Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Stefano Cecchi



tel:Como: +39 031 332 7306
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
office:Via Anzani 1.06

Stefano Cecchi

Main Research Interest


  1. C. Zucchetti, A. Ballabio, D. Chrastina, S. Cecchi, M. Finazzi, M. Virgilio, G. Isella, and F. Bottegoni: Probing the in-plane electron spin polarization in Ge/Si0.15Ge0.85 multiple quantum wells, Phys. Rev. B 101, 115408 (2020).
  2. A. Giorgioni, S. Paleari, S. Cecchi, E. Vitiello, E. Grilli, G. Isella, W. Jantsch, M. Fanciulli, and F. Pezzoli: Strong confinement-induced engineering of the g factor and lifetime of conduction electron spins in Ge quantum wells.Nature Communications 7, 13886 (2016).
  3. L. Ferre Llin, A. Samarelli, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller Gubler, T. Etzelstorfer, J. Stangl, and D. J. Paul: Thermoelectric cross-plane properties on p- and n-Ge/SixGe1-x superlattices, Thin Solid Films 602, 90 (2016).
  4. D. Marris-Morini, P. Chaisakul, J. Frigerio, D. Chrastina, V. Vakarin, S. Cecchi, G. Isella, and L. Vivien: Optical interconnects based on Ge/SiGe multiple quantum well structures.In Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference, SM3G.1 (2015).
  5. T. Etzelstorfer, M. R. Ahmadpor Monazam, S. Cecchi, D. Kriegner, D. Chrastina, E. Gatti, E. Grilli, N. Rosemann, S. Chatterjee, V. Holý, F. Pezzoli, G. Isella, and J. Stangl: Structural investigations of the α12 Si-Ge superstructure, J. Appl. Cryst. 48, 262 (2015).
  6. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, J. Frigerio, D. Chrastina, M. S. Rouifed, S. Cecchi, G. Isella, and L. Vivien: High quality SiGe waveguide platform for Ge photonics on bulk silicon substrates.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 108--109 (2014).
  7. J. Frigerio, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, and L. Vivien: (Invited) Photonic interconnection made by a Ge/SiGe MQW modulator connected to a Ge/SiGe MQW photodetector through a SiGe waveguide, ECS Transactions 64, 761 (2014).
  8. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, J. Frigerio, T. Etzelstorfer, E. Müller Gubler, J. Stangl, D. Chrastina, G. Isella, and D. Paul: (Invited) The thermoelectric properties of Ge/SiGe based superlattices: from materials to energy harvesting modules, ECS Transactions 64, 929 (2014).
  9. V. Mondiali, M. Bollani, D. Chrastina, R. Rubert, G. Chahine, M. I. Richard, S. Cecchi, L. Gagliano, E. Bonera, T. Schülli, and L. Miglio: Strain release management in SiGe/Si films by substrate patterning, Appl. Phys. Lett. 105, 242103 (2014).
  10. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, J. Frigerio, D. Chrastina, M.-S. Rouifed, S. Cecchi, P. Crozat, G. Isella, and L. Vivien: Integrated germanium optical interconnects on silicon substrates, Nature Photonics 8, 482 (2014).
  11. K. Kolata, N. S. Köster, R. Woscholski, S. Imhof, A. Thränhardt, C. Lange, J. E. Sipe, F. Pezzoli, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, and S. Chatterjee: Holes in germanium quantum wells: spin relaxation and temperature dynamics, phys. stat. sol. (c) 10, 1238 (2014).
  12. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller Gubler, T. Etzelstorfer, J. Stangl, Y. Zhang, J. M. R. Weaver, P. S. Dobson, and D. J. Paul: Prospects for SiGe thermoelectric generators, Solid State Electron. 98, 70 (2014).
  13. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, T. Etzelstorfer, J. Stangl, E. Müller Gubler, J. M. R. Weaver, P. Dobson, and D. J. Paul: Multilayered Ge/SiGe material in microfabricated thermoelectric modules, J. Electron. Mater. 43, 3838 (2014).
  14. S. Cecchi, E. Gatti, D. Chrastina, J. Frigerio, E. Müller Gubler, D. J. Paul, M. Guzzi, and G. Isella: Thin SiGe virtual substrates for Ge heterostructure integration on silicon, J. Appl. Phys. 115, 093502 (2014).
  15. P. Chen, J. J. Zhang, J. P. Feser, F. Pezzoli, O. Moutanabbir, S. Cecchi, G. Isella, T. Gemming, S. Baunack, G. Chen, O. G. Schmidt, and A. Rastelli: Thermal transport through short-period SiGe nanodot superlattices, J. Appl. Phys. 115, 044312 (2014).
  16. V. Mondiali, M. Bollani, S. Cecchi, M.-I. Richard, T. Schülli, G. Chahine, and D. Chrastina: Dislocation engineering in SiGe on periodic and aperiodic Si(001) templates studied by fast scanning X-ray nanodiffraction, Appl. Phys. Lett. 104, 021918 (2014).
  17. A. Ferrari, F. Bottegoni, G. Isella, S. Cecchi, D. Chrastina, M. Finazzi, and F. Ciccacci: Spin-polarized photoemission from SiGe heterostructures, AIP Conf. Proc. 1566, 315 (2013).
  18. T. Kreiliger, C. V. Falub, A. G. Taboada, F. Isa, S. Cecchi, R. Kaufmann, P. Niedermann, A. Pezous, S. Mouaziz, A. Dommann, G. Isella, and H. von Känel: Individual heterojunctions of 3D germanium crystals on silicon CMOS for monolithically integrated X-ray detector, phys. stat. sol. (a) 211, 131 (2013).
  19. A. Ferrari, F. Bottegoni, G. Isella, S. Cecchi, and F. Ciccacci: Epitaxial Si1-xGex alloys studied by spin-polarized photoemission, Phys. Rev. B 88, 115209 (2013).
  20. L. Ferre Llin, A. Samarelli, S. Cecchi, T. Etzelstorfer, E. Müller Gubler, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, J. M. R. Weaver, P. S. Dobson, and D. J. Paul: The cross-plane thermoelectric properties of p-Ge/Si0.5Ge0.5 superlattices, Appl. Phys. Lett. 103, 143507 (2013).
  21. L. Ferre Llin, A. Samarelli, Y. Zhang, J. M. R. Weaver, P. Dobson, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, T. Etzelstorfer, J. Stangl, E. Müller Gubler, and D. J. Paul: Thermal conductivity measurement methods of for SiGe thermoelectric materials, J. Electron. Mater. 42, 2376 (2013).
  22. N. S. Köster, A. C. Klettke, B. Ewers, R. Woscholski, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, M. Kira, S. W. Koch, and S. Chatterjee: Controlling the polarization dynamics by strong THz fields in photoexcited germanium quantum wells, New J. Phys. 15, 075004 (2013).
  23. S. Cecchi, T. Etzelstorfer, E. Müller, A. Samarelli, L. Ferre Llin, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, J. M. R. Weaver, P. Dobson, and D. J. Paul: Ge/SiGe superlattices for thermoelectric devices grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition, J. Electron. Mater. 42, 2030 (2013).
  24. D. Chrastina, S. Cecchi, J. P. Hague, J. Frigerio, A. Samarelli, L. Ferre-Llin, D. J. Paul, E. Müller, T. Etzelstorfer, J. Stangl, and G. Isella: Ge/SiGe superlattices for nanostructured thermoelectric modules, Thin Solid Films 543, 153 (2013).
  25. A. Samarelli, L. Ferre Llin, Y. Zhang, J. M. R. Weaver, P. Dobson, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, T. Etzelstorfer, J. Stangl, E. Müller Gubler, and D. J. Paul: Power factor characterization of Ge/SiGe thermoelectric superlattices at 300 K, J. Electron. Mater. 42, 1449 (2013).
  26. A. Samarelli, L. Ferre Llin, S. Cecchi, J. Frigerio, T. Etzelstorfer, E. Müller, Y. Zhang, J. R. Watling, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, J. P. Hague, J. M. R. Weaver, P. Dobson, and D. J. Paul: The thermoelectric properties of Ge/SiGe modulation doped superlattices, J. Appl. Phys. 113, 233704 (2013).
  27. A. Ferrari, F. Bottegoni, S. Cecchi, G. Isella, and F. Ciccacci: Optical spin orientation in group-IV heterostructures, J. Appl. Phys. 113, 17C504 (2013).
  28. F. Bottegoni, A. Ferrari, S. Cecchi, M. Finazzi, F. Ciccacci, and G. Isella: Photoinduced inverse spin Hall effect in Pt/Ge(001) at room temperature, Appl. Phys. Lett. 102, 152411 (2013).
  29. G. Isella, F. Bottegoni, S. Cecchi, A. Ferrari, F. Ciccacci, F. Pezzoli, A. Giorgioni, E. Gatti, E. Grilli, M. Guzzi, C. Lange, N. S. Köster, R. Woscholski, S. Chatterjee, D. Trivedi, P. Li, Y. Song, , and H. Dery: Optical spin orientation in SiGe heterostructures, ECS Transactions 50, 831 (2013).
  30. S. Bietti, S. Cecchi, C. Frigeri, E. Grilli, A. Fedorov, A. Vinattieri, M. Gurioli, G. Isella, and S. Sanguinetti: Fabrication of Ge-on-Si substrates for the integration of high-quality GaAs nanostructures on Si, ECS Transactions 50, 783 (2013).
  31. J. Frigerio, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, S. Cecchi, M.-S. Rouifed, G. Isella, and L. Vivien: Refractive index change induced by quantum confined Stark effect in Ge quantum wells.In IEEE 10th Int. Conf. Group IV Photonics, 67--68 (2013).
  32. J. Frigerio, P. Chaisakul, D. Marris-Morini, S. Cecchi, M. S. Roufied, G. Isella, and L. Vivien: Electro-refractive effect in Ge/SiGe multiple quantum wells, Appl. Phys. Lett. 102, 061102 (2013).
  33. A. Giorgioni, F. Pezzoli, E. Gatti, S. Cecchi, C. K. Inoki, C. Deneke, E. Grilli, G. Isella, and M. Guzzi: Optical tailoring of carrier spin polarization in Ge/SiGe multiple quantum wells, Appl. Phys. Lett. 102, 012408 (2013).
  34. S. Cecchi, T. Etzelstorfer, E. Müller, A. Samarelli, L. F. Llin, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, and D. J. Paul: Ge/SiGe superlattices for thermoelectric energy conversion devices, J. Mater. Sci. 48, 2829 (2013).
  35. K. Kolata, N. S. Köster, A. Chernikov, M. J. Drexler, E. Gatti, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, M. Guzzi, and S. Chatterjee: Dephasing in Ge/SiGe quantum wells measured by means of coherent oscillations, Phys. Rev. B 86, 201303(R) (2012).
  36. A. Picco, E. Bonera, F. Pezzoli, E. Grilli, O. G. Schmidt, F. Isa, S. Cecchi, and M. Guzzi: Composition profiling of inhomogeneous SiGe nanostructures by Raman spectroscopy, Nanoscale Res. Lett. 7, 633 (2012).
  37. K. Gallacher, P. Velha, D. J. Paul, S. Cecchi, J. Frigerio, D. Chrastina, and G. Isella: 1.55 μm direct bandgap electroluminescence from strained n-Ge quantum wells grown on Si substrates, Appl. Phys. Lett. 101, 211101 (2012).
  38. L. Carroll, P. Friedli, S. Neuenschwander, H. Sigg, S. Cecchi, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, Y. Fedoryshyn, and J. Faist: Direct-gap gain and optical absorption in germanium correlated to the density of photoexcited carriers, doping, and strain, Phys. Rev. Lett. 109, 057402 (2012).
  39. F. Pezzoli, F. Bottegoni, D. Trivedi, F. Ciccacci, A. Giorgioni, P. Li, S. Cecchi, E. Grilli, Y. Song, M. Guzzi, H. Dery, and G. Isella: Optical spin injection and spin lifetime in Ge heterostructures, Phys. Rev. Lett. 108, 156603 (2012).
  40. K. Kolata, S. Imhof, N. S. Köster, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, J. E. Sipe, A. Thränhardt, and S. Chatterjee: Hole system heating by ultrafast interband energy transfer in optically excited Ge/SiGe quantum wells, Phys. Rev. B 85, 165312 (2012).
  41. F. Bottegoni, A. Ferrari, G. Isella, S. Cecchi, M. Marcon, D. Chrastina, G. Trezzi, and F. Ciccacci: Ge/SiGe heterostructures as emitters of polarized electrons, J. Appl. Phys. 111, 063916 (2012).
  42. S. Bietti, L. Cavigli, M. Abbarchi, A. Vinattieri, M. Gurioli, A. Fedorov, S. Cecchi, F. Isa, G. Isella, and S. Sanguinetti: High quality GaAs quantum nanostructures grown by droplet epitaxy on Ge and Ge-on-Si substrates, phys. stat. sol. (c) 9, 202 (2012).
  43. S. Cecchi, F. Bottegoni, A. Ferrari, D. Chrastina, G. Isella, and F. Ciccacci: Spin polarized photoemission from strained Ge epilayers grown by low-energy plasma-enhanced CVD (LEPECVD).In IEEE 8th Int. Conf. Group IV Photonics, 83--85 (2011).
  44. G. Isella, F. Bottegoni, F. Pezzoli, S. Cecchi, E. Gatti, D. Chrastina, E. Grilli, M. Guzzi, and F. Ciccacci: Optical spin injection in SiGe heterostructures.In H.-J. M. Drouhin, J.-E. Wegrowe, and M. Razeghi (eds.), Spintronics IV, volume Proc. SPIE 8100, 810007 (2011).
  45. F. Bottegoni, G. Isella, S. Cecchi, and F. Ciccacci: Spin polarized photoemission from strained Ge epilayers, Appl. Phys. Lett. 98, 242107 (2011).

Copyright © 2010 L-NESS Como