Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Luca Esposito

PhD student


tel:Como: +39 031 332 7627
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
office:Via Anzani 1.06

Luca Esposito

Main Research Interest


  1. A. Ballabio, S. Bietti, A. Scaccabarozzi, L. Esposito, S. Vichi, A. Fedorov, A. Vinattieri, C. Mannucci, F. Biccari, A. Nemcsis, L. Toth, L. Miglio, M. Gurioli, G. Isella, and S. Sanguinetti: GaAs epilayers grown on patterned (001) silicon substrates via suspended Ge layers, Sci. Reports 9, 17529 (2019).
  2. F. Biccari, L. Esposito, C. Mannucci, A. G. Taboada, S. Bietti, A. Ballabio, A. Fedorov, G. Isella, H. von Känel, L. Miglio, S. Sanguinetti, A. Vinattieri, and M. Gurioli: Site-controlled natural GaAs(111) quantum dots fabricated on vertical GaAs/Ge microcrystals on deeply patterned Si(001) substrates, Nanosci. Nanotechnol. Lett. 9, 1108 (2017).
  3. C. Frigeri, D. Scarpellini, A. Fedorov, S. Bietti, C. Somaschini, V. Grillo, L. Esposito, M. Salvalaglio, A. Marzegalli, F. Montalenti, and S. Sanguinetti: Structure, interface abruptness and strain relaxation in self-assisted grown InAs/GaAs nanowires, Appl. Surf. Sci. 395, 29 (2015).
  4. D. Scarpellini, C. Somaschini, A. Fedorov, S. Bietti, C. Frigeri, V. Grillo, L. Esposito, M. Salvalaglio, A. Marzegalli, F. Montalenti, E. Bonera, P. G. Medaglia, and S. Sanguinetti: InAs/GaAs sharply defined axial heterostructures in self-assisted nanowires, Nano Lett. 15, 3677 (2015).
  5. E. M. Sala, M. Bollani, S. Bietti, A. Fedorov, L. Esposito, and S. Sanguinetti: Ordered array of Ga droplets on GaAs(001) by local anodic oxidation, J. Vac. Sci. Technol. B 32, 061206 (2014).

Copyright © 2010 L-NESS Como