L-NESS

Laboratory for Epitaxial Nanostructures on Silicon and Spintronics

Affiliated Institutions

Nanoscale Device Group

Publications (Journals since 2006)

  1. E. Guerriero, P. Pedrinazzi, A. Mansouri, O. Habibpour, M. Winters, N. Rorsman, A. Behnam, E. A. Carrion, A. Pesquera, A. Centeno, A. Zurutuza, E. Pop, H. Zirath, and R. Sordan: High-gain graphene transistors with a thin AlOx top-gate oxide, Sci. Reports 7, 2419 (2017).
  2. C. Rinaldi, S. Bertoli, M. Asa, L. Baldrati, C. Manzoni, M. Marangoni, G. Cerullo, M. Bianchi, R. Sordan, and R. Bertacco: Determination of the spin diffusion length in germanium by spin optical orientation and electrical spin injection, J. Phys. D: Appl. Phys. 49, 425104 (2016).
  3. M. Monticelli, A. Torti, M. Cantoni, D. Petti, E. Albisetti, A. Manzin, E. Guerriero, R. Sordan, G. Gervasoni, M. Carminati, G. Ferrari, M. Sampietro, and R. Bertacco: On-chip magnetic platform for single-particle manipulation with integrated electrical feedback, Small 12, 921 (2016).
  4. V. Mondiali, M. Lodari, M. Borriello, D. Chrastina, and M. Bollani: Top-down SiGe nanostructures on Ge membranes realized by e-beam lithography and wet etching, Microelectron. Eng. 153, 88 (2016).
  5. M. Bollani, D. Chrastina, L. Gagliano, L. Rossetto, D. Scopece, M. Barget, V. Mondiali, J. Frigerio, M. Lodari, F. Pezzoli, F. Montalenti, and E. Bonera: Local uniaxial tensile strain in germanium up to 4% by epitaxial nanostructures, Appl. Phys. Lett. 107, 083101 (2015).
  6. I. Polyzos, M. Bianchi, L. Rizzi, E. Koukaras, I. Parthenios, K. Papagelis, R. Sordan, and C. Galiotis: Suspended monolayer graphene under true uniaxial deformation, Nanoscale 7, 13033 (2015).
  7. Y. Gao, S. Kim, S. Zhou, H.-C. Chiu, D. Nélias, C. Berger, W. de Heer, L. Polloni, R. Sordan, A. Bongiorno, and E. Riedo: Elastic coupling between layers in two-dimensional materials, Nature Mater. 14, 714 (2015).
  8. M. Bianchi, E. Guerriero, M. Fiocco, R. Alberti, L. Polloni, A. Behnam, E. A. Carrion, E. Pop, and R. Sordan: Scaling of graphene integrated circuits, Nanoscale 7, 8076 (2015).
  9. V. Mondiali, M. Lodari, D. Chrastina, M. Barget, E. Bonera, and M. Bollani: Micro and nanofabrication of SiGe/Ge bridges and membranes by wet-anisotropic etching, Microelectron. Eng. 141, 256 (2015).
  10. A. C. Ferrari, F. Bonaccorso, V. Falko, K. S. Novoselov, S. Roche, P. Boggild, S. Borini, F. Koppens, V. Palermo, N. Pugno, J. A. Garrido, R. Sordan, A. Bianco, L. Ballerini, M. Prato, E. Lidorikis, J. Kivioja, C. Marinelli, T. Ryhanen, A. Morpurgo, J. N. Coleman, V. Nicolosi, L. Colombo, A. Fert, M. Garcia-Hernandez, A. Bachtold, G. F. Schneider, F. Guinea, C. Dekker, M. Barbone, C. Galiotis, A. Grigorenko, G. Konstantatos, A. Kis, M. Katsnelson, C. W. J. Beenakker, L. Vandersypen, A. Loiseau, V. Morandi, D. Neumaier, E. Treossi, V. Pellegrini, M. Polini, A. Tredicucci, G. M. Williams, B. H. Hong, J. H. Ahn, J. M. Kim, H. Zirath, B. J. van Wees, H. van der Zant, L. Occhipinti, A. Di Matteo, I. A. Kinloch, T. Seyller, E. Quesnel, X. Feng, K. Teo, N. Rupesinghe, P. Hakonen, S. R. T. Neil, Q. Tannock, T. Lofwander, and J. Kinaret: Science and technology roadmap for graphene, related two-dimensional crystals, and hybrid systems, Nanoscale 7, 4598 (2014).
  11. M. Celebrano, M. Baselli, M. Bollani, J. Frigerio, A. B. Shehata, A. Della Frera, A. Tosi, A. Farina, F. Pezzoli, J. Osmond, X. Wu, B. Hecht, R. Sordan, D. Chrastina, G. Isella, L. Duò, M. Finazzi, and P. Biagioni: Emission engineering in germanium nanostructures, ACS Photonics 2, 53 (2014).
  12. E. A. Carrion, A. Y. Serov, S. Islam, A. Behnam, A. Malik, F. Xiong, M. Bianchi, R. Sordan, and E. Pop: Hysteresis-free nanosecond pulsed electrical characterization of top-gated graphene transistors, IEEE T. Electron Dev. 61, 1583 (2014).
  13. V. Mondiali, M. Bollani, S. Cecchi, M.-I. Richard, T. Schülli, G. Chahine, and D. Chrastina: Dislocation engineering in SiGe on periodic and aperiodic Si(001) templates studied by fast scanning X-ray nanodiffraction, Appl. Phys. Lett. 104, 021918 (2014).
  14. K. M. Carroll, X. Lu, S. Kim, Y. Gao, H.-J. Kim, S. Somnath, L. Polloni, R. Sordan, W. P. King, J. E. Curtis, and E. Riedo: Parallelization of thermochemical nanolithography, Nanoscale 6, 1299 (2014).
  15. G. M. Vanacore, M. Chaigneau, N. Barrett, M. Bollani, F. Boioli, M. Salvalaglio, F. Montalenti, N. Manini, L. Caramella, P. Biagioni, D. Chrastina, G. Isella, O. Renault, M. Zani, R. Sordan, G. Onida, R. Ossikovski, H.-J. Drouhin, and A. Tagliaferri: Hydrostatic strain enhancement in laterally confined SiGe nanostripes, Phys. Rev. B 88, 115309 (2013).
  16. E. Guerriero, L. Polloni, M. Bianchi, A. Behnam, E. Carrion, L. G. Rizzi, E. Pop, and R. Sordan: Gigahertz integrated graphene ring oscillators, ACS Nano 7, 5588 (2013).
  17. I. Berbezier, M. Aouassa, A. Ronda, L. Favre, M. Bollani, R. Sordan, A. Delobbe, and P. Sudraud: Ordered arrays of Si and Ge nanocrystals via dewetting of pre-patterned thin films, J. Appl. Phys. 113, 064908 (2013).
  18. G. Grancini, N. Martino, M. Bianchi, L. G. Rizzi, V. Russo, A. Li Bassi, C.  S. Casari, A. Petrozza, R. Sordan, and G. Lanzani: Ultrafast spectroscopic imaging of exfoliated graphene, Phys. Status Solidi B 249, 2497 (2012).
  19. L. G. Rizzi, M. Bianchi, A. Behnam, E. Carrion, E. Guerriero, L. Polloni, E. Pop, and R. Sordan: Cascading wafer-scale integrated graphene complementary inverters under ambient conditions, Nano Lett. 12, 3948 (2012).
  20. M. Aouassa, I. Berbezier, L. Favre, A. Ronda, M. Bollani, R. Sordan, A. Delobbe, and P. Sudraud: Design of free patterns of nanocrystals with ad hoc features via templated dewetting, Appl. Phys. Lett. 101, 013117 (2012).
  21. D. Chrastina, G. M. Vanacore, M. Bollani, P. Boye, S. Schöder, M. Burghammer, R. Sordan, G. Isella, M. Zani, and A. Tagliaferri: Patterning-induced strain relief in single lithographic SiGe nanostructures studied by nanobeam x-ray diffraction, Nanotechnology 23, 155702 (2012).
  22. E. Guerriero, L. Polloni, L. G. Rizzi, M. Bianchi, G. Mondello, and R. Sordan: Graphene audio voltage amplifier, Small 8, 357 (2012).
  23. M. Bollani, D. Chrastina, V. Montuori, D. Terziotti, E. Bonera, G. M. Vanacore, A. Tagliaferri, R. Sordan, C. Spinella, and G. Nicotra: Homogeneity of Ge-rich nanostructures as characterized by chemical etching and transmission electron microscopy, Nanotechnology 23, 045302 (2012).
  24. A. Sagar, K. Balasubramanian, M. Burghard, K. Kern, and R. Sordan: Polymer-electrolyte gated graphene transistors for analog and digital phase detection, Appl. Phys. Lett. 99, 043307 (2011).
  25. E. U. Stützel, M. Burghard, K. Kern, F. Traversi, F. Nichele, and R. Sordan: A graphene nanoribbon memory cell, Small 6, 2822 (2010).
  26. M. Bollani, D. Chrastina, A. Fedorov, R. Sordan, A. Picco, and E. Bonera: Ge-rich islands grown on patterned Si substrates by low-energy plasma-enhanced chemical vapour deposition, Nanotechnology 21, 475302 (2010).
  27. G. M. Vanacore, M. Zani, G. Isella, J. Osmond, M. Bollani, and A. Tagliaferri: Quantitative investigation of the influence of carbon surfactant on Ge surface diffusion and island nucleation on Si(100), Phys. Rev. B 82, 125456 (2010).
  28. M. Bollani, E. Bonera, D. Chrastina, A. Fedorov, V. Montuori, A. Picco, A. Tagliaferri, G. Vanacore, and R. Sordan: Ordered arrays of SiGe islands from low-energy PECVD, Nanoscale Res. Lett. 5, 1917 (2010).
  29. G. M. Vanacore, M. Zani, M. Bollani, D. Colombo, G. Isella, J. Osmond, R. Sordan and, A. Tagliaferri: Size evolution of ordered SiGe islands grown by surface thermal diffusion on pit-patterned Si(100) surface, Nanoscale Res. Lett. 5, 1921 (2010).
  30. F. Traversi, F. J. Guzman-Vazquez, L. G. Rizzi, V. Russo, C. S. Casari, C. Gómez-Navarro, and R. Sordan: Elastic properties of graphene suspended on a polymer substrate by e-beam exposure, New J. Phys. 12, 023034 (2010).
  31. V. Kapaklis, S. Grammatikopoulos, R. Sordan, A. Miranda, F. Traversi, H. von Känel, D. Trachylis, P. Poulopoulos, and C. Politis: Nanolithographic templates using diblock copolymer films on chemically heterogeneous substrates, J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 6056 (2010).
  32. F. Traversi, V. Russo, and R. Sordan: Integrated complementary graphene inverter, Appl. Phys. Lett. 94, 223312 (2009).
  33. R. Sordan, A. Miranda, F. Traversi, D. Colombo, D. Chrastina, G. Isella, M. Masserini, L. Miglio, K. Kern, and K. Balasubramanian: Vertical arrays of nanofluidic channels fabricated without nanolithography, Lab Chip 9, 1556 (2009).
  34. R. Sordan, F. Traversi, and V. Russo: Logic gates with a single graphene transistor, Appl. Phys. Lett. 94, 073305 (2009).
  35. R. Sordan, A. Miranda, J. Osmond, D. Colombo, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Gate-controlled rectifying barrier in a two-dimensional hole gas, Nanotechnology 19, 335201 (2008).
  36. R. Sordan, A. Miranda, J. Osmond, D. Chrastina, G. Isella, and H. von Känel: Logic gates with a single Hall bar heterostructure, Appl. Phys. Lett. 89, 152122 (2006).

Copyright © 2010 L-NESS Como

Last updated: 25th May 2017