Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

• L-NESS
• Research Groups
• Facilities
• People
  • Staff
  • PhD students
  • Graduate students
  • Master's students
  • Previous members
• Work & Study
• History
• Contact details

Affiliated Institutions

• Polo di Como
• Politecnico di Milano
• Università Milano Bicocca

Valeria Mondiali

PhD student

Contact e-mail: tel: Como: +39 031 332 7307 fax: Como: +39 031 332 7617 address: Politecnico di Milano Polo di Como Via Anzani 42 22100 Como Italy office: Via Anzani T.02

Main Research Interest

• Lithography of SiGe nanostructures

Publications

1. M. Lodari, D. Chrastina, V. Mondiali, M. R. Barget, J. Frigerio, E. Bonera, and M. Bollani: Strain in Si or Ge from the edge forces of epitaxial nanostructures, Nanosci. Nanotechnol. Lett. 9, 1128 (2017).
2. M. R. Barget, M. Lodari, V. Mondiali, D. Chrastina, M. Bollani, and E. Bonera: Tensile strain in Ge membranes induced by SiGe nanostressors, Appl. Phys. Lett. 109, 133109 (2016).
3. M. Bollani, D. Chrastina, R. Ruggeri, G. Nicotra, L. Gagliano, E. Bonera, V. Mondiali, A. Marzegalli, F. Montalenti, C. Spinella, and L. Miglio: Anisotropic extended misfit dislocations in overcritical SiGe films by local substrate patterning, Nanotechnology 27, 425301 (2016).
4. V. Mondiali, M. Lodari, M. Borriello, D. Chrastina, and M. Bollani: Top-down SiGe nanostructures on Ge membranes realized by e-beam lithography and wet etching, Microelectron. Eng. 153, 88 (2016).
5. M. Bollani, D. Chrastina, L. Gagliano, L. Rossetto, D. Scopece, M. Barget, V. Mondiali, J. Frigerio, M. Lodari, F. Pezzoli, F. Montalenti, and E. Bonera: Local uniaxial tensile strain in germanium up to 4% by epitaxial nanostructures, Appl. Phys. Lett. 107, 083101 (2015).
6. V. Mondiali, M. Lodari, D. Chrastina, M. Barget, E. Bonera, and M. Bollani: Micro and nanofabrication of SiGe/Ge bridges and membranes by wet-anisotropic etching, Microelectron. Eng. 141, 256 (2015).
7. V. Mondiali, M. Bollani, D. Chrastina, R. Rubert, G. Chahine, M. I. Richard, S. Cecchi, L. Gagliano, E. Bonera, T. Schülli, and L. Miglio: Strain release management in SiGe/Si films by substrate patterning, Appl. Phys. Lett. 105, 242103 (2014).
8. J. Frigerio, M. Lodari, D. Chrastina, V. Mondiali, G. Isella, and M. Bollani: Metastability and relaxation in tensile SiGe on Ge(001) virtual substrates, J. Appl. Phys. 116, 113507 (2014).
9. V. Mondiali, M. Bollani, S. Cecchi, M.-I. Richard, T. Schülli, G. Chahine, and D. Chrastina: Dislocation engineering in SiGe on periodic and aperiodic Si(001) templates studied by fast scanning X-ray nanodiffraction, Appl. Phys. Lett. 104, 021918 (2014).
10. M. Bollani, D. Chrastina, M. Fiocco, V. Mondiali, J. Frigerio, L. Gagliano, and E. Bonera: Lithographically-defined low dimensional SiGe nanostripes as silicon stressors, J. Appl. Phys. 112, 094318 (2012).
11. A. Torti, V. Mondiali, A. Cattoni, M. Donolato, E. Albisetti, A. M. Haghiri-Gosnet, P. Vavassori, and R. Bertacco: Single particle demultiplexer based on domain wall conduits, Appl. Phys. Lett. 101, 142405 (2012).