L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Fabio Pezzoli

Researcher, SiGe Epitaxy

Contact

e-mail:
tel:Como: +39 02 6448 5157
fax:Como: +39 02 6448 5400
address:Università di Milano-Bicocca
Dipartimento di Scienza dei Materiali
Via Cozzi 55
20125 Milano
Italy
web:Milano-Bicocca

Fabio Pezzoli

Education

Main Research Interest

Publications

  1. J. Pedrini, P. Biagioni, A. Ballabio, A. Barzaghi, M. Bonzi, E. Bonera, G. Isella, and F. Pezzoli: Broadband control of the optical properties of semiconductors through site-controlled self-assembly of microcrystals, Opt. Express 28, 24981 (2020).
  2. F. Isa, A. Jung, M. Salvalaglio, Y. Arroyo Rojas Dasilva, I. Marozau, M. Meduňa, M. Barget, A. Marzegalli, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, O. Sereda, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Strain engineering in highly mismatched SiGe/Si heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. 70, 117 (2017).
  3. A. Giorgioni, S. Paleari, S. Cecchi, E. Vitiello, E. Grilli, G. Isella, W. Jantsch, M. Fanciulli, and F. Pezzoli: Strong confinement-induced engineering of the g factor and lifetime of conduction electron spins in Ge quantum wells.Nature Communications 7, 13886 (2016).
  4. F. Pezzoli, A. Giorgioni, K. Gallacher, F. Isa, P. Biagioni, R. W. Millar, E. Gatti, E. Grilli, E. Bonera, G. Isella, D. J. Paul, and L. Miglio: Disentangling nonradiative recombination processes in ge micro-crystals on Si substrates, Appl. Phys. Lett. 108, 262103 (2016).
  5. F. Isa, A. Jung, M. Salvalaglio, Y. Arroyo Rojas Dasilva, M. Meduňa, M. Barget, T. Kreiliger, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, K. Zweiacker, A. Neels, A. Dommann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Elastic and plastic stress relaxation in highly mismatched SiGe/Si crystals, MRS Advances 1, 3403 (2016).
  6. F. Isa, M. Salvalaglio, Y. A. R. Dasilva, M. Meduňa, M. Barget, A. Jung, T. Kreiliger, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Highly mismatched, dislocation-free SiGe/Si heterostructures, Adv. Mater. 28, 884 (2015).
  7. M. Bollani, D. Chrastina, L. Gagliano, L. Rossetto, D. Scopece, M. Barget, V. Mondiali, J. Frigerio, M. Lodari, F. Pezzoli, F. Montalenti, and E. Bonera: Local uniaxial tensile strain in germanium up to 4% by epitaxial nanostructures, Appl. Phys. Lett. 107, 083101 (2015).
  8. F. Isa, F. Pezzoli, G. Isella, M. Meduňa, C. V. Falub, E. Müller, T. Kreiliger, A. G. Taboada, H. von Känel, and L. Miglio: Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates, Semicond. Sci. Technol. 30, 105001 (2015).
  9. T. Etzelstorfer, M. R. Ahmadpor Monazam, S. Cecchi, D. Kriegner, D. Chrastina, E. Gatti, E. Grilli, N. Rosemann, S. Chatterjee, V. Holý, F. Pezzoli, G. Isella, and J. Stangl: Structural investigations of the α12 Si-Ge superstructure, J. Appl. Cryst. 48, 262 (2015).
  10. K. Kolata, N. S. Köster, R. Woscholski, S. Imhof, A. Thränhardt, C. Lange, J. E. Sipe, F. Pezzoli, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, and S. Chatterjee: Holes in germanium quantum wells: spin relaxation and temperature dynamics, phys. stat. sol. (c) 10, 1238 (2014).
  11. E. Gatti, F. Isa, D. Chrastina, E. Müller Gubler, F. Pezzoli, E. Grilli, and G. Isella: Ge/SiGe quantum wells on Si(111): Growth, structural and optical properties, J. Appl. Phys. 116, 043518 (2014).
  12. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Ge crystals on Si show their light, Phys. Rev. App. 1, 044005 (2014).
  13. F. Pezzoli, L. Qing, A. Giorgioni, G. I. E. Grilli, M. Guzzi, and H. Dery: Spin and energy relaxation in germanium studied by spin-polarized direct-gap photoluminescence, Phys. Rev. B 88, 045204 (2013).
  14. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Germanium crystals on silicon show their light, arXiv.org e-Print archive cond-mat, arXiv:1306.5270 (2013).
  15. E. Bonera, M. Bollani, D. Chrastina, F. Pezzoli, A. Picco, O. G. Schmidt, and D. Terziotti: Substrate strain manipulation by nanostructure perimeter forces, J. Appl. Phys. 113, 164308 (2013).
  16. G. Isella, F. Bottegoni, S. Cecchi, A. Ferrari, F. Ciccacci, F. Pezzoli, A. Giorgioni, E. Gatti, E. Grilli, M. Guzzi, C. Lange, N. S. Köster, R. Woscholski, S. Chatterjee, D. Trivedi, P. Li, Y. Song, , and H. Dery: Optical spin orientation in SiGe heterostructures, ECS Transactions 50, 831 (2013).
  17. A. Giorgioni, F. Pezzoli, E. Gatti, S. Cecchi, C. K. Inoki, C. Deneke, E. Grilli, G. Isella, and M. Guzzi: Optical tailoring of carrier spin polarization in Ge/SiGe multiple quantum wells, Appl. Phys. Lett. 102, 012408 (2013).
  18. A. Picco, E. Bonera, F. Pezzoli, E. Grilli, O. G. Schmidt, F. Isa, S. Cecchi, and M. Guzzi: Composition profiling of inhomogeneous SiGe nanostructures by Raman spectroscopy, Nanoscale Res. Lett. 7, 633 (2012).
  19. C. Lange, G. Isella, D. Chrastina, F. Pezzoli, N. S. Köster, R. Woscholski, and S. Chatterjee: Spin band-gap renormalization and hole spin dynamics in Ge/SiGe quantum wells, Phys. Rev. B 85, 241303(R) (2012).
  20. F. Pezzoli, F. Bottegoni, D. Trivedi, F. Ciccacci, A. Giorgioni, P. Li, S. Cecchi, E. Grilli, Y. Song, M. Guzzi, H. Dery, and G. Isella: Optical spin injection and spin lifetime in Ge heterostructures, Phys. Rev. Lett. 108, 156603 (2012).
  21. G. Isella, F. Bottegoni, F. Pezzoli, S. Cecchi, E. Gatti, D. Chrastina, E. Grilli, M. Guzzi, and F. Ciccacci: Optical spin injection in SiGe heterostructures.In H.-J. M. Drouhin, J.-E. Wegrowe, and M. Razeghi (eds.), Spintronics IV, volume Proc. SPIE 8100, 810007 (2011).
  22. G. Pernot, M. Stoffel, I. Savic, F. Pezzoli, P. Chen, G. Savelli, A. Jacquot, J. Schumann, U. Denker, I. Mönch, C. Deneke, O. G. Schmidt, J. M. Rampnoux, S. Wang, M. Plissonier, A. Rastelli, S. Dilhaire, and N. Mingo: Precise control of thermal conductivity at the nanoscale through individual phonon-scattering barriers, Nature Mater. 9, 491 (2010).
  23. E. Bonera, F. Pezzoli, A. Picco, G. Vastola, M. Stoffel, E. Grilli, M. Guzzi, A. Rastelli, O. G. Schmidt, and L. Miglio: Strain in a single ultrathin silicon layer on top of SiGe islands: Raman spectroscopy and simulations, Phys. Rev. B 79, 075321 (2009).
  24. F. Pezzoli, M. Stoffel, T. Merdzhanova, A. Rastelli, and O. G. Schmidt: Alloying and strain relaxation in SiGe islands grown on pit-patterned Si(001) substrates probed by nanotomography, Nanoscale Res. Lett. 4, 1073 (2009).
  25. F. Pezzoli, E. Bonera, M. Bollani, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, G. Isella, D. Chrastina, and H. von Känel: Raman spectroscopy for the analysis of temperature-dependent plastic relaxation of SiGe layers, Acta Phys. Pol. A 116, 78 (2009).
  26. A. Trita, F. Bragheri, I. Cristiani, V. Degiorgio, D. Chrastina, D. Colombo, G. Isella, H. von Känel, F. Gramm, E. Müller, M. Döbeli, E. Bonera, R. Gatti, F. Pezzoli, E. Grilli, M. Guzzi, and L. Miglio: Impact of misfit dislocations on wavefront distortion in Si/SiGe/Si optical waveguides, Opt. Commun. 282, 4716 (2009).
  27. F. Pezzoli, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si1-xGex/Si heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. 11, 279 (2008).
  28. F. Pezzoli, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Phonon strain shift coefficients in Si1-xGex alloys, J. Appl. Phys. 103, 093521 (2008).
  29. F. Pezzoli, S. Sanguinetti, E. Bonera, E. Grilli, and M. Guzzi: Modelling of the phonon strain shift coefficients in Si1-xGex alloys, J. Phys. Conf. Ser. 92, 012152 (2007).
  30. F. Pezzoli, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Strain-induced shift of phonon modes in Si1-xGex alloys, Mat. Sci. Semicond. Process. 9, 541 (2006).
  31. F. Pezzoli, L. Martinelli, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, M. Bollani, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl, and G. Bauer: Raman spectroscopy of Si1-xGex epilayers, Mat. Sci. Eng. B 124--125, 127 (2005).

Copyright © 2010 L-NESS Como