. J. Paul, and L. Miglio: Disentangling nonradiative recombination processes in ge micro-crystals on Si substrates, Appl. Phys. Lett. 108, 262103 (2016).
  13. R. W. Millar, K. Gallacher, A. Samarelli, J. Frigerio, D. Chrastina, T. Dieing, G. Isella, and D. J. Paul: Expanding the Ge emission wavelength to 2.25 μm with SixNy strain engineering, Thin Solid Films 602, 90 (2016).
  14. L. Ferre Llin, A. Samarelli, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller Gubler, T. Etzelstorfer, J. Stangl, and D. J. Paul: Thermoelectric cross-plane properties on p- and n-Ge/SixGe1-x superlattices, Thin Solid Films 602, 90 (2016).
  15. J. Frigerio, V. Vakarin, P. Chaisakul, A. Ballabio, D. Chrastina, X. Le Roux, L. Vivien, G. Isella, and D. Marris-Morini: Electro-absorption and electro-refraction in Ge/SiGe coupled quantum wells.In L. Vivien, L. Pavesi, and S. Pelli (eds.), Silicon Photonics and Photonic Integrated Circuits V, volume Proc. SPIE 9891, 989113 (2016).
  16. D. Marris-Morini, V. Vakarin, P. Chaisakul, J. Frigerio, M. Rahman, J. M. Ramìrez, M.-S. Rouifed, D. Chrastina, X. Le Roux, G. Isella, and L. Vivien: Silicon photonics based on Ge/SiGe quantum well structures.In Transparent Optical Networks (ICTON), 2016 18th International Conference on, 1--3 (2016).
  17. F. Isa, A. Jung, M. Salvalaglio, Y. Arroyo Rojas Dasilva, M. Meduňa, M. Barget, T. Kreiliger, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, K. Zweiacker, A. Neels, A. Dommann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Elastic and plastic stress relaxation in highly mismatched SiGe/Si crystals, MRS Advances online (2016).
  18. F. Isa, M. Salvalaglio, Y. A. R. Dasilva, A. Jung, G. Isella, R. Erni, P. Niedermann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: From plastic to elastic stress relaxation in highly mismatched SiGe/Si heterostructures, Acta Mater. 114, 97 (2016).
  19. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, A. Marzegalli, D. Chrastina, G. Isella, L. Miglio, A. Dommann, and H. von Känel: Lattice bending in three-dimensional Ge microcrystals studied by X-ray nanodiffraction and modelling, J. Appl. Cryst. 49, 976 (2016).
  20. R. W. Millar, K. Gallacher, J. Frigerio, A. Ballabio, A. Bashir, I. MacLaren, G. Isella, and D. J. Paul: Analysis of Ge micro-cavities with in-plane tensile strains above 2%, Opt. Express 24, 4365 (2016).
  21. R. Bergamaschini, M. Salvalaglio, A. Scaccabarozzi, F. Isa, C. V. Falub, G. Isella, H. von Känel, F. Montalenti, and L. Miglio: Temperature-controlled coalescence during the growth of Ge crystals on deeply patterned Si substrates, J. Cryst. Growth 440, 86 (2016).
  22. A. G. Taboada, M. Medunňa, M. Salvalaglio, F. Isa, T. Kreiliger, C. V. Falub, E. Barthazy Meier, E. Müller, L. Miglio, G. Isella, and H. von Känel: GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scale, J. Appl. Phys. 119, 055301 (2016).
  23. J. Frigerio, L. Baldassarre, E. Sakat, A. Samarelli, K. Gallacher, M. Fischer, D. Brida, D. J. Paul, G. Isella, P. Biagioni, and M. Ortolani: Heavily phosphorous-doped germanium thin films for mid-infrared plasmonics.In IEEE 12th Int. Conf. Group IV Photonics, 94--95 (2015).
  24. D. Marris-Morini, P. Chaisakul, J. Frigerio, M.-S. Rouifed, V. Vakarin, D. Chrastina, X. Le Roux, G. Isella, and L. Vivien: Silicon photonics based on Ge/SiGe quantum well structures.In IEEE 12th Int. Conf. Group IV Photonics, 11--12 (2015).
  25. K. Gallacher, A. Ballabio, R. W. Millar, A. Samarelli, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, L. Baldassarre, M. Ortolani, E. Sakat, P. Biagioni, and D. J. Paul: Mid-infrared intersubband absorption in p-Ge/SiGe quantum wells grown on Si.In IEEE 12th Int. Conf. Group IV Photonics, 15--16 (2015).
  26. R. W. Millar, K. Gallacher, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, and D. J. Paul: Highly strained Ge and Si microdisks with silicon nitride stressors.In IEEE 12th Int. Conf. Group IV Photonics, 15--16 (2015).
  27. D. Marris-Morini, P. Chaisakul, J. Frigerio, D. Chrastina, V. Vakarin, S. Cecchi, G. Isella, and L. Vivien: Optical interconnects based on Ge/SiGe multiple quantum well structures.In Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference, SM3G.1 (2015).
  28. A. Samarelli, J. Frigerio, E. Sakat, L. Baldassarre, K. Gallacher, M. Finazzi, G. Isella, M. Ortolani, P. Biagioni, and D. J. Paul: Fabrication of mid-infrared plasmonic antennas based on heavily doped germanium thin films, Thin Solid Films 602, 52 (2015).
  29. F. Isa, M. Salvalaglio, Y. A. R. Dasilva, M. Meduňa, M. Barget, A. Jung, T. Kreiliger, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Highly mismatched, dislocation-free SiGe/Si heterostructures, Adv. Mater. 28, 884 (2015).
  30. V. Vakarin, P. Chaisakul, J. Frigerio, A. Ballabio, X. Le Roux, J.-R. Coudevylle, D. Bouville, D. Perez-Galacho, L. Vivien, G. Isella, and D. Marris-Morini: Sharp bends and Mach--Zehnder interferometer based on Ge-rich-SiGe waveguides on SiGe graded buffer, Opt. Express 23, 30821 (2015).
  31. J. Frigerio, V. Vakarin, P. Chaisakul, M. Ferretto, D. Chrastina, X. Le Roux, L. Vivien, G. Isella, and D. Marris-Morini: Giant electro-optic effect in Ge/SiGe coupled quantum wells, Sci. Reports 5, 15398 (2015).
  32. L. Baldassarre, E. Sakat, J. Frigerio, A. Samarelli, K. Gallacher, E. Calandrini, G. Isella, D. Paul, M. Ortolani, and P. Biagioni: Mid-infrared plasmon-enhanced spectroscopy with germanium antennas on silicon substrates, Nano Lett. 15, 7225 (2015).
  33. F. Isa, C. Chèze, M. Siekacz, C. Hauswald, J. Lähnemann, S. Fernández-Garrido, T. Kreiliger, M. Ramsteiner, Y. A. R. Dasilva, O. Brandt, G. Isella, R. Erni, R. Calarco, H. Riechert, and L. Miglio: Integration of GaN crystals on micropatterned Si(0 0 1) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy, Cryst. Growth Design 15, 4886 (2015).
  34. Y. Arroyo Rojas Dasilva, M. D. Rossell, D. Keller, P. Grönig, F. Isa, T. Kreiliger, H. von Känel, G. Isella, and R. Erni: Analysis of edge threading dislocations b = 1/2 <110> in three dimensional Ge crystals grown on (001)-Si substrates.Appl. Phys. Lett. 107, 093501 (2015).
  35. A. Jung, A. G. Taboada, W. Stumpf, T. Kreiliger, F. Isa, G. Isella, E. Barthazy Meier, and H. von Känel: Heterointegration of InGaAs/GaAs quantum wells on micro-patterned Si substrates, J. Appl. Phys. 118, 075701 (2015).
  36. F. Isa, F. Pezzoli, G. Isella, M. Meduňa, C. V. Falub, E. Müller, T. Kreiliger, A. G. Taboada, H. von Känel, and L. Miglio: Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates, Semicond. Sci. Technol. 30, 105001 (2015).
  37. H. Groiss, M. Glaser, A. Marzegalli, F. Isa, G. Isella, L. Miglio, and F. Schäffler: Burgers vector analysis of vertical dislocations in Ge crystals by large-angle convergent beam electron diffraction, Microsc. Microanal. 21, 637 (2015).
  38. R. W. Millar, K. Gallacher, A. Samarelli, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, T. Dieing, and D. J. Paul: Extending the emission wavelength of Ge nanopillars to 2.25 μm using silicon nitride stressors, Opt. Express 23, 18193 (2015).
  39. V. Giliberti, E. Sakat, L. Baldassarre, A. Di Gaspare, A. Notargiacomo, E. Giovine, J. Frigerio, G. Isella, M. Melli, A. Weber-Bargioni, S. Aloni, S. Sassolini, S. Cabrini, P. Biagioni, M. Ortolani, and M. Bollani: Three-dimensional fabrication of free-standing epitaxial semiconductor nanostructures obtained by focused ion beam, Microelectron. Eng. 141, 168 (2015).
  40. T. Etzelstorfer, M. R. Ahmadpor Monazam, S. Cecchi, D. Kriegner, D. Chrastina, E. Gatti, E. Grilli, N. Rosemann, S. Chatterjee, V. Holý, F. Pezzoli, G. Isella, and J. Stangl: Structural investigations of the α12 Si-Ge superstructure, J. Appl. Cryst. 48, 262 (2015).
  41. R. W. Millar, K. Gallacher, A. Samarelli, D. C. S. Dumas, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, and D. J. Paul: Process induced tensile strain of Ge on Si nanopillars by ICP-PECVD SiN stressor layers.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 235--236 (2014).
  42. R. Geiger, M. J. Süess, C. Bonzon, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, and H. Sigg: Carrier lifetimes in uniaxially strained Ge micro bridges.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 227--228 (2014).
  43. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, J. Frigerio, D. Chrastina, M. S. Rouifed, S. Cecchi, G. Isella, and L. Vivien: High quality SiGe waveguide platform for Ge photonics on bulk silicon substrates.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 108--109 (2014).
  44. M. S. Rouifed, D. Marris-Morini, X. Le Roux, P. Chaisakul, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, and L. Vivien: Advances towards the demonstration of a Ge/SiGe modulator integrated on SOI.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 75--76 (2014).
  45. J. Frigerio, F. Isa, E. Ghisetti, G. Isella, and L. Miglio: Infrared photodetectors fabricated on 3D epitaxial Ge-on-Si.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 61--62 (2014).
  46. J. Frigerio, M. Ortolani, L. Baldassarre, E. Calandrini, A. Samarelli, K. Gallacher, E. Sakat, M. Finazzi, D. J. Paul, P. Biagioni, and G. Isella: Mid-infrared plasmonic germanium antennas on silicon.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 27--28 (2014).
  47. J. Frigerio, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, and L. Vivien: (Invited) Photonic interconnection made by a Ge/SiGe MQW modulator connected to a Ge/SiGe MQW photodetector through a SiGe waveguide, ECS Transactions 64, 761 (2014).
  48. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, J. Frigerio, T. Etzelstorfer, E. Müller Gubler, J. Stangl, D. Chrastina, G. Isella, and D. Paul: (Invited) The thermoelectric properties of Ge/SiGe based superlattices: from materials to energy harvesting modules, ECS Transactions 64, 929 (2014).
  49. P. Biagioni, J. Frigerio, A. Samarelli, K. Gallacher, L. Baldassare, E. Sakat, E. Calandrini, R. W. Millar, V. Giliberti, G. Isella, D. J. Paul, and M. Ortolani: Group-IV midinfrared plasmonics, J. Nanophoton. 9, 093789 (2015).
  50. M. Celebrano, M. Baselli, M. Bollani, J. Frigerio, A. B. Shehata, A. Della Frera, A. Tosi, A. Farina, F. Pezzoli, J. Osmond, X. Wu, B. Hecht, R. Sordan, D. Chrastina, G. Isella, L. Duò, M. Finazzi, and P. Biagioni: Emission engineering in germanium nanostructures, ACS Photonics 2, 53 (2014).
  51. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, D. Chrastina, T. Kreiliger, G. Isella, and H. von Känel: Reconstruction of crystal shapes by X-ray nanodiffraction from three-dimensional superlattices, J. Appl. Cryst. 47, 2030 (2014).
  52. P. Chaisakul, J. Frigerio, D. Marris-Morini, V. Vakarin, D. Chrastina, G. Isella, and L. Vivien: O-band quantum-confined Stark effect optical modulator from Ge/Si0.15Ge0.85 quantum wells by well thickness tuning, J. Appl. Phys. 116, 193103 (2014).
  53. H. von Känel, F. Isa, C. V. Falub, E. J. Barthazy, E. Müller Gubler, D. Chrastina, G. Isella, T. Kreiliger, A. Gonzalez Taboada, M. Meduna, R. Kaufmann, A. Neels, A. Dommann, P. Niedermann, F. Mancarella, M. Mauceri, M. Puglisi, D. Crippa, F. La Via, R. Anzalone, N. Piluso, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, and L. Miglio: (Invited) Three-dimensional epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC crystals on deeply patterned Si substrates, ECS Transactions 64, 631 (2014).
  54. J. Frigerio, M. Lodari, D. Chrastina, V. Mondiali, G. Isella, and M. Bollani: Metastability and relaxation in tensile SiGe on Ge(001) virtual substrates, J. Appl. Phys. 116, 113507 (2014).
  55. K. Kolata, N. S. Köster, R. Woscholski, S. Imhof, A. Thränhardt, C. Lange, J. E. Sipe, F. Pezzoli, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, and S. Chatterjee: Holes in germanium quantum wells: spin relaxation and temperature dynamics, phys. stat. sol. (c) 10, 1238 (2014).
  56. E. Gatti, F. Isa, D. Chrastina, E. Müller Gubler, F. Pezzoli, E. Grilli, and G. Isella: Ge/SiGe quantum wells on Si(111): Growth, structural and optical properties, J. Appl. Phys. 116, 043518 (2014).
  57. F. Bottegoni, M. Celebrano, M. Bollani, P. Biagioni, G. Isella, F. Ciccacci, and M. Finazzi: Spin voltage generation through optical excitation of complementary spin populations, Nature Mater. 13, 790 (2014).
  58. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller Gubler, T. Etzelstorfer, J. Stangl, Y. Zhang, J. M. R. Weaver, P. S. Dobson, and D. J. Paul: Prospects for SiGe thermoelectric generators, Solid State Electron. 98, 70 (2014).
  59. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, T. Etzelstorfer, J. Stangl, E. Müller Gubler, J. M. R. Weaver, P. Dobson, and D. J. Paul: Multilayered Ge/SiGe material in microfabricated thermoelectric modules, J. Electron. Mater. 43, 3838 (2014).
  60. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Ge crystals on Si show their light, Phys. Rev. App. 1, 044005 (2014).
  61. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, J. Frigerio, D. Chrastina, M.-S. Rouifed, S. Cecchi, P. Crozat, G. Isella, and L. Vivien: Integrated germanium optical interconnects on silicon substrates, Nature Photonics 8, 482 (2014).
  62. T. Kreiliger, C. V. Falub, F. Isa, G. Isella, D. Chrastina, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, R. Kaufmann, P. Niedermann, A. Neels, E. Müller, M. Meduňa, A. Dommann, L. Miglio, and H. von Känel: Epitaxial Ge-crystal arrays for X-ray detection, J. Instrumentation 9, C03019 (2014).
  63. G. M. Vanacore, M. Zani, M. Bollani, E. Bonera, G. Nicotra, J. Osmond, G. Capellini, G. Isella, and A. Tagliaferri: Monitoring the kinetic evolution of self-assembled SiGe islands grown by Ge surface thermal diffusion from a local source, Nanotechnology 25, 135606 (2014).
  64. S. Cecchi, E. Gatti, D. Chrastina, J. Frigerio, E. Müller Gubler, D. J. Paul, M. Guzzi, and G. Isella: Thin SiGe virtual substrates for Ge heterostructure integration on silicon, J. Appl. Phys. 115, 093502 (2014).
  65. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, D. Chrastina, T. Kreiliger, G. Isella, A. G. Taboada, P. Niedermann, and H. von Känel: X-ray nano-diffraction on epitaxial crystals, Quantum Matter 3, 290 (2014).
  66. M.-S. Rouifed, D. Marris-Morini, P. Chaisakul, J. Frigerio, G. Isella, D. Chrastina, S. Edmond, X. Le Roux, J.-R. Coudevylle, D. Bouville, and L. Vivien: Advances toward Ge/SiGe quantum-well waveguide modulators at 1.3 μm, IEEE J. Sel. Top. Quant. 20, 3400207 (2014).
  67. P. Chen, J. J. Zhang, J. P. Feser, F. Pezzoli, O. Moutanabbir, S. Cecchi, G. Isella, T. Gemming, S. Baunack, G. Chen, O. G. Schmidt, and A. Rastelli: Thermal transport through short-period SiGe nanodot superlattices, J. Appl. Phys. 115, 044312 (2014).
  68. R. Geiger, J. Frigerio, M. J. Süess, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, and H. Sigg: Excess carrier lifetimes in Ge layers on Si, Appl. Phys. Lett. 104, 062106 (2014).
  69. A. G. Taboada, T. Kreiliger, C. V. Falub, F. Isa, M. Salvalaglio, L. Wewior, D. Fustor, M. Richter, E. Uccelli, P. Niedermann, A. Neels, F. Mancarella, B. Alén, L. Miglio, A. Dommann, G. Isella, and H. von Känel: Strain relaxation of GaAs/Ge crystals on patterned Si substrates, Appl. Phys. Lett. 104, 022112 (2014).
  70. A. Ferrari, F. Bottegoni, G. Isella, S. Cecchi, D. Chrastina, M. Finazzi, and F. Ciccacci: Spin-polarized photoemission from SiGe heterostructures, AIP Conf. Proc. 1566, 315 (2013).
  71. T. Kreiliger, C. V. Falub, A. G. Taboada, F. Isa, S. Cecchi, R. Kaufmann, P. Niedermann, A. Pezous, S. Mouaziz, A. Dommann, G. Isella, and H. von Känel: Individual heterojunctions of 3D germanium crystals on silicon CMOS for monolithically integrated X-ray detector, phys. stat. sol. (a) 211, 131 (2013).
  72. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, D. Chrastina, J.-R. Coudevylle, X. Le Roux, S. Edmond, G. Isella, and L. Vivien: Recent progress in GeSi electro-absorption modulators, Sci. Technol. Adv. Mat. 15, 014601 (2014).
  73. J. Frigerio, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, S. Cecchi, M.-S. Rouifed, G. Isella, and L. Vivien: Refractive index change induced by quantum confined Stark effect in Ge quantum wells.In IEEE 10th Int. Conf. Group IV Photonics, 67--68 (2013).
  74. R. Geiger, J. Frigerio, M. J. Süess, R. A. Minamisawa, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, and H. Sigg: Excess carrier lifetimes in Ge layers on Si.In IEEE 10th Int. Conf. Group IV Photonics, 103--104 (2013).
  75. R. Geiger, M. J. Süess, R. A. Minamisawa, C. Bonzon, G. Schiefler, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, and H. Sigg: Enhanced light emission from Ge micro bridges uniaxially strained beyond 3%.In IEEE 10th Int. Conf. Group IV Photonics, 93--94 (2013).
  76. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, G. Isella, D. Chrastina, and L. Vivien: Strong quantum-confined Stark effect from light hole excitonic transition in Ge quantum wells for ultra-compact optical modulator.In IEEE 10th Int. Conf. Group IV Photonics, 63--64 (2013).
  77. T. Etzelstorfer, M. J. Süess, G. L. Schiefler, V. L. R. Jacques, D. Carbone, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Stangl, H. Sigg, and A. Diaz: Scanning x-ray strain microscopy of inhomogeneously strained Ge micro-bridges, J. Synchrotron Rad. 21, 111 (2014).
  78. F. Isa, A. Marzegalli, A. G. Taboada, C. V. Falub, G. Isella, F. Montalenti, H. von Känel, and L. Miglio: Onset of vertical threading dislocations in Si1-xGex/Si (001) at a critical Ge concentration, APL Materials 1, 052109 (2013).
  79. C. V. Falub, T. Kreiliger, F. Isa, A. G. Taboada, M. Meduňa, F. Pezzoli, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, E. Müller, D. Chrastina, G. Isella, A. Neels, P. Niedermann, A. Dommann, L. Miglio, and H. von Känel: 3D heteroepitaxy of mismatched semiconductors on silicon, Thin Solid Films 557, 42 (2014).
  80. E. Gatti, A. Giorgioni, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, A. Chernikov, K. Kolata, V. Bornwasser, N. S. Köster, R. Woscholski, and S. Chatterjee: Relaxation and recombination processes in Ge/SiGe multiple quantum wells, AIP Conf. Proc. 1566, 470 (2013).
  81. R. Bergamaschini, F. Isa, C. V. Falub, P. Niedermann, E. Müller, G. Isella, H. von Känel, and L. Miglio: Self-aligned Ge and SiGe three-dimensional epitaxy on dense Si pillar arrays, Surf. Sci. Rep. 68, 390 (2013).
  82. A. G. Taboada, T. Kreiliger, C. V. Falub, M. Richter, F. Isa, E. Müller, E. Uccelli, P. Niedermann, A. Neels, G. Isella, J. Fompeyrine, A. Dommann, and H. von Känel: Integration of GaAs on Ge/Si towers by MOVPE, MRS Proceedings 1538, 283 (2013).
  83. D. Marris-Morini, P. Chaisakul, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, S. Edmond, X. Le Roux, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: Towards low energy consumption integrated photonic circuits based on Ge/SiGe quantum wells, Nanophotonics 2, 279 (2013).
  84. F. Bottegoni, A. Ferrari, G. Isella, M. Finazzi, and F. Ciccacci: Experimental evaluation of the spin-Hall conductivity in Si-doped GaAs, Phys. Rev. B 88, 121201(R) (2013).
  85. A. Ferrari, F. Bottegoni, G. Isella, S. Cecchi, and F. Ciccacci: Epitaxial Si1-xGex alloys studied by spin-polarized photoemission, Phys. Rev. B 88, 115209 (2013).
  86. L. Ferre Llin, A. Samarelli, S. Cecchi, T. Etzelstorfer, E. Müller Gubler, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, J. M. R. Weaver, P. S. Dobson, and D. J. Paul: The cross-plane thermoelectric properties of p-Ge/Si0.5Ge0.5 superlattices, Appl. Phys. Lett. 103, 143507 (2013).
  87. L. Ferre Llin, A. Samarelli, Y. Zhang, J. M. R. Weaver, P. Dobson, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, T. Etzelstorfer, J. Stangl, E. Müller Gubler, and D. J. Paul: Thermal conductivity measurement methods of for SiGe thermoelectric materials, J. Electron. Mater. 42, 2376 (2013).
  88. G. M. Vanacore, M. Chaigneau, N. Barrett, M. Bollani, F. Boioli, M. Salvalaglio, F. Montalenti, N. Manini, L. Caramella, P. Biagioni, D. Chrastina, G. Isella, O. Renault, M. Zani, R. Sordan, G. Onida, R. Ossikovski, H.-J. Drouhin, and A. Tagliaferri: Hydrostatic strain enhancement in laterally confined SiGe nanostripes, Phys. Rev. B 88, 115309 (2013).
  89. L. Miglio, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, P. Niedermann, A. Dommann, C. V. Falub, E. Müller, and H. von Känel: “divide et impera” in detector technology, Il Nuovo Saggiatore 29, 7 (2013).
  90. N. Accanto, S. Minari, L. Cavigli, S. Bietti, G. Isella, A. Vinattieri, S. Sanguinetti, and M. Gurioli: Kinetics of multiexciton complex in GaAs quantum dots on Si, Appl. Phys. Lett. 102, 053109 (2013).
  91. E. Bonera, R. Gatti, G. Isella, G. Norga, A. Picco, E. Grilli, M. Guzzi, M. Texier, and B. Pichaud: Dislocation distribution across ultrathin silicon-on-insulator with epitaxial SiGe stressor, Appl. Phys. Lett. 103, 053104 (2013).
  92. F. Pezzoli, L. Qing, A. Giorgioni, G. I. E. Grilli, M. Guzzi, and H. Dery: Spin and energy relaxation in germanium studied by spin-polarized direct-gap photoluminescence, Phys. Rev. B 88, 045204 (2013).
  93. N. S. Köster, A. C. Klettke, B. Ewers, R. Woscholski, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, M. Kira, S. W. Koch, and S. Chatterjee: Controlling the polarization dynamics by strong THz fields in photoexcited germanium quantum wells, New J. Phys. 15, 075004 (2013).
  94. A. Marzegalli, F. Isa, H. Groiss, E. Müller, C. V. Falub, A. G. Taboada, P. Niedermann, G. Isella, F. Schäffler, F. Montalenti, H. von Känel, and L. Miglio: Unexpected dominance of vertical dislocations in high-misfit Ge/Si(001) films and their elimination by deep substrate patterning, Adv. Mater. 25, 4408 (2013).
  95. M. Richter, E. Uccelli, A. G. Taboada, D. Caimi, N. Daix, M. Sousa, C. Marchiori, H. Siegwart, C. V. Falub, H. von Känel, F. Isa, G. Isella, A. Pezous, A. Dommann, P. Niedermann, and J. Fompeyrine: Heterointegration by molecular beam epitaxy: (In,Ga)As/GaAs quantum wells on GaAs, Ge, Ge/Si and Ge/Si pillars, J. Cryst. Growth 378, 109 (2013).
  96. D. Chrastina, S. Cecchi, J. P. Hague, J. Frigerio, A. Samarelli, L. Ferre-Llin, D. J. Paul, E. Müller, T. Etzelstorfer, J. Stangl, and G. Isella: Ge/SiGe superlattices for nanostructured thermoelectric modules, Thin Solid Films 543, 153 (2013).
  97. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Germanium crystals on silicon show their light, arXiv.org e-Print archive cond-mat, arXiv:1306.5270 (2013).
  98. C. V. Falub, M. Meduňa, D. Chrastina, F. Isa, A. Marzegalli, T. Kreiliger, A. G. Taboada, G. Isella, L. Miglio, A. Dommann, and H. von Känel: Perfect crystals grown from imperfect interfaces, Sci. Reports 3, 2276 (2013).
  99. S. Cecchi, T. Etzelstorfer, E. Müller, A. Samarelli, L. Ferre Llin, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, J. M. R. Weaver, P. Dobson, and D. J. Paul: Ge/SiGe superlattices for thermoelectric devices grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition, J. Electron. Mater. 42, 2030 (2013).
  100. A. Samarelli, L. Ferre Llin, Y. Zhang, J. M. R. Weaver, P. Dobson, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, T. Etzelstorfer, J. Stangl, E. Müller Gubler, and D. J. Paul: Power factor characterization of Ge/SiGe thermoelectric superlattices at 300 K, J. Electron. Mater. 42, 1449 (2013).
  101. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, J. Frigerio, T. Etzelstorfer, E. Müller, Y. Zhang, J. R. Watling, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, J. P. Hague, J. M. R. Weaver, P. Dobson, and D. J. Paul: The thermoelectric properties of Ge/SiGe modulation doped superlattices, J. Appl. Phys. 113, 233704 (2013).
  102. M. J. Süess, R. Geiger, R. A. Minamisawa, G. Schiefler, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, and H. Sigg: Analysis of enhanced light emission from highly strained germanium micro bridges, Nature Photonics 7, 466 (2013).
  103. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, G. Isella, D. Chrastina, J.-R. Coudevylle, X. Le Roux, S. Edmond, D. Bouville, and L. Vivien: Strong quantum-confined Stark effect from light hole related direct-gap transitions in Ge quantum wells, Appl. Phys. Lett. 102, 191107 (2013).
  104. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, and L. Vivien: Ge quantum well optoelectronic devices for light modulation, detection, and emission, Solid State Electron. 83, 92 (2013).
  105. A. Ferrari, F. Bottegoni, S. Cecchi, G. Isella, and F. Ciccacci: Optical spin orientation in group-IV heterostructures, J. Appl. Phys. 113, 17C504 (2013).
  106. F. Bottegoni, A. Ferrari, S. Cecchi, M. Finazzi, F. Ciccacci, and G. Isella: Photoinduced inverse spin Hall effect in Pt/Ge(001) at room temperature, Appl. Phys. Lett. 102, 152411 (2013).
  107. G. Isella, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M. S. Rouifed, D. Chrastina, J. Frigerio, X. L. Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: High extinction ratio, low energy Ge quantum well electro-absorption modulator with 23 GHz bandwidth, ECS Transactions 50, 387 (2013).
  108. G. Isella, F. Bottegoni, S. Cecchi, A. Ferrari, F. Ciccacci, F. Pezzoli, A. Giorgioni, E. Gatti, E. Grilli, M. Guzzi, C. Lange, N. S. Köster, R. Woscholski, S. Chatterjee, D. Trivedi, P. Li, Y. Song, , and H. Dery: Optical spin orientation in SiGe heterostructures, ECS Transactions 50, 831 (2013).
  109. S. Bietti, S. Cecchi, C. Frigeri, E. Grilli, A. Fedorov, A. Vinattieri, M. Gurioli, G. Isella, and S. Sanguinetti: Fabrication of Ge-on-Si substrates for the integration of high-quality GaAs nanostructures on Si, ECS Transactions 50, 783 (2013).
  110. D. J. Paul, A. Samarelli, L. Ferre Llin, Y. Zhang, J. M. R. Weaver, P. S. Dobson, S. Cecchi, J. Frigerio, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, T. Etzelstorfer, J. Stangl, and E. Müller Gubler: Si/SiGe thermoelectric generators, ECS Transactions 50, 959 (2013).
  111. J. Frigerio, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, S. Cecchi, M. S. Roufied, G. Isella, and L. Vivien: Electro-refractive effect in Ge/SiGe multiple quantum wells, Appl. Phys. Lett. 102, 061102 (2013).
  112. C. Frigeri, S. Bietti, G. Isella, and S. Sanguinetti: Structural characterization of GaAs self-assembled quantum dots grown by Droplet Epitaxy on Ge virtual substrates on Si, Appl. Surf. Sci. 267, 86 (2013).
  113. A. Giorgioni, F. Pezzoli, E. Gatti, S. Cecchi, C. K. Inoki, C. Deneke, E. Grilli, G. Isella, and M. Guzzi: Optical tailoring of carrier spin polarization in Ge/SiGe multiple quantum wells, Appl. Phys. Lett. 102, 012408 (2013).
  114. S. Cecchi, T. Etzelstorfer, E. Müller, A. Samarelli, L. F. Llin, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, and D. J. Paul: Ge/SiGe superlattices for thermoelectric energy conversion devices, J. Mater. Sci. 48, 2829 (2013).
  115. C. V. Falub, T. Kreiliger, A. G. Taboada, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, M. Meduňa, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, E. Bonera, F. Pezzoli, L. Miglio, P. Niedermann, A. Neels, A. Pezous, R. Kaufmann, A. Dommann, and H. von Känel: Three dimensional heteroepitaxy: A new path for monolithically integrating mismatched materials with silicon.In 2012 International Semiconductor Conference (CAS), 45--50 (2012).
  116. C. V. Falub, F. Isa, T. Kreiliger, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, A. G. Taboada, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, P. Niedermann, A. Dommann, A. Neels, A. Pezous, M. Meduňa, L. Miglio, and H. von Känel: Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals.In SiGe Technology and Device Meeting, 2012. ISTDM 2012. (2012).
  117. K. Kolata, N. S. Köster, A. Chernikov, M. J. Drexler, E. Gatti, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, M. Guzzi, and S. Chatterjee: Dephasing in Ge/SiGe quantum wells measured by means of coherent oscillations, Phys. Rev. B 86, 201303(R) (2012).
  118. K. Gallacher, P. Velha, D. J. Paul, S. Cecchi, J. Frigerio, D. Chrastina, and G. Isella: 1.55 μm direct bandgap electroluminescence from strained n-Ge quantum wells grown on Si substrates, Appl. Phys. Lett. 101, 211101 (2012).
  119. M.-S. Rouifed, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, J. Frigerio, G. Isella, D. Chrastina, S. Edmond, X. Le Roux, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: Quantum-confined Stark effect at 1.3 μm in Ge/Si0.35Ge0.65 quantum-well structure, Optics Lett. 37, 3960 (2012).
  120. F. Bottegoni, A. Ferrari, G. Isella, M. Finazzi, and F. Ciccacci: Enhanced orbital mixing in the valence band of strained germanium, Phys. Rev. B 85, 245312 (2012).
  121. L. Carroll, P. Friedli, S. Neuenschwander, H. Sigg, S. Cecchi, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, Y. Fedoryshyn, and J. Faist: Direct-gap gain and optical absorption in germanium correlated to the density of photoexcited carriers, doping, and strain, Phys. Rev. Lett. 109, 057402 (2012).
  122. C. Lange, G. Isella, D. Chrastina, F. Pezzoli, N. S. Köster, R. Woscholski, and S. Chatterjee: Spin band-gap renormalization and hole spin dynamics in Ge/SiGe quantum wells, Phys. Rev. B 85, 241303(R) (2012).
  123. L. Cavigli, S. Bietti, N. Accanto, S. Minari, M. Abbarchi, G. Isella, C. Frigeri, A. Vinattieri, M. Gurioli, and S. Sanguinetti: High temperature single photon emitter monolithically integrated on silicon, Appl. Phys. Lett. 100, 231112 (2012).
  124. L. Cavigli, S. Bietti, M. Abbarchi, C. Somaschini, A. Vinattieri, M. Gurioli, A. Fedorov, G. Isella, E. Grilli, and S. Sanguinetti: Fast emission dynamics in droplet epitaxy GaAs ring-disk nanostructures integrated on Si, J. Phys. Condens. Matt. 24, 104017 (2012).
  125. M. J. Süess, L. Carroll, H. Sigg, A. Diaz, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, and R. Spolenak: Tensile strained Ge quantum wells on Si substrate: Post-growth annealing versus low temperature re-growth, Mat. Sci. Eng. B 177, 696 (2012).
  126. F. Pezzoli, F. Bottegoni, D. Trivedi, F. Ciccacci, A. Giorgioni, P. Li, S. Cecchi, E. Grilli, Y. Song, M. Guzzi, H. Dery, and G. Isella: Optical spin injection and spin lifetime in Ge heterostructures, Phys. Rev. Lett. 108, 156603 (2012).
  127. K. Kolata, S. Imhof, N. S. Köster, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, J. E. Sipe, A. Thränhardt, and S. Chatterjee: Hole system heating by ultrafast interband energy transfer in optically excited Ge/SiGe quantum wells, Phys. Rev. B 85, 165312 (2012).
  128. P. H. Wu, D. Dumcenco, Y. S. Huang, H. P. Hsu, C. H. Lai, T. Y. Lin, D. Chrastina, G. Isella, E. Gatti, and K. K. Tiong: Above-room-temperature photoluminescence from a strain-compensated Ge/Si0.15Ge0.85 multiple-quantum-well structure, Appl. Phys. Lett. 100, 141905 (2012).
  129. F. Bottegoni, A. Ferrari, G. Isella, S. Cecchi, M. Marcon, D. Chrastina, G. Trezzi, and F. Ciccacci: Ge/SiGe heterostructures as emitters of polarized electrons, J. Appl. Phys. 111, 063916 (2012).
  130. D. Chrastina, G. M. Vanacore, M. Bollani, P. Boye, S. Schöder, M. Burghammer, R. Sordan, G. Isella, M. Zani, and A. Tagliaferri: Patterning-induced strain relief in single lithographic SiGe nanostructures studied by nanobeam x-ray diffraction, Nanotechnology 23, 155702 (2012).
  131. C. V. Falub, H. von Känel, F. Isa, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, P. Niedermann, and L. Miglio: Scaling hetero-epitaxy from layers to three-dimensional crystals, Science 335, 1330 (2012).
  132. S. Bietti, L. Cavigli, M. Abbarchi, A. Vinattieri, M. Gurioli, A. Fedorov, S. Cecchi, F. Isa, G. Isella, and S. Sanguinetti: High quality GaAs quantum nanostructures grown by droplet epitaxy on Ge and Ge-on-Si substrates, phys. stat. sol. (c) 9, 202 (2012).
  133. P. Chaisakul, M.-S. Rouifed, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, J. Frigerio, X. Le Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: High speed electro-absorption modulator based on quantum-confined Stark effect from Ge/SiGe multiple quantum wells.In IEEE 9th Int. Conf. Group IV Photonics, 60--62 (2012).
  134. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, G. Isella, D. Chrastina, J. Frigerio, X. Le Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: Ge/SiGe multiple quantum well optoelectronic devices for silicon photonics.In SiGe Technology and Device Meeting, 2012. ISTDM 2012. (2012).
  135. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, G. Isella, D. Chrastina, J. Frigerio, X. Le Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: 23 GHz Ge/SiGe multiple quantum well electro-absorption modulator, Opt. Express 20, 3219 (2012).
  136. H. P. Hsu, P. H. Wu, Y. S. Huang, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and K. K. Tiong: Photoreflectance study of direct-gap interband transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells with Ge-rich barriers, Appl. Phys. Lett. 100, 041905 (2012).
  137. P. H. Wu, Y. S. Huang, H. P. Hsu, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and K. K. Tiong: Temperature dependence of the direct interband transitions of a Ge/SiGe multiple-quantum-well structure with Ge-rich barriers, Phys. Rev. B 85, 035303 (2012).
  138. A. Giorgioni, E. Gatti, E. Grilli, A. Chernikov, S. Chatterjee, D. Chrastina, G. Isella, and M. Guzzi: Photoluminescence decay of direct and indirect transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells, J. Appl. Phys. 111, 013501 (2012).
  139. G. Isella, F. Bottegoni, F. Pezzoli, S. Cecchi, E. Gatti, D. Chrastina, E. Grilli, M. Guzzi, and F. Ciccacci: Optical spin injection in SiGe heterostructures.In H.-J. M. Drouhin, J.-E. Wegrowe, and M. Razeghi (eds.), Spintronics IV, volume Proc. SPIE 8100, 810007 (2011).
  140. E. Gatti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, A. Chernikov, V. Bornwasser, N. Köster, R. Woscholski, and S. Chatterjee: Photoluminescence and ultrafast inter-subband relaxation in Ge/SiGe multiple quantum wells, Phys. Rev. B 84, 245319 (2011).
  141. K. Kolata, N. Köster, R. Woscholski, C. Lange, S. Chatterjee, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Giant AC Stark shift in germanium.In Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference, QMH1 (2011).
  142. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, N. Izard, X. L. Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: Room temperature direct gap electroluminescence from Ge/Si0.15Ge0.85 multiple quantum well waveguide, Appl. Phys. Lett. 99, 141106 (2011).
  143. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, M.-S. Rouifed, X. L. Roux, S. Edmond, E. Cassan, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: 10-Gb/s Ge/SiGe multiple quantum-well waveguide photodetector, IEEE Photonic Tech. L. 23, 1430 (2011).
  144. R. Kaufmann, G. Isella, A. Sanchez-Amores, S. Neukom, A. Neels, L. Neumann, A. Brenzikofer, A. Dommann, C. Urban, and H. von Känel: Near infrared image sensor with integrated germanium photodiodes, J. Appl. Phys. 110, 023107 (2011).
  145. L. Carroll, F. Imbert, H. Sigg, M. Süess, E. Müller, M. Virgilio, G. Pizzi, P. Rossbach, D. Chrastina, and G. Isella: Quantum-confined direct-gap transitions in tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells, Appl. Phys. Lett. 99, 031907 (2011).
  146. F. Bottegoni, G. Isella, S. Cecchi, and F. Ciccacci: Spin polarized photoemission from strained Ge epilayers, Appl. Phys. Lett. 98, 242107 (2011).
  147. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, X. L. Roux, S. Edmond, J.-R. Coudevylle, E. Cassan, and L. Vivien: Polarization dependence of quantum-confined Stark effect in Ge/SiGe quantum well planar waveguides, Optics Lett. 36, 1794 (2011).
  148. N. S. Köster, K. Kolata, R. Woscholski, C. Lange, G. Isella, D. Chrastina, H. von Känel, and S. Chatterjee: Giant dynamical Stark shift in germanium quantum wells, Appl. Phys. Lett. 98, 161103 (2011).
  149. N. S. Köster, C. Lange, K. Kolata, S. Chatterjee, M. Schäfer, M. Kira, S. W. Koch, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and H. Sigg: Ultrafast transient gain in Ge/SiGe quantum wells, phys. stat. sol. (c) 8, 1109 (2011).
  150. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, X. Le Roux, S. Edmond, E. Cassan, J.-R. Coudevylle, and L. Vivien: Ge/SiGe multiple quantum well photodiode with 30 GHz bandwidth, Appl. Phys. Lett. 98, 131112 (2011).
  151. E. Gatti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Room temperature photoluminescence of Ge multiple quantum wells with Ge-rich barriers, Appl. Phys. Lett. 98, 031106 (2011).
  152. T. Moiseev, D. Chrastina, and G. Isella: Plasma composition by mass spectrometry in a Ar-SiH4-H2 LEPECVD process during nc-Si deposition, Plasma Chem. Plasma Processing 31, 157 (2011).
  153. S. Cecchi, F. Bottegoni, A. Ferrari, D. Chrastina, G. Isella, and F. Ciccacci: Spin polarized photoemission from strained Ge epilayers grown by low-energy plasma-enhanced CVD (LEPECVD).In IEEE 8th Int. Conf. Group IV Photonics, 83--85 (2011).
  154. R. Ferragut, A. Calloni, A. Dupasquier, and G. Isella: Defect characterization in SiGe/SOI epitaxial semiconductors by positron annihilation, Nanoscale Res. Lett. 5, 1942 (2010).
  155. N. S. Köster, C. Lange, S. Chatterjee, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, M. Schäfer, M. Kira, and S. W. Koch: Transient optical gain and carrier dynamics in Ge/SiGe quantum wells, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 7600, 76000B (2010).
  156. G. M. Vanacore, M. Zani, M. Bollani, D. Colombo, G. Isella, J. Osmond, R. Sordan, and A. Tagliaferri: Size evolution of ordered SiGe islands grown by surface thermal diffusion on pit-patterned Si(100) surface, Nanoscale Res. Lett. 5, 1921 (2010).
  157. S. Bietti, C. Somaschini, E. Sarti, N. Koguchi, S. Sanguinetti, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Photoluminescence study of low thermal budget III--V nanostructures on silicon by droplet epitaxy, Nanoscale Res. Lett. 5, 1650 (2010).
  158. S. Bietti, C. Somaschini, S. Sanguinetti, N. Koguchi, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Low thermal budget fabrication of III-V quantum nanostructures on Si substrates, J. Phys. Conf. Ser. 245, 012078 (2010).
  159. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, X. Le Roux, E. Gatti, S. Edmond, J. Osmond, E. Cassan, and L. Vivien: Ge/SiGe quantum wells structures for optical modulation.In IEEE 7th Int. Conf. Group IV Photonics, 63--65 (2010).
  160. A. Picco, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, M. Giarola, G. Mariotto, D. Chrastina, and G. Isella: Raman efficiency in SiGe alloys, Phys. Rev. B 82, 115317 (2010).
  161. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, X. L. Roux, E. Gatti, S. Edmond, J. Osmond, E. Cassan, and L. Vivien: Quantum-confined Stark effect measurements in Ge/SiGe quantum well structures, Optics Lett. 35, 2913 (2010).
  162. G. Micard, G. Hahn, B. Terheiden, D. Chrastina, G. Isella, T. Moiseev, D. Cavalcoli, A. Cavallini, S. Binetti, M. Acciarri, A. Le Donne, M. Texier, and B. Pichaud: Electrical and structural properties of p-type nanocrystalline silicon grown by LEPECVD for photovoltaic applications, phys. stat. sol. (c) 7, 712 (2010).
  163. G. Matmon, D. J. Paul, L. Lever, M. Califano, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, J. Zhang, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Müller, and A. Neels: Si/SiGe quantum cascade superlattice designs for terahertz emission, J. Appl. Phys. 107, 053109 (2010).
  164. C. Lange, N. S. Köster, S. Chatterjee, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, B. Kunert, and W. Stolz: Comparison of ultrafast carrier thermalization in GaxIn1-xAs and Ge quantum wells, Phys. Rev. B 81, 045320 (2010).
  165. S. Chatterjee, C. Lange, N. S. Köster, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, M. Schäfer, M. Kira, and S. W. Koch: Optical gain and transient nonlinearities in Ge quantum wells.In IEEE 6th Int. Conf. Group IV Photonics, 268--270 (2009).
  166. M. Bollani, D. Chrastina, A. Fedorov, G. Isella, and R. Sordan: Patterning of Si substrates for Ge/Si(001) islands grown by low-energy plasma enhanced CVD, Proc. SPIE Nanotechnology IV 7364, 7364 0I (2009).
  167. S. Bietti, C. Somaschini, S. Sanguinetti, N. Koguchi, G. Isella, and D. Chrastina: Fabrication of high efficiency III-V quantum nanostructures at low thermal budget on Si, Appl. Phys. Lett. 95, 241102 (2009).
  168. S. Bietti, S. Sanguinetti, C. Somaschini, N. Koguchi, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Fabrication of GaAs quantum dots by droplet epitaxy on Si/Ge virtual substrate, IOP Conf. Ser.: Mat. Sci. Eng. 6, 012009 (2009).
  169. T. Moiseev, G. Isella, D. Chrastina, and C. Cavallotti: Langmuir probe plasma parameters and kinetic rates in a Ar--SiH4--H2 plasma during nc-Si films deposition for photovoltaic applications, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 225202 (2009).
  170. C. Cavallotti, M. Rondanini, T. Moiseev, D. Chrastina, and G. Isella: An investigation of the gas phase and surface chemistry active during the PECVD of nc-silicon: A detailed model of the gas phase and surface chemistry, ECS Transactions 25, 107 (2009).
  171. T. Moiseev, D. Chrastina, G. Isella, and C. Cavallotti: Plasma composition and kinetic reaction rates in a LEPECVD Ar-SiH4-H2 plasma during nc-Si films deposition for photovoltaic applications, ECS Transactions 25, 1065 (2009).
  172. F. Pezzoli, E. Bonera, M. Bollani, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Raman spectroscopy for the analysis of temperature-dependent plastic relaxation of SiGe layers, Acta Phys. Pol. A 116, 78 (2009).
  173. A. Trita, F. Bragheri, I. Cristiani, V. Degiorgio, D. Chrastina, D. Colombo, G. Isella, H. von Känel, F. Gramm, E. Müller, M. Döbeli, E. Bonera, R. Gatti, F. Pezzoli, E. Grilli, M. Guzzi, and L. Miglio: Impact of misfit dislocations on wavefront distortion in Si/SiGe/Si optical waveguides, Opt. Commun. 282, 4716 (2009).
  174. A. Calloni, R. Ferragut, F. Moia, A. Dupasquier, G. Isella, D. Marongiu, G. Norga, A. Federov, and D. Chrastina: Positron annihilation studies of defects in Si1-xGex/SOI heterostructures, phys. stat. sol. (c) 6, 2304 (2009).
  175. R. Sordan, A. Miranda, F. Traversi, D. Colombo, D. Chrastina, G. Isella, M. Masserini, L. Miglio, K. Kern, and K. Balasubramanian: Vertical arrays of nanofluidic channels fabricated without nanolithography, Lab Chip 9, 1556 (2009).
  176. E. Poliani, C. Somaschini, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, A. Le Donne, S. Binetti, D. Chrastina, and G. Isella: Tuning by means of laser annealing of electronic and structural properties of nc-Si/a-Si:H, Mat. Sci. Eng. B 159--160, 31 (2009).
  177. J. Osmond, G. Isella, D. Chrastina, R. Kaufmann, M. Acciarri, and H. von Känel: Ultra low dark current Ge/Si(100) photodiodes with low thermal budget, Appl. Phys. Lett. 94, 201106 (2009).
  178. C. Lange, N. S. Köster, S. Chatterjee, H. Sigg, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, M. Schäfer, M. Kira, and S. W. Koch: Ultrafast nonlinear optical response of photoexcited Ge/SiGe quantum wells: Evidence for a femtosecond transient population inversion, Phys. Rev. B 79, 201306(R) (2009).
  179. M. Bonfanti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and H. Sigg: Direct-gap related optical transitions in Ge/SiGe quantum wells with Ge-rich barriers, Physica E 41, 972 (2009).
  180. T. Moiseev, D. Chrastina, G. Isella, and C. Cavallotti: Threshold ionization mass spectrometry in the presence of excited silane radicals, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 072003 (2009).
  181. M. Virgilio, M. Bonfanti, D. Chrastina, A. Neels, G. Isella, E. Grilli, M. Guzzi, G. Grosso, H. Sigg, and H. von Känel: Polarization-dependent absorption in Ge/SiGe multiple quantum wells: theory and experiment, Phys. Rev. B 79, 075323 (2009).
  182. P. L. Novikov, A. Le Donne, S. Cereda, L. Miglio, S. Pizzini, S. Binetti, M. Rondanini, C. Cavallotti, D. Chrastina, T. Moiseev, H. von Känel, G. Isella, and F. Montalenti: Crystallinity and microstructure in Si films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition: A simple atomic-scale model validated by experiments, Appl. Phys. Lett. 94, 051904 (2009).
  183. F. Pezzoli, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si1-xGex/Si heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. 11, 279 (2008).
  184. D. Chrastina, A. Neels, M. Bonfanti, M. Virgilio, G. Isella, E. Grilli, M. Guzzi, G. Grosso, H. Sigg, and H. von Känel: Ge/SiGe multiple quantum wells for optical applications.In IEEE 5th Int. Conf. Group IV Photonics, 194--196 (2008).
  185. J. Osmond, G. Isella, D. Chrastina, R. Kaufmann, and H. von Känel: High speed Ge photodetector integrated on silicon-on-insulator operating at very low bias voltage.In IEEE 5th Int. Conf. Group IV Photonics, 164--166 (2008).
  186. G. Isella, G. Matmon, A. Neels, E. Müller, M. Califano, D. Chrastina, H. von Känel, L. Lever, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, and D. J. Paul: SiGe/Si quantum cascade structures deposited by low-energy plasma-enhanced CVD.In IEEE 5th Int. Conf. Group IV Photonics, 29--31 (2008).
  187. J. Osmond, G. Isella, D. Chrastina, R. Kaufmann, and H. von Känel: Ge/Si (100) heterojunction photodiodes fabricated from material grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapour deposition, Thin Solid Films 517, 380 (2008).
  188. D. J. Paul, G. Matmon, L. Lever, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Müller, and A. Neels: SiGe/Si bound-to-continuum terahertz quantum cascade emitters.In SiGe, Ge, and Related Compounds, 865--874 (2008).
  189. M. Bonfanti, E. Grilli, M. Guzzi, M. Virgilio, G. Grosso, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and A. Neels: Optical transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells with Ge-rich barriers, Phys. Rev. B 78, 041407(R) (2008).
  190. R. Sordan, A. Miranda, J. Osmond, D. Colombo, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Gate-controlled rectifying barrier in a two-dimensional hole gas, Nanotechnology 19, 335201 (2008).
  191. M. Rondanini, C. Cavallotti, D. Ricci, D. Chrastina, G. Isella, T. Moiseev, and H. von Känel: An experimental and theoretical investigation of a magnetically confined dc plasma discharge, J. Appl. Phys. 104, 013304 (2008).
  192. D. J. Paul, G. Matmon, L. Lever, Z. Ikonić, R. W. Kelsall, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Si/SiGe bound-to-continuum quantum cascade terahertz emitters, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 6996, 69961C (2008).
  193. F. Pezzoli, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Phonon strain shift coefficients in Si1-xGex alloys, J. Appl. Phys. 103, 093521 (2008).
  194. M. Stoffel, A. Malachias, T. Merdzhanova, F. Cavallo, G. Isella, D. Chrastina, H. von Känel, A. Rastelli, and O. G. Schmidt: SiGe wet chemical etchants with high compositional selectivity and low strain sensitivity, Semicond. Sci. Technol. 23, 085021 (2008).
  195. A. Le Donne, S. Binetti, G. Isella, and S. Pizzini: Structural homogeneity of nc-Si films grown by Low-Energy PECVD, Electrochem. Solid St. 11, P5 (2008).
  196. A. Le Donne, S. Binetti, G. Isella, B. Pichaud, M. Texier, M. Acciarri, and S. Pizzini: Structural characterization of nc-Si films grown by low-energy PECVD on different substrates, Appl. Surf. Sci. 254, 2804 (2008).
  197. A. Le Donne, S. Binetti, G. Isella, B. Pichaud, M. Texier, M. Acciarri, and S. Pizzini: Advances in structural characterization of thin film nanocrystalline silicon for photovoltaic applications, Solid State Phenom. 131--133, 33 (2008).
  198. D. Cavalcoli, M. Rossi, A. Tomasi, A. Cavallini, D. Chrastina, and G. Isella: Hydrogenated nanocrystalline silicon thin films studied by scanning force microscopy, Solid State Phenom. 131--133, 547 (2008).
  199. A. Cavallini, D. Cavalcoli, M. Rossi, A. Tomasi, S. Pizzini, D. Chrastina, and G. Isella: Defect analysis of hydrogenated nanocrystalline Si thin films, Physica B 401--402, 519 (2007).
  200. D. Colombo, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, S. Marchionna, M. Bonfanti, A. Fedorov, H. von Känel, G. Isella, and E. Müller: Analysis of strain relaxation by microcracks in epitaxial GaAs grown on Ge/Si substrates, J. Appl. Phys. 101, 103519 (2007).
  201. M. Grydlik, P. Rauter, T. Fromherz, C. Falub, D. Gruetzmacher, G. Isella, and G. Bauer: Resonator fabrication for switchable two-color MIR detectors based on p-type SiGe quantum cascade injectors, AIP Conf. Proc. 893, 1411 (2007).
  202. B. Rössner, H. von Känel, D. Chrastina, G. Isella, and B. Batlogg: Effective mass measurement: the influence of hole band nonparabolicity in SiGe/Ge quantum wells, Semicond. Sci. Technol. 22, S191 (2007).
  203. G. Isella, J. Osmond, M. Kummer, R. Kaufmann, and H. von Känel: Heterojunction photodiodes fabricated from Ge/Si (100) layers grown by low-energy plasma-enhanced CVD, Semicond. Sci. Technol. 22, S26 (2007).
  204. M. Grydlik, P. Rauter, T. Fromherz, G. Bauer, C. Falub, D. Gruetzmacher, and G. Isella: Resonator fabrication for cavity enhanced, tunable Si/Ge quantum cascade detectors, Physica E 32, 313 (2006).
  205. F. Pezzoli, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Strain-induced shift of phonon modes in Si1-xGex alloys, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 541 (2006).
  206. B. Rössner, B. Batlogg, H. von Känel, D. Chrastina, and G. Isella: Hole band nonparabolicity and effective mass measurement in p-SiGe/Ge heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 777 (2006).
  207. A. Virtuani, S. Marchionna, M. Acciarri, G. Isella, and H. von Kaenel: Electron-beam-induced current imaging for the characterisation of structural defects in Si1-xGex films grown by LE-PECVD, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 798 (2006).
  208. G. Katsaros, A. Rastelli, M. Stoffel, G. Isella, H. von Känel, A. M. Bittner, J. Tersoff, U. Denker, O. G. Schmidt, G. Costantini, and K. Kern: Investigating the lateral motion of SiGe islands by selective chemical etching, Surf. Sci. 600, 2608 (2006).
  209. S. Marchionna, A. Virtuani, M. Acciarri, G. Isella, and H. von Kaenel: Defect imaging of SiGe strain relaxed buffers grown by LEPECVD, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 802 (2006).
  210. D. Colombo, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, A. Fedorov, H. von Känel, and G. Isella: Study of thermal strain relaxation in GaAs grown on Ge/Si substrates, J. Lumin. 121, 375 (2006).
  211. S. Pizzini, M. Acciarri, S. Binetti, D. Cavalcoli, A. Cavallini, D. Chrastina, L. Colombo, E. Grilli, G. Isella, M. Lancin, A. Le Donne, A. Mattoni, K. Peter, B. Pichaud, E. Poliani, M. Rossi, S. Sanguinetti, M. Texier, and H. von Känel: Nanocrystalline silicon films as multifunctional material for optoelectronic and photovoltaic applications, Mat. Sci. Eng. B 134, 118 (2006).
  212. R. Sordan, A. Miranda, J. Osmond, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Logic gates with a single Hall bar heterostructure, Appl. Phys. Lett. 89, 152122 (2006).
  213. B. Rössner, H. von Känel, D. Chrastina, G. Isella, and B. Batlogg: 2-D hole gas with two-subband occupation in a strained Ge channel: Scattering mechanisms, Thin Solid Films 508, 351 (2006).
  214. R. Ginige, B. Corbett, M. Modreanu, C. Barrett, J. Hilgarth, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Characterization of Ge-on-Si virtual substrates and single junction GaAs solar cells, Semicond. Sci. Technol. 21, 775 (2006).
  215. A. R. Khan, K. Mundboth, J. Stangl, G. Bauer, H. von Känel, A. Federov, G. Isella, and D. Colombo: X-ray investigation of thick epitaxial GaAs/InGaAs layers on Ge pseudosubstrates.In IEEE International Conference on Emerging Technologies (2005).
  216. B. Rössner, H. von Känel, D. Chrastina, G. Isella, and B. Batlogg: Electron-electron interaction in p-SiGe/Ge quantum wells, Mat. Sci. Eng. B 124--125, 184 (2005).
  217. F. Pezzoli, L. Martinelli, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, M. Bollani, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Raman spectroscopy of Si1-xGex epilayers, Mat. Sci. Eng. B 124--125, 127 (2005).
  218. I. Sagnes, Y. Chriqui, G. Saint-Girons, S. Bouchoule, D. Bensahel, O. Kermarrec, G. Isella, and H. von Kaenel: InGaAs/GaAs sources monolithically grown by MOVPE on Ge/Si substrates.In IEEE 2nd Int. Conf. Group IV Photonics, 207--209 (2005).
  219. D. Chrastina, B. Rössner, G. Isella, H. von Känel, J. P. Hague, T. Hackbarth, H.-J. Herzog, K.-H. Hieber, and U. König: LEPECVD -- a production technique for SiGe MOSFETs and MODFETs.In E. Zschech, C. Whelan, and T. Mikolajick (eds.), Materials for Information Technology, 17--29. Springer (2005).
  220. G. Gabetta, C. Flores, R. Campesato, C. Casale, G. Timó, G. Smekens, J. Vanbegin, H. von Kanel, and G. Isella: SJ and TJ GaAs concentrator solar cells on Si virtual wafers.In Conference Record of the Thirty-first IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 850--853 (2005).
  221. D. Chrastina, G. Isella, M. Bollani, B. Rössner, E. Müller, T. Hackbarth, E. Wintersberger, Z. Zhong, J. Stangl, and H. von Känel: Thin relaxed SiGe virtual substrates grown by low--energy plasma--enhanced chemical vapor deposition, J. Cryst. Growth 281, 281 (2005).
  222. M. Cantoni, M. Riva, G. Isella, R. Bertacco, and F. Ciccacci: Fe thin films grown on single-crystal and virtual Ge(001) substrates, J. Appl. Phys. 97, 093906 (2005).
  223. Y. Chriqui, G. Saint-Girons, G. Isella, H. von Kaenel, S. Bouchoule, and I. Sagnes: Long wavelength room temperature laser operation of a strained InGaAs/GaAs quantum well structure monolithically grown by metalorganic chemical vapour deposition on a low energy-plasma enhanced chemical vapour deposition graded misoriented Ge/Si virtual substrate, Opt. Mater. 27, 846 (2005).
  224. H. von Känel, D. Chrastina, B. Rössner, G. Isella, J. P. Hague, and M. Bollani: High mobility SiGe heterostructures fabricated by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition, Microelectron. Eng. 76, 278 (2004).
  225. A. Marzegalli, F. Montalenti, M. Bollani, L. Miglio, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Relaxed SiGe heteroepitaxy on Si with very thin buffer layers: experimental LEPECVD indications and an interpretation based on strain-dependent dislocation nature, Microelectron. Eng. 76, 289 (2004).
  226. D. Chrastina, G. Isella, B. Rössner, M. Bollani, E. Müller, T. Hackbarth, and H. von Känel: High quality SiGe electronic material grown by low energy plasma enhanced chemical vapour deposition, Thin Solid Films 459, 37 (2004).
  227. F. Sánchez-Almazán, E. Napolitani, A. Carnera, A. V. Drigo, M. Berti, J. Stangl, Z. Zhong, G. Bauer, G. Isella, and H. von Känel: Ge quantification of high Ge content relaxed buffer layers by RBS and SIMS, Nucl. Instrum. Methods Phys. Rev. B 226, 301 (2004).
  228. F. Sánchez-Almazán, E. Napolitani, A. Carnera, A. V. Drigo, G. Isella, H. von Känel, and M. Berti: Matrix effects in sims depth profiles of sige relaxed buffer layers, Appl. Surf. Sci. 231-232, 704 (2004).
  229. G. Isella, D. Chrastina, B. Rössner, T. Hackbarth, H.-J. Herzog, U. König, and H. von Känel: Low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition for strained Si and Ge heterostructures and devices, Solid State Electron. 48, 1317 (2004).
  230. M. Enciso Aguilar, M. Rodriguez, N. Zerounian, F. Aniel, T. Hackbarth, H.-J. Herzog, U. König, S. Mantl, B. Holländer, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, K. Lyutovich, and M. Oehme: Strained Si HFETs for microwave applications: state-of-the-art and further approaches, Solid State Electron. 48, 1443 (2004).
  231. B. Rössner, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Scattering mechanisms in high-mobility strained Ge channels, Appl. Phys. Lett. 84, 3058 (2004).
  232. L. Martinelli, A. Marzegalli, P. Raiteri, M. Bollani, F. Montalenti, L. Miglio, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Formation of strain-induced Si-rich and Ge-rich nanowires at misfit dislocations in SiGe: A model supported by photoluminescence data, Appl. Phys. Lett. 84, 2895 (2004).
  233. M. Bollani, E. Müller, G. Isella, S. Signoretti, D. Chrastina, and H. von Känel: Dislocation density and structure in Si1-xGex buffer layers deposited by LEPECVD, Inst. Phys. Conf. Ser. 180, 247 (2004).
  234. Y. Chriqui, G. Saint-Girons, S. Bouchoule, J.-M. Moisons, G. Isella, H. von Kaenel, and I. Sagnes: Room temperature laser operation of strained InGaAs/GaAs structure monolithically grown by MOCVD on LE-PECVD Ge/Si virtual substrate, Electron. Lett. 39, 1658 (2003).
  235. S. G. Thomas, S. Bharatan, R. E. Jones, R. Thoma, T. Zirkle, N. V. Edwards, R. Liu, X. D. Wang, Q. Xie, C. Rosenblad, J. Ramm, G. Isella, and H. von Känel: Structural characterization of thick, high-quality epitaxial Ge on Si substrates grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition, J. Electron. Mater. 32, 976 (2003).
  236. M. Bollani, E. Müller, S. Signoretti, C. Beeli, G. Isella, M. Kummer, and H. von Känel: Compressively strained Ge channels on relaxed SiGe buffer layers, Mat. Sci. Eng. B 101, 102 (2003).
  237. B. Rößner, G. Isella, and H. von Känel: Effective mass in remotely doped Ge quantum wells, Appl. Phys. Lett. 82, 754 (2003).
  238. R. E. Jones, S. G. Thomas, S. Bharatan, R. Thoma, C. Jasper, T. Zirkle, N. V. Edwards, R. Liu, X. D. Wang, Q. Xie, C. Rosenblad, J. Ramm, G. Isella, H. von Känel, J. Oh, and J. C. C. Campbell: Fabrication and modeling of gigahertz photodetectors in heteroepitaxial Ge-on-Si using a graded buffer layer deposited by low energy plasma enhanced CVD.In Electron Devices Meeting (IEDM) 2002, International, 793--796 (2002).
  239. H. von Känel, M. Kummer, G. Isella, E. Müller, and T. Hackbarth: Very high hole mobilities in modulation-doped Ge quantum wells grown by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition, Appl. Phys. Lett. 80, 2922 (2002).
  240. G. Isella, M. Marcon, R. Bertacco, G. Trezzi, N. Incorvaia, F. Ciccacci, and L. Duò: Versatile apparatus for investigating ultrathin magnetic films, J. Electron Spectrosc. 122, 221 (2002).
  241. F. Ciccacci, G. Isella, L. Duò, M. Marcon, and R. Bertacco: Spin polarized empty states spectroscopy of thin films and multilayers, Trends in Vacuum Science & Technology 5, 75 (2002).
  242. M. Portalupi, L. Duò, G. Isella, R. Bertacco, M. Marcon, and F. Ciccacci: Electronic structure of epitaxial thin NiO(100) films grown on Ag(100): Towards a firm experimental basis, Phys. Rev. B 64, 165402 (2001).
  243. G. Isella, R. Bertacco, M. Zani, L. Duò, and F. Ciccacci: Evolution of the magnetic and electronic properties of ultrathin Cr(001) films, Solid State Commun. 116, 283 (2000).
  244. G. Isella, R. Bertacco, L. Duò, and F. Ciccacci: Magnetic coupling in Fe/Cr/Fe(001) by spin-resolved empty-state spectroscopies, Surf. Sci. 454--456, 909 (2000).
  245. R. Bertacco, G. Isella, L. Duò, F. Ciccacci, A. di Bona, P. Luches, and S. Valeri: Structural and electronic properties of thin Co films on Fe(001) and Fe(001)-p(1×1)O in the bct-to-hcp transition regime, Surf. Sci. 454--456, 671 (2000).
  246. R. Bertacco, L. Duò, G. Isella, and F. Ciccacci: Structural and magnetic properties of the Ce/Fe(001) interface: a spin resolved inverse photoemission study, Surf. Sci. 440, 301 (1999).
  247. F. Ciccacci, S. De Rossi, G. Isella, and A. Magnoni: Vanadium films on Fe(100) studied by spin-resolved inverse photoemission, Solid State Commun. 101, 893 (1997).

Teaching

Copyright © 2010 L-NESS Como

Last updated: 25th May 2017