Andrea Scaccabarozzi
PhD student
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Main Research Interest
Publications
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A. Ballabio, S. Bietti, A. Scaccabarozzi, L. Esposito, S. Vichi, A. Fedorov, A. Vinattieri, C. Mannucci, F. Biccari, A. Nemcsis, L. Toth, L. Miglio, M. Gurioli, G. Isella, and S. Sanguinetti: GaAs epilayers grown on patterned (001) silicon substrates via suspended Ge layers, Sci. Reports 9, 17529 (2019).
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R. Bergamaschini, S. Bietti, A. Castellano, C. Frigeri, C. V. Falub, A. Scaccabarozzi, M. Bollani, H. von Känel, L. Miglio, and S. Sanguinetti: Kinetic growth mode of epitaxial GaAs on Si(001) micro-pillars, J. Appl. Phys. 120, 245702 (2016).
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R. Bergamaschini, M. Salvalaglio, A. Scaccabarozzi, F. Isa, C. V. Falub, G. Isella, H. von Känel, F. Montalenti, and L. Miglio: Temperature-controlled coalescence during the growth of Ge crystals on deeply patterned Si substrates, J. Cryst. Growth 440, 86 (2016).
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S. Bietti, A. Scaccabarozzi, C. Frigeri, M. Bollani, E. Bonera, C. V. Falub, H. von Känel, L. Miglio, and S. Sanguinetti: Monolithic integration of optical grade GaAs on Si(001) substrates deeply patterned at a micron scale, Appl. Phys. Lett. 103, 262106 (2013).
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