L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Fabio Isa

PhD student

Contact

e-mail:
tel:Como: +39 031 332 7306
fax:Como: +39 031 332 7617
address:Politecnico di Milano
Polo di Como
Via Anzani 42
22100 Como
Italy
office:Via Anzani 1.06

Fabio Isa

Education

Main Research Interest

Publications

  1. F. Isa, J. A. Schmidt, S. Aghion, E. Napolitani, G. Isella, and R. Ferragut: Hole and positron interaction with vacancies and p-type dopants in epitaxially grown silicon, J. Appl. Phys. 135, 165704 (2024).
  2. Y. Arroyo Rojas Dasilva, R. Erni, F. Isa, G. Isella, H. von Känel, P. Gröning, and M. D. Rossell: Atomic-scale structural characterization of grain boundaries in epitaxial Ge/Si microcrystals by HAADF-STEM, Acta Mater. 167, 159 (2019).
  3. F. Montalenti, F. Rovaris, R. Bergamaschini, L. Miglio, M. Salvalaglio, G. Isella, F. Isa, and H. von Känel: Dislocation-free SiGe/Si heterostructures, Crystals 8, 257 (2018).
  4. F. Isa, A. Jung, M. Salvalaglio, Y. Arroyo Rojas Dasilva, I. Marozau, M. Meduňa, M. Barget, A. Marzegalli, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, O. Sereda, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Strain engineering in highly mismatched SiGe/Si heterostructures, Mat. Sci. Semicond. Process. 70, 117 (2017).
  5. F. Isa, A. Jung, M. Salvalaglio, Y. Arroyo Rojas Dasilva, M. Meduňa, M. Barget, T. Kreiliger, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, K. Zweiacker, A. Neels, A. Dommann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Elastic and plastic stress relaxation in highly mismatched SiGe/Si crystals, MRS Advances 1, 3403 (2016).
  6. F. Isa, M. Salvalaglio, Y. Arroyo Rojas Dasilva, A. Jung, G. Isella, R. Erni, B. Timotijevic, P. Niedermann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Enhancing elastic stress relaxation in SiGe/Si heterostructures by Si pillar necking, Appl. Phys. Lett. 109, 182112 (2016).
  7. Y. Arroyo Rojas Dasilva, M. D. Rossell, F. Isa, R. Erni, G. Isella, H. von Känel, and P. Grönig: Strain relaxation in epitaxial Ge crystals grown on patterned Si(001) substrates, Scripta Mater. 127, 169 (2016).
  8. C. Chèze, M. Siekacz, F. Isa, B. Jenichen, F. Feix, J. Buller, T. Schulz, M. Albrecht, C. Skierbiszewski, R. Calarco, and H. Riechert: Investigation of interface abruptness and In content in (In,Ga)N/GaN superlattices, J. Appl. Phys. 120, 125307 (2016).
  9. F. Pezzoli, A. Giorgioni, K. Gallacher, F. Isa, P. Biagioni, R. W. Millar, E. Gatti, E. Grilli, E. Bonera, G. Isella, D. J. Paul, and L. Miglio: Disentangling nonradiative recombination processes in Ge micro-crystals on Si substrates, Appl. Phys. Lett. 108, 262103 (2016).
  10. F. Isa, M. Salvalaglio, Y. A. R. Dasilva, A. Jung, G. Isella, R. Erni, P. Niedermann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: From plastic to elastic stress relaxation in highly mismatched SiGe/Si heterostructures, Acta Mater. 114, 97 (2016).
  11. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, A. Marzegalli, D. Chrastina, G. Isella, L. Miglio, A. Dommann, and H. von Känel: Lattice bending in three-dimensional Ge microcrystals studied by X-ray nanodiffraction and modelling, J. Appl. Cryst. 49, 976 (2016).
  12. R. Bergamaschini, M. Salvalaglio, A. Scaccabarozzi, F. Isa, C. V. Falub, G. Isella, H. von Känel, F. Montalenti, and L. Miglio: Temperature-controlled coalescence during the growth of Ge crystals on deeply patterned Si substrates, J. Cryst. Growth 440, 86 (2016).
  13. A. G. Taboada, M. Medunňa, M. Salvalaglio, F. Isa, T. Kreiliger, C. V. Falub, E. Barthazy Meier, E. Müller, L. Miglio, G. Isella, and H. von Känel: GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scale, J. Appl. Phys. 119, 055301 (2016).
  14. J. Rozbořil, M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, and H. von Känel: Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction, phys. stat. sol. (a) 213, 463 (2015).
  15. F. Isa, M. Salvalaglio, Y. A. R. Dasilva, M. Meduňa, M. Barget, A. Jung, T. Kreiliger, G. Isella, R. Erni, F. Pezzoli, E. Bonera, P. Niedermann, P. Gröning, F. Montalenti, and H. von Känel: Highly mismatched, dislocation-free SiGe/Si heterostructures, Adv. Mater. 28, 884 (2015).
  16. F. Isa, C. Chèze, M. Siekacz, C. Hauswald, J. Lähnemann, S. Fernández-Garrido, T. Kreiliger, M. Ramsteiner, Y. A. R. Dasilva, O. Brandt, G. Isella, R. Erni, R. Calarco, H. Riechert, and L. Miglio: Integration of GaN crystals on micropatterned Si(0 0 1) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy, Cryst. Growth Design 15, 4886 (2015).
  17. Y. Arroyo Rojas Dasilva, M. D. Rossell, D. Keller, P. Grönig, F. Isa, T. Kreiliger, H. von Känel, G. Isella, and R. Erni: Analysis of edge threading dislocations b = 1/2 <110> in three dimensional Ge crystals grown on (001)-Si substrates.Appl. Phys. Lett. 107, 093501 (2015).
  18. A. Jung, A. G. Taboada, W. Stumpf, T. Kreiliger, F. Isa, G. Isella, E. Barthazy Meier, and H. von Känel: Heterointegration of InGaAs/GaAs quantum wells on micro-patterned Si substrates, J. Appl. Phys. 118, 075701 (2015).
  19. F. Isa, F. Pezzoli, G. Isella, M. Meduňa, C. V. Falub, E. Müller, T. Kreiliger, A. G. Taboada, H. von Känel, and L. Miglio: Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates, Semicond. Sci. Technol. 30, 105001 (2015).
  20. H. Groiss, M. Glaser, A. Marzegalli, F. Isa, G. Isella, L. Miglio, and F. Schäffler: Burgers vector analysis of vertical dislocations in Ge crystals by large-angle convergent beam electron diffraction, Microsc. Microanal. 21, 637 (2015).
  21. J. Frigerio, F. Isa, E. Ghisetti, G. Isella, and L. Miglio: Infrared photodetectors fabricated on 3D epitaxial Ge-on-Si.In IEEE 11th Int. Conf. Group IV Photonics, 61--62 (2014).
  22. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, D. Chrastina, T. Kreiliger, G. Isella, and H. von Känel: Reconstruction of crystal shapes by X-ray nanodiffraction from three-dimensional superlattices, J. Appl. Cryst. 47, 2030 (2014).
  23. H. von Känel, F. Isa, C. V. Falub, E. J. Barthazy, E. Müller Gubler, D. Chrastina, G. Isella, T. Kreiliger, A. Gonzalez Taboada, M. Meduna, R. Kaufmann, A. Neels, A. Dommann, P. Niedermann, F. Mancarella, M. Mauceri, M. Puglisi, D. Crippa, F. La Via, R. Anzalone, N. Piluso, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, and L. Miglio: (Invited) Three-dimensional epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC crystals on deeply patterned Si substrates, ECS Transactions 64, 631 (2014).
  24. E. Gatti, F. Isa, D. Chrastina, E. Müller Gubler, F. Pezzoli, E. Grilli, and G. Isella: Ge/SiGe quantum wells on Si(111): Growth, structural and optical properties, J. Appl. Phys. 116, 043518 (2014).
  25. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Ge crystals on Si show their light, Phys. Rev. App. 1, 044005 (2014).
  26. T. Kreiliger, C. V. Falub, F. Isa, G. Isella, D. Chrastina, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, R. Kaufmann, P. Niedermann, A. Neels, E. Müller, M. Meduňa, A. Dommann, L. Miglio, and H. von Känel: Epitaxial Ge-crystal arrays for X-ray detection, J. Instrumentation 9, C03019 (2014).
  27. M. Meduňa, C. V. Falub, F. Isa, D. Chrastina, T. Kreiliger, G. Isella, A. G. Taboada, P. Niedermann, and H. von Känel: X-ray nano-diffraction on epitaxial crystals, Quantum Matter 3, 290 (2014).
  28. A. G. Taboada, T. Kreiliger, C. V. Falub, F. Isa, M. Salvalaglio, L. Wewior, D. Fustor, M. Richter, E. Uccelli, P. Niedermann, A. Neels, F. Mancarella, B. Alén, L. Miglio, A. Dommann, G. Isella, and H. von Känel: Strain relaxation of GaAs/Ge crystals on patterned Si substrates, Appl. Phys. Lett. 104, 022112 (2014).
  29. T. Kreiliger, C. V. Falub, A. G. Taboada, F. Isa, S. Cecchi, R. Kaufmann, P. Niedermann, A. Pezous, S. Mouaziz, A. Dommann, G. Isella, and H. von Känel: Individual heterojunctions of 3D germanium crystals on silicon CMOS for monolithically integrated X-ray detector, phys. stat. sol. (a) 211, 131 (2013).
  30. F. Isa, A. Marzegalli, A. G. Taboada, C. V. Falub, G. Isella, F. Montalenti, H. von Känel, and L. Miglio: Onset of vertical threading dislocations in Si1-xGex/Si (001) at a critical Ge concentration, APL Materials 1, 052109 (2013).
  31. A. G. Taboada, T. Kreiliger, C. V. Falub, M. Richter, F. Isa, E. Müller, E. Uccelli, P. Niedermann, A. Neels, G. Isella, J. Fompeyrine, A. Dommann, and H. von Känel: Integration of GaAs on Ge/Si towers by MOVPE, MRS Proceedings 1538, 283 (2013).
  32. C. V. Falub, T. Kreiliger, F. Isa, A. G. Taboada, M. Meduňa, F. Pezzoli, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, E. Müller, D. Chrastina, G. Isella, A. Neels, P. Niedermann, A. Dommann, L. Miglio, and H. von Känel: 3D heteroepitaxy of mismatched semiconductors on silicon, Thin Solid Films 557, 42 (2014).
  33. R. Bergamaschini, F. Isa, C. V. Falub, P. Niedermann, E. Müller, G. Isella, H. von Känel, and L. Miglio: Self-aligned Ge and SiGe three-dimensional epitaxy on dense Si pillar arrays, Surf. Sci. Rep. 68, 390 (2013).
  34. F. Pezzoli, F. Isa, G. Isella, C. V. Falub, T. Kreiliger, M. Salvalaglio, R. Bergamaschini, E. Grilli, M. Guzzi, H. von Känel, and L. Miglio: Germanium crystals on silicon show their light, arXiv.org e-Print archive cond-mat, arXiv:1306.5270 (2013).
  35. A. Marzegalli, F. Isa, H. Groiss, E. Müller, C. V. Falub, A. G. Taboada, P. Niedermann, G. Isella, F. Schäffler, F. Montalenti, H. von Känel, and L. Miglio: Unexpected dominance of vertical dislocations in high-misfit Ge/Si(001) films and their elimination by deep substrate patterning, Adv. Mater. 25, 4408 (2013).
  36. L. Miglio, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, P. Niedermann, A. Dommann, C. V. Falub, E. Müller, and H. von Känel: “divide et impera” in detector technology, Il Nuovo Saggiatore 29, 7 (2013).
  37. M. Richter, E. Uccelli, A. G. Taboada, D. Caimi, N. Daix, M. Sousa, C. Marchiori, H. Siegwart, C. V. Falub, H. von Känel, F. Isa, G. Isella, A. Pezous, A. Dommann, P. Niedermann, and J. Fompeyrine: Heterointegration by molecular beam epitaxy: (In,Ga)As/GaAs quantum wells on GaAs, Ge, Ge/Si and Ge/Si pillars, J. Cryst. Growth 378, 109 (2013).
  38. C. V. Falub, T. Kreiliger, A. G. Taboada, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, M. Meduňa, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, E. Bonera, F. Pezzoli, L. Miglio, P. Niedermann, A. Neels, A. Pezous, R. Kaufmann, A. Dommann, and H. von Känel: Three dimensional heteroepitaxy: A new path for monolithically integrating mismatched materials with silicon.In 2012 International Semiconductor Conference (CAS), 45--50 (2012).
  39. C. V. Falub, F. Isa, T. Kreiliger, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, A. G. Taboada, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, P. Niedermann, A. Dommann, A. Neels, A. Pezous, M. Meduňa, L. Miglio, and H. von Känel: Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals.In SiGe Technology and Device Meeting, 2012. ISTDM 2012. (2012).
  40. C. V. Falub, M. Meduňa, D. Chrastina, F. Isa, A. Marzegalli, T. Kreiliger, A. G. Taboada, G. Isella, L. Miglio, A. Dommann, and H. von Känel: Perfect crystals grown from imperfect interfaces, Sci. Reports 3, 2276 (2013).
  41. A. Picco, E. Bonera, F. Pezzoli, E. Grilli, O. G. Schmidt, F. Isa, S. Cecchi, and M. Guzzi: Composition profiling of inhomogeneous SiGe nanostructures by Raman spectroscopy, Nanoscale Res. Lett. 7, 633 (2012).
  42. L. Carroll, P. Friedli, S. Neuenschwander, H. Sigg, S. Cecchi, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, Y. Fedoryshyn, and J. Faist: Direct-gap gain and optical absorption in germanium correlated to the density of photoexcited carriers, doping, and strain, Phys. Rev. Lett. 109, 057402 (2012).
  43. C. V. Falub, H. von Känel, F. Isa, R. Bergamaschini, A. Marzegalli, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, P. Niedermann, and L. Miglio: Scaling hetero-epitaxy from layers to three-dimensional crystals, Science 335, 1330 (2012).
  44. S. Bietti, L. Cavigli, M. Abbarchi, A. Vinattieri, M. Gurioli, A. Fedorov, S. Cecchi, F. Isa, G. Isella, and S. Sanguinetti: High quality GaAs quantum nanostructures grown by droplet epitaxy on Ge and Ge-on-Si substrates, phys. stat. sol. (c) 9, 202 (2012).

Copyright © 2010 L-NESS Como