L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Emanuele Grilli

Associate professor

Contact

e-mail:
tel:Milano: +39 02 6448 5156
fax:Milano: +39 02 6448 5400
address:Università di Milano Bicocca
Dipartimento di Scienza dei Materiali
Via Cozzi 53
20125 Milano
Italy
web:mater.unimib.it

Emanuele Grilli

Main Research Interest

Publications

  1. A. Giorgioni, S. Paleari, S. Cecchi, E. Vitiello, E. Grilli, G. Isella, W. Jantsch, M. Fanciulli, and F. Pezzoli: Strong confinement-induced engineering of the g factor and lifetime of conduction electron spins in Ge quantum wells.Nature Communications 7, 13886 (2016).
  2. F. Pezzoli, A. Giorgioni, K. Gallacher, F. Isa, P. Biagioni, R. W. Millar, E. Gatti, E. Grilli, E. Bonera, G. Isella, D. J. Paul, and L. Miglio: Disentangling nonradiative recombination processes in ge micro-crystals on Si substrates, Appl. Phys. Lett. 108, 262103 (2016).
  3. T. Etzelstorfer, M. R. Ahmadpor Monazam, S. Cecchi, D. Kriegner, D. Chrastina, E. Gatti, E. Grilli, N. Rosemann, S. Chatterjee, V. Holý, F. Pezzoli, G. Isella, and J. Stangl: Structural investigations of the α12 Si-Ge superstructure, J. Appl. Cryst. 48, 262 (2015).
  4. E. Gatti, F. Isa, D. Chrastina, E. Müller Gubler, F. Pezzoli, E. Grilli, and G. Isella: Ge/SiGe quantum wells on Si(111): Growth, structural and optical properties, J. Appl. Phys. 116, 043518 (2014).
  5. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Ge crystals on Si show their light, Phys. Rev. App. 1, 044005 (2014).
  6. E. Gatti, A. Giorgioni, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, A. Chernikov, K. Kolata, V. Bornwasser, N. S. Köster, R. Woscholski, and S. Chatterjee: Relaxation and recombination processes in Ge/SiGe multiple quantum wells, AIP Conf. Proc. 1566, 470 (2013).
  7. E. Bonera, R. Gatti, G. Isella, G. Norga, A. Picco, E. Grilli, M. Guzzi, M. Texier, and B. Pichaud: Dislocation distribution across ultrathin silicon-on-insulator with epitaxial SiGe stressor, Appl. Phys. Lett. 103, 053104 (2013).
  8. F. Pezzoli, L. Qing, A. Giorgioni, G. I. E. Grilli, M. Guzzi, and H. Dery: Spin and energy relaxation in germanium studied by spin-polarized direct-gap photoluminescence, Phys. Rev. B 88, 045204 (2013).
  9. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Germanium crystals on silicon show their light, arXiv.org e-Print archive cond-mat, arXiv:1306.5270 (2013).
  10. G. Isella, F. Bottegoni, S. Cecchi, A. Ferrari, F. Ciccacci, F. Pezzoli, A. Giorgioni, E. Gatti, E. Grilli, M. Guzzi, C. Lange, N. S. Köster, R. Woscholski, S. Chatterjee, D. Trivedi, P. Li, Y. Song, , and H. Dery: Optical spin orientation in SiGe heterostructures, ECS Transactions 50, 831 (2013).
  11. S. Bietti, S. Cecchi, C. Frigeri, E. Grilli, A. Fedorov, A. Vinattieri, M. Gurioli, G. Isella, and S. Sanguinetti: Fabrication of Ge-on-Si substrates for the integration of high-quality GaAs nanostructures on Si, ECS Transactions 50, 783 (2013).
  12. A. Giorgioni, F. Pezzoli, E. Gatti, S. Cecchi, C. K. Inoki, C. Deneke, E. Grilli, G. Isella, and M. Guzzi: Optical tailoring of carrier spin polarization in Ge/SiGe multiple quantum wells, Appl. Phys. Lett. 102, 012408 (2013).
  13. A. Picco, E. Bonera, F. Pezzoli, E. Grilli, O. G. Schmidt, F. Isa, S. Cecchi, and M. Guzzi: Composition profiling of inhomogeneous SiGe nanostructures by Raman spectroscopy, Nanoscale Res. Lett. 7, 633 (2012).
  14. L. Cavigli, S. Bietti, M. Abbarchi, C. Somaschini, A. Vinattieri, M. Gurioli, A. Fedorov, G. Isella, E. Grilli, and S. Sanguinetti: Fast emission dynamics in droplet epitaxy GaAs ring-disk nanostructures integrated on Si, J. Phys. Condens. Matt. 24, 104017 (2012).
  15. F. Pezzoli, F. Bottegoni, D. Trivedi, F. Ciccacci, A. Giorgioni, P. Li, S. Cecchi, E. Grilli, Y. Song, M. Guzzi, H. Dery, and G. Isella: Optical spin injection and spin lifetime in Ge heterostructures, Phys. Rev. Lett. 108, 156603 (2012).
  16. A. Giorgioni, E. Gatti, E. Grilli, A. Chernikov, S. Chatterjee, D. Chrastina, G. Isella, and M. Guzzi: Photoluminescence decay of direct and indirect transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells, J. Appl. Phys. 111, 013501 (2012).
  17. G. Isella, F. Bottegoni, F. Pezzoli, S. Cecchi, E. Gatti, D. Chrastina, E. Grilli, M. Guzzi, and F. Ciccacci: Optical spin injection in SiGe heterostructures.In H.-J. M. Drouhin, J.-E. Wegrowe, and M. Razeghi (eds.), Spintronics IV, volume Proc. SPIE 8100, 810007 (2011).
  18. E. Gatti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, A. Chernikov, V. Bornwasser, N. Köster, R. Woscholski, and S. Chatterjee: Photoluminescence and ultrafast inter-subband relaxation in Ge/SiGe multiple quantum wells, Phys. Rev. B 84, 245319 (2011).
  19. E. Gatti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Room temperature photoluminescence of Ge multiple quantum wells with Ge-rich barriers, Appl. Phys. Lett. 98, 031106 (2011).
  20. A. Picco, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, M. Giarola, G. Mariotto, D. Chrastina, and G. Isella: Raman efficiency in SiGe alloys, Phys. Rev. B 82, 115317 (2010).
  21. A. Picco, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, M. Giarola, G. Mariotto, and D. Chrastina: Determination of Raman efficiency in SiGe alloys, AIP Conf. Proc. 1267, 251 (2010).
  22. E. Bonera, F. Pezzoli, A. Picco, G. Vastola, M. Stoffel, E. Grilli, M. Guzzi, A. Rastelli, O. G. Schmidt, and L. Miglio: Strain in a single ultrathin silicon layer on top of SiGe islands: Raman spectroscopy and simulations, Phys. Rev. B 79, 075321 (2009).
  23. M. Bonfanti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and H. Sigg: Direct-gap related optical transitions in Ge/SiGe quantum wells with Ge-rich barriers, Physica E 41, 972 (2009).
  24. F. Pezzoli, E. Bonera, M. Bollani, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Raman spectroscopy for the analysis of temperature-dependent plastic relaxation of SiGe layers, Acta Phys. Pol. A 116, 78 (2009).
  25. E. Poliani, C. Somaschini, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, A. Le Donne, S. Binetti, D. Chrastina, and G. Isella: Tuning by means of laser annealing of electronic and structural properties of nc-Si/a-Si:H, Mat. Sci. Eng. B 159--160, 31 (2009).
  26. A. Trita, F. Bragheri, I. Cristiani, V. Degiorgio, D. Chrastina, D. Colombo, G. Isella, H. von Känel, F. Gramm, E. Müller, M. Döbeli, E. Bonera, R. Gatti, F. Pezzoli, E. Grilli, M. Guzzi, and L. Miglio: Impact of misfit dislocations on wavefront distortion in Si/SiGe/Si optical waveguides, Opt. Commun. 282, 4716 (2009).
  27. M. Virgilio, M. Bonfanti, D. Chrastina, A. Neels, G. Isella, E. Grilli, M. Guzzi, G. Grosso, H. Sigg, and H. von Känel: Polarization-dependent absorption in Ge/SiGe multiple quantum wells: theory and experiment, Phys. Rev. B 79, 075323 (2009).
  28. M. Bonfanti, E. Grilli, M. Guzzi, M. Virgilio, G. Grosso, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and A. Neels: Optical transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells with Ge-rich barriers, Phys. Rev. B 78, 041407(R) (2008).
  29. D. Chrastina, A. Neels, M. Bonfanti, M. Virgilio, G. Isella, E. Grilli, M. Guzzi, G. Grosso, H. Sigg, and H. von Känel: Ge/SiGe multiple quantum wells for optical applications.In IEEE 5th Int. Conf. Group IV Photonics, 194--196 (2008).
  30. F. Pezzoli, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Phonon strain shift coefficients in Si1-xGex alloys, J. Appl. Phys. 103, 093521 (2008).
  31. F. Pezzoli, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si1-xGex/Si heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. 11, 279 (2008).
  32. S. Sanguinetti, T. Mano, A. Gerosa, C. Somaschini, S. Bietti, N. Koguchi, E. Grilli, M. Guzzi, M. Gurioli, and M. Abbarchi: Rapid thermal annealing effects on self-assembled quantum dot and quantum ring structures, J. Appl. Phys. 104, 113519 (2008).
  33. D. Colombo, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, S. Marchionna, M. Bonfanti, A. Fedorov, H. von Känel, G. Isella, and E. Müller: Analysis of strain relaxation by microcracks in epitaxial GaAs grown on Ge/Si substrates, J. Appl. Phys. 101, 103519 (2007).
  34. F. Pezzoli, S. Sanguinetti, E. Bonera, E. Grilli, and M. Guzzi: Modelling of the phonon strain shift coefficients in Si1-xGex alloys, J. Phys. Conf. Ser. 92, 012152 (2007).
  35. D. Colombo, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, A. Fedorov, H. von Känel, and G. Isella: Study of thermal strain relaxation in GaAs grown on Ge/Si substrates, J. Lumin. 121, 375 (2006).
  36. F. Pezzoli, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Strain-induced shift of phonon modes in Si1-xGex alloys, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 541 (2006).
  37. S. Pizzini, M. Acciarri, S. Binetti, D. Cavalcoli, A. Cavallini, D. Chrastina, L. Colombo, E. Grilli, G. Isella, M. Lancin, A. Le Donne, A. Mattoni, K. Peter, B. Pichaud, E. Poliani, M. Rossi, S. Sanguinetti, M. Texier, and H. von Känel: Nanocrystalline silicon films as multifunctional material for optoelectronic and photovoltaic applications, Mat. Sci. Eng. B 134, 118 (2006).
  38. F. Pezzoli, L. Martinelli, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, M. Bollani, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Raman spectroscopy of Si1-xGex epilayers, Mat. Sci. Eng. B 124--125, 127 (2005).
  39. V. Mantovani, S. Sanguinetti, M. Guzzi, E. Grilli, M. Gurioli, K. Watanabe, and N. Koguchi: Study of post-growth annealing and Ga coverage effects in low-density GaAs/AlGaAs quantum dots grown by modified droplet epitaxy, Physica E 23, 377 (2004).
  40. D. Colombo, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, L. Martinelli, M. Gurioli, P. Frigeri, G. Trevisi, and S. Franchi: Efficient room temperature carrier trapping in quantum dots by tailoring the wetting layer, J. Appl. Phys. 94, 6513 (2003).
  41. L. Martinelli, E. Grilli, M. Guzzi, and M. G. Grimaldi: Room-temperature electroluminescence of ion-beam-synthesized β-FeSi2 precipitates in silicon, Appl. Phys. Lett. 83, 794 (2003).
  42. L. Martinelli, E. Grilli, D. B. Migas, L. Miglio, F. Marabelli, C. Soci, M. Geddo, M. G. Grimaldi, and C. Spinella: Luminescence from β-FeSi2 precipitates in Si. II: Origin and nature of the photoluminescence, Phys. Rev. B 66, 085320 (2002).
  43. S. Sanguinetti, M. Gurioli, E. Grilli, M. Guzzi, and M. Henini: Piezoelectric-induced quantum-confined Stark effect in self-assembled InAs quantum dots grown on (N11) GaAs substrates, Appl. Phys. Lett. 77, 1982 (2000).
  44. S. Sanguinetti, M. Padovani, M. Gurioli, E. Grilli, M. Guzzi, A. Vinattieri, M. Colocci, P. Frigeri, and S. Franchi: Carrier transfer and photoluminescence quenching in InAs/GaAs multilayer quantum dots, Appl. Phys. Lett. 77, 1307 (2000).
  45. S. Sanguinetti, S. C. Fortina, A. Miotto, E. Grilli, M. Guzzi, M. Henini, A. Polimeni, and L. Eaves: Self-aggregation of InAs quantum dots on ( N11) GaAs substrates.Thin Solid Films 336, 9 (1998).
  46. A. Bignazzi, E. Grilli, M. Guzzi, C. Bocchi, A. Bosacchi, S. Franchi, and R. Magnanini: Direct- and indirect-energy-gap dependence on Al concentration in AlxGa1-xSb ( x < ~0.41).Phys. Rev. B 57, 2295 (1998).
  47. L. Brusaferri, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, A. Bignazzi, F. Bogani, L. Carraresi, M. Colocci, A. Bosacchi, P. Frigeri, and S. Franchi: Thermally activated carrier transfer and luminescence line shape in self-organized InAs quantum dots, Appl. Phys. Lett. 69, 3354 (1996).
  48. M. Henini, S. Sanguinetti, S. C. Fortina, E. Grilli, M. Guzzi, G. Panzarini, L. C. Andreani, M. D. Upward, P. Moriarty, P. H. Beton, and L. Eaves: Optical anisotropy in arrow-shaped InAs quantum dots, Phys. Rev. B 57, R6815 (1998).
  49. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G. F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, and M. Guzzi: Room-temperature visible luminescence from silicon nanocrystals in silicon implanted SiO2 layers, Appl. Phys. Lett. 66, 851 (1995).

Teaching

Copyright © 2010 L-NESS Como

Last updated: 25th May 2017