Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Stefano Sanguinetti

Associate Professor


tel:Como: +39 031 332 7616
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
office:Via Anzani 1.06

Stefano Sanguinetti

Main Research Interest


  1. F. Cesura, S. Vichi, A. Tuktamyshev, S. Bietti, A. Fedorov, S. Sanguinetti, K. Iizuka, and S. Tsukamoto: Droplet free self-assembling of high density nanoholes on GaAs(100) via thermal drilling, J. Cryst. Growth 630, 127588 (2024).
  2. L. Anzi, A. Tuktamyshev, A. Fedorov, A. Zurutuza, S. Sanguinetti, and R. Sordan: Controlling the threshold voltage of a semiconductor field-effect transistor by gating its graphene gate, npj 2D Mater. Appl. 6, 28 (2022).
  3. G. Tavani, A. Chiappini, A. Fedorov, F. Scotognella, S. Sanguinetti, D. Chrastina, and M. Bollani: Tailoring of embedded dielectric alumina film in AlGaAs epilayer by selective thermal oxidation, Opt. Mater. Express 12, 835 (2022).
  4. A. Tuktamyshev, A. Fedorov, S. Bietti, S. Vichi, K. D. Zeuner, K. D. Jöns, D. Chrastina, S. Tsukamoto, V. Zwiller, M. Gurioli, and S. Sanguinetti: Telecom-wavelength InAs QDs with low fine structure splitting grown by droplet epitaxy on GaAs(111)A vicinal substrates, Appl. Phys. Lett. 118, 133102 (2021).
  5. A. Ballabio, S. Bietti, A. Scaccabarozzi, L. Esposito, S. Vichi, A. Fedorov, A. Vinattieri, C. Mannucci, F. Biccari, A. Nemcsis, L. Toth, L. Miglio, M. Gurioli, G. Isella, and S. Sanguinetti: GaAs epilayers grown on patterned (001) silicon substrates via suspended Ge layers, Sci. Reports 9, 17529 (2019).
  6. M. Azadmand, E. Bonera, D. Chrastina, S. Bietti, S. Tsukamoto, R. Nötzel, and S. Sanguinetti: Raman spectroscopy of epitaxial InGaN/Si in the central composition range, Jpn. J. Appl. Phys. 58, SC1020 (2019).
  7. M. Azadmand, L. Barabani, S. Bietti, D. Chrastina, E. Bonera, M. Acciarri, A. Fedorov, S. Tsukamoto, R. Nötzel, and S. Sanguinetti: Droplet controlled growth dynamics in molecular beam epitaxy of nitride semiconductors, Sci. Reports 8, 11278 (2018).
  8. F. Biccari, L. Esposito, C. Mannucci, A. G. Taboada, S. Bietti, A. Ballabio, A. Fedorov, G. Isella, H. von Känel, L. Miglio, S. Sanguinetti, A. Vinattieri, and M. Gurioli: Site-controlled natural GaAs(111) quantum dots fabricated on vertical GaAs/Ge microcrystals on deeply patterned Si(001) substrates, Nanosci. Nanotechnol. Lett. 9, 1108 (2017).
  9. C. Frigeri, D. Scarpellini, A. Fedorov, S. Bietti, C. Somaschini, V. Grillo, L. Esposito, M. Salvalaglio, A. Marzegalli, F. Montalenti, and S. Sanguinetti: Structure, interface abruptness and strain relaxation in self-assisted grown InAs/GaAs nanowires, Appl. Surf. Sci. 395, 29 (2015).
  10. R. Bergamaschini, S. Bietti, A. Castellano, C. Frigeri, C. V. Falub, A. Scaccabarozzi, M. Bollani, H. von Känel, L. Miglio, and S. Sanguinetti: Kinetic growth mode of epitaxial GaAs on Si(001) micro-pillars, J. Appl. Phys. 120, 245702 (2016).
  11. D. Scarpellini, C. Somaschini, A. Fedorov, S. Bietti, C. Frigeri, V. Grillo, L. Esposito, M. Salvalaglio, A. Marzegalli, F. Montalenti, E. Bonera, P. G. Medaglia, and S. Sanguinetti: InAs/GaAs sharply defined axial heterostructures in self-assisted nanowires, Nano Lett. 15, 3677 (2015).
  12. G. M. Vanacore, J. Hu, W. Liang, S. Bietti, S. Sanguinetti, and A. H. Zewail: Diffraction of quantum dots reveals nanoscale ultrafast energy localization, Nano Lett. 14, 6148 (2014).
  13. E. M. Sala, M. Bollani, S. Bietti, A. Fedorov, L. Esposito, and S. Sanguinetti: Ordered array of Ga droplets on GaAs(001) by local anodic oxidation, J. Vac. Sci. Technol. B 32, 061206 (2014).
  14. M. Bollani, S. Bietti, C. Frigeri, D. Chrastina, K. Reyes, P. Smereka, J. M. Millunchick, G. M. Vanacore, M. Burghammer, A. Tagliaferri, and S. Sanguinetti: Ordered arrays of embedded Ga nanoparticles on patterned silicon substrates, Nanotechnology 25, 205301 (2014).
  15. S. Bietti, A. Scaccabarozzi, C. Frigeri, M. Bollani, E. Bonera, C. V. Falub, H. von Känel, L. Miglio, and S. Sanguinetti: Monolithic integration of optical grade GaAs on Si(001) substrates deeply patterned at a micron scale, Appl. Phys. Lett. 103, 262106 (2013).
  16. S. Sanguinetti, M. Guzzi, E. Gatti, and M. Gurioli: Chapter 12 -- photoluminescence characterization of structural and electronic properties of semiconductor quantum wells.In G. Agostini and C. Lamberti (eds.), Heterostructures and Nanostructures (Second Edition), 509--556. Elsevier B.V. (2013).
  17. N. Accanto, S. Minari, L. Cavigli, S. Bietti, G. Isella, A. Vinattieri, S. Sanguinetti, and M. Gurioli: Kinetics of multiexciton complex in GaAs quantum dots on Si, Appl. Phys. Lett. 102, 053109 (2013).
  18. K. Reyes, P. Smereka, D. Nothern, J. Mirecki Millunchick, S. Bietti, C. Somaschini, S. Sanguinetti, and C. Frigeri: Unified model of droplet epitaxy for compound semiconductor nanostructures: Experiments and theory, Phys. Rev. B 87, 165406 (2013).
  19. S. Bietti, S. Cecchi, C. Frigeri, E. Grilli, A. Fedorov, A. Vinattieri, M. Gurioli, G. Isella, and S. Sanguinetti: Fabrication of Ge-on-Si substrates for the integration of high-quality GaAs nanostructures on Si, ECS Transactions 50, 783 (2013).
  20. C. Frigeri, S. Bietti, G. Isella, and S. Sanguinetti: Structural characterization of GaAs self-assembled quantum dots grown by Droplet Epitaxy on Ge virtual substrates on Si, Appl. Surf. Sci. 267, 86 (2013).
  21. S. Minari, L. Cavigli, F. Sarti, M. Abbarchi, N. Accanto, G. Muñoz Matutano, S. Bietti, S. Sanguinetti, A. Vinattieri, and M. Gurioli: Single photon emission from impurity centers in AlGaAs epilayers on Ge and Si substrates, Appl. Phys. Lett. 101, 172105 (2012).
  22. L. Cavigli, S. Bietti, N. Accanto, S. Minari, M. Abbarchi, G. Isella, C. Frigeri, A. Vinattieri, M. Gurioli, and S. Sanguinetti: High temperature single photon emitter monolithically integrated on silicon, Appl. Phys. Lett. 100, 231112 (2012).
  23. L. Cavigli, S. Bietti, M. Abbarchi, C. Somaschini, A. Vinattieri, M. Gurioli, A. Fedorov, G. Isella, E. Grilli, and S. Sanguinetti: Fast emission dynamics in droplet epitaxy GaAs ring-disk nanostructures integrated on Si, J. Phys. Condens. Matt. 24, 104017 (2012).
  24. S. Bietti, L. Cavigli, M. Abbarchi, A. Vinattieri, M. Gurioli, A. Fedorov, S. Cecchi, F. Isa, G. Isella, and S. Sanguinetti: High quality GaAs quantum nanostructures grown by droplet epitaxy on Ge and Ge-on-Si substrates, phys. stat. sol. (c) 9, 202 (2012).
  25. L. Cavigli, M. Abbarchi, S. Bietti, C. Somaschini, S. Sanguinetti, N. Koguchi, A. Vinattieri, and M. Gurioli: Individual GaAs quantum emitters grown on Ge substrates, Appl. Phys. Lett. 98, 103104 (2011).
  26. S. Bietti, C. Somaschini, N. Koguchi, C. Frigeri, and S. Sanguinetti: Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy, J. Cryst. Growth 323, 267 (2011).
  27. C. Somaschini, S. Bietti, A. Fedorov, N. Koguchi, and S. Sanguinetti: Outer zone morphology in GaAs ring/disk nanostructures by droplet epitaxy, J. Cryst. Growth 323, 279 (2011).
  28. C. Somaschini, S. Bietti, N. Koguchi, and S. Sanguinetti: Shape control via surface reconstruction kinetics of droplet epitaxy nanostructures, Appl. Phys. Lett. 97, 203109 (2010).
  29. C. Somaschini, S. Bietti, A. Fedorov, N. Koguchi, and S. Sanguinetti: Growth interruption effect on the fabrication of GaAs concentric multiple rings by droplet epitaxy, Nanoscale Res. Lett. 5, 1897 (2010).
  30. C. Somaschini, S. Bietti, A. Fedorov, N. Koguchi, and S. Sanguinetti: Concentric multiple rings by droplet epitaxy: Fabrication and study of the morphological anisotropy, Nanoscale Res. Lett. 5, 1865 (2010).
  31. S. Bietti, C. Somaschini, N. Koguchi, C. Frigeri, and S. Sanguinetti: Self-assembled local artificial substrates of GaAs on Si substrate, Nanoscale Res. Lett. 5, 1905 (2010).
  32. S. Bietti, C. Somaschini, E. Sarti, N. Koguchi, S. Sanguinetti, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Photoluminescence study of low thermal budget III--V nanostructures on silicon by droplet epitaxy, Nanoscale Res. Lett. 5, 1650 (2010).
  33. S. Bietti, C. Somaschini, S. Sanguinetti, N. Koguchi, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Low thermal budget fabrication of III-V quantum nanostructures on Si substrates, J. Phys. Conf. Ser. 245, 012078 (2010).
  34. C. Somaschini, S. Bietti, N. Koguchi, F. Montalenti, C. Frigeri, and S. Sanguinetti: Self-assembled GaAs islands on Si by droplet epitaxy, Appl. Phys. Lett. 97, 053101 (2010).
  35. C. Somaschini, S. Bietti, S. Sanguinetti, N. Koguchi, and A. Fedorov: Self-assembled GaAs/AlGaAs coupled quantum ring-disk structures by droplet epitaxy, Nanotechnology 21, 125601 (2010).
  36. S. Bietti, S. Sanguinetti, C. Somaschini, N. Koguchi, G. Isella, D. Chrastina, and A. Fedorov: Fabrication of GaAs quantum dots by droplet epitaxy on Si/Ge virtual substrate, IOP Conf. Ser.: Mat. Sci. Eng. 6, 012009 (2009).
  37. C. Somaschini, S. Bietti, S. Sanguinetti, N. Koguchi, A. Fedorov, M. Abbarchi, and M. Gurioli: Fabrication of GaAs concentric multiple quantum rings by droplet epitaxy, IOP Conf. Ser.: Mat. Sci. Eng. 6, 012008 (2009).
  38. S. Bietti, C. Somaschini, M. Abbarchi, N. Koguchi, S. Sanguinetti, E. Poliani, M. Bonfanti, M. Gurioli, A. Vinattieri, T. Kuroda, T. Mano, and S. Sakoda: Quantum dots to double concentric quantum ring structures transition, phys. stat. sol. (c) 6, 928 (2009).
  39. S. Bietti, C. Somaschini, S. Sanguinetti, N. Koguchi, G. Isella, and D. Chrastina: Fabrication of high efficiency III-V quantum nanostructures at low thermal budget on Si, Appl. Phys. Lett. 95, 241102 (2009).
  40. C. Somaschini, S. Bietti, N. Koguchi, and S. Sanguinetti: Fabrication of multiple concentric nanoring structures, Nano Lett. 9, 3419 (2009).

Copyright © 2010 L-NESS Como