Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

• L-NESS
• Research Groups
• Facilities
• People
  • Staff
  • PhD students
  • Graduate students
  • Master's students
  • Previous members
• Work & Study
• History
• Contact details

Affiliated Institutions

• Polo di Como
• Politecnico di Milano
• Università Milano Bicocca

Mario Lodari

PhD student

Contact e-mail: tel: Como: +39 031 332 7307 fax: Como: +39 031 332 7617 address: Politecnico di Milano Polo di Como Via Anzani 42 22100 Como Italy office: Via Anzani T.02

Main Research Interest

• SiGe for lithography

Publications

1. C. Barri, E. Mafakheri, L. Fagiani, G. Tavani, A. Barzaghi, D. Chrastina, A. Fedorov, J. Frigerio, M. Lodari, F. Scotognella, E. Arduca, M. Abbarchi, M. Perego, and M. Bollani: Engineering of the spin on dopant process on silicon on insulator substrate, Nanotechnology 32, 025303 (2020).
2. M. Lodari, P. Biagioni, M. Ortolani, L. Baldassarre, G. Isella, and M. Bollani: Plasmon-enhanced Ge-based metal-semiconductor-metal photodetector at near-IR wavelengths, Opt. Express 27, 20516 (2019).
3. M. Lodari, D. Chrastina, V. Mondiali, M. R. Barget, J. Frigerio, E. Bonera, and M. Bollani: Strain in Si or Ge from the edge forces of epitaxial nanostructures, Nanosci. Nanotechnol. Lett. 9, 1128 (2017).
4. M. R. Barget, M. Lodari, V. Mondiali, D. Chrastina, M. Bollani, and E. Bonera: Tensile strain in Ge membranes induced by SiGe nanostressors, Appl. Phys. Lett. 109, 133109 (2016).
5. V. Mondiali, M. Lodari, M. Borriello, D. Chrastina, and M. Bollani: Top-down SiGe nanostructures on Ge membranes realized by e-beam lithography and wet etching, Microelectron. Eng. 153, 88 (2016).
6. M. Bollani, D. Chrastina, L. Gagliano, L. Rossetto, D. Scopece, M. Barget, V. Mondiali, J. Frigerio, M. Lodari, F. Pezzoli, F. Montalenti, and E. Bonera: Local uniaxial tensile strain in germanium up to 4% by epitaxial nanostructures, Appl. Phys. Lett. 107, 083101 (2015).
7. V. Mondiali, M. Lodari, D. Chrastina, M. Barget, E. Bonera, and M. Bollani: Micro and nanofabrication of SiGe/Ge bridges and membranes by wet-anisotropic etching, Microelectron. Eng. 141, 256 (2015).
8. J. Frigerio, M. Lodari, D. Chrastina, V. Mondiali, G. Isella, and M. Bollani: Metastability and relaxation in tensile SiGe on Ge(001) virtual substrates, J. Appl. Phys. 116, 113507 (2014).